恶性斗殴为何屡禁不止？——运营商互殴：粗暴宣泄何以为“道”!

“我有一个梦想：某一天三大运营商员工不摆摊了,不打架了,员工年收入差距缩小了,前端营业员待遇提高了,后端装维与资源矛盾化解了,服务质量提高了,恶性竞争消除了,重复建设停止了,不再破坏对手广告了,不互挖墙角搞策反了,不再零元购机了,不打价格战了,都能活的有尊严了”.     

乱

江湖最近挺乱. 金融海啸了,经济危机了;奥巴马当选了,杨致远下课了;三聚氰胺走了又来了,"林书记"来了又走了;百度乱卖广告被央视曝光了,首富黄光裕涉嫌违法被拘查了;国家开始上万亿的花钱了,央行敢于一百零八个基点的降息了!     

Wedding……

兄弟结婚了，朋友结婚了，朋友的朋友结婚了；男的结婚了，女的结婚了，不男不女的也结婚了；有感情的结婚了，没感情的结婚了，认识不认识的结婚已经无所谓了……     

恶性斗殴为何屡禁不止?

"我有一个梦想:某一天三大运营商员工不摆摊了,不打架了,员工年收入差距缩小了,前端营业员待遇提高了,后端装维与资源矛盾化解了,服务质量提高了,恶性竞争消除了,重复建设     

临界连续模式功率因数校正器的高频数字控制研究

本文提出了一种无需检测电感电流及其过零点的简单数字控制方案，实现了临界连续模式功率因数校正器的控制。取得了功率开关管的ZVZCS，消除了整流二极管和快恢复二极管的反向恢复带来的损耗，提高了变换器的效率和可靠性；另外，数字控制器克服了模拟IC控制器的开关频率限制问题，消除了输入电流的低频畸变，提高了功率因数；同时，也降低了输入电感的值，降低了成本的同时提高了功率密度。为实现中小功率数字控制功率因数校正器的产品化提供了一个良好的解决方案。     

一种采用电容共用技术的DC-DC开关电源软启动电路

开关电源DC-DC转换器已经在各种电子设备中取得了广泛的应用。软启动电路保证了DC-DC转换器的正常启动,防止了器件的损坏。从理论上分析了软启动电路原理,设计了一种新型的开关电源软启动电路,该电路引入了电容共用方法,通过与频率补偿电容共用节省了软启动电容,降低了应用成本。并给出了具体电路实现,Spectre仿真结果验证了这种电路的可行性。     

干扰电子通信的要素以及应对策略的探讨

在当今的社会中,人们已经离不开电子通信了,其作为了一个新兴产业,并得到了良好的应用,对各行各业起到了促进作用,同时,传统的产业收到了冲击。我国的电子通信发展较快,达到了先进的水平,不过,由于发展时间较短,存在很多不足之处,拉低了整体水平。特别是干扰问题,严重影响了电子通信的发展。本文对电子通信进行了概述,探讨了干扰要素,并且,提出了相关的应对策略。     

校园供水系统运行数据研究模型

本文研究了供水系统运行状态实时模拟模型,首先对数据进行了预处理,然后运用多元线性回归,给出了准则判断了数据优势;建立了供水系统与用水量之间的数学模型,并给出了误差分析,探讨了供水量和用水量对模型的影响。     

探究高功率密度数据中心制冷解决方案

提出了一种紧靠热源制冷的IDC机房制冷解决方案。首先阐述了数据中心传统制冷解决方案,分析了其局限性,然后提出了冷源机柜的概念,分析了其原理及可行性,并进行了实际测试,最后进行了总结与展望。     

软件过程管理分析

CMMI利用了两个或多个单一学科的模型实现了组织的集成化过程改进,提炼了公共过程域,缩减了过程域的总数量,提高了软件开发质量和生产效率,推动了软件产业的发展。对CMMI的重要内容做了相应解释,并阐述了在应用CMMI中的经验和感想。     

Influence of the external component on the damage of the bipolar transistor induced by the electromagnetic pulse

A study on the influence of the external resistor and the external voltage source during the injection of the electromagnetic pulse(EMP) into the bipolar transistor(BJT) is carried out.Research shows that the increase of the external resistor R_b at base makes the burnout time of the device decrease slightly,the increase of the external voltage source V_(be) at base can aid the damage of the device when the magnitude of the injecting voltage is relatively low and has little influence when the magnitude i...     

多光子Tavis-Cummings模型中运动原子与二项式光场相互作用的量子纠缠

利用全量子理论,研究了多光子Tavis-Cummings模型中运动原子与二项式光场相互作用系统的量子纠缠特性,讨论了不同初始状态下的二项式光场系数和原子运动速度对纠缠特性的影响.结果表明：二项式光场系数不影响场熵演化的周期性,但影响场熵峰值大小.随着原子跃迁光子数的增多,场熵演化的周期性和消纠缠现象逐渐消失.原子运动的速度影响场熵的演化周期,且影响场熵峰值的大小,而原子跃迁光子数的增大,会消弱原子运动速度对场熵演化的影响.当光场处于中间态,原子运动速度较低,且原子跃迁光子数较大时,光场与原子可以长久地处于量子纠缠态.     

小于两倍槽宽槽孔导向孔添加方式探讨

对0．7mm×1．2mm槽孔分别添加0．4mm、0．55mm导向孔,并分别添加在槽孔中心,距槽孔边1mil及与槽孔边相切,得出添加0．55mm导向孔并其与槽孔边相切时,槽孔孔形最为优良,并且在添加0．55mm导向孔时,其不同添加位置对槽长影响最为显著。     

单脉冲寻向天线和目标的一体化仿真及测角误差分析

本文通过矩量法及其高效数值方法（MLFMA）对近距离目标--单脉冲收发天线的电磁互作用进行一体化数值仿真,定量研究了单脉冲天线的近场角度测量特性.在该近场模型中,目标散射近场的幅、相分布和同轴探针激励的喇叭单脉冲天线的辐射场（对应远场和波束）、接收端响应（对应远场差波束）均采用全波数值模拟获得.首先,计算单脉冲天线的辐射场并将其作为对目标照射的激励条件;接着,计算目标散射近场的空间分布;并计算出单脉冲天线所接收到的目标散射场;最后,使用幅值法和相位法计算出单脉冲天线近场测角角度,并在此基础上对近距离测角误差进行研究.在导弹目标算例中,将天线--目标一体化建模和天线口径面上散射近场的幅、相分布计算结果用于近距离条件下单脉冲天线测角误差的研究,并通过频率、距离的变化对测角精度做了对比分析;发现目标近场散射幅、相分布的非均匀性,是导致单脉冲天线近距离角度测量产生较显著的测角误差的主要原因;而频率较低时,测角误差较小.文中给出了物理解释,并提出近距离测向时借助于较低频信号的校正以降低测角误差的建议.     

基于ANSYS的TO-220封装功率器件热特性校准及优化设计

针对TO-220封装的功率器件,利用ANSYS软件对其进行三维建模及模型校准,校准过程研究了有无PCB板、热源厚度及有无引线对模型准确性的影响。进而基于校准后模型,研究了粘结层面积、芯片相对于基板位置以及基板面积与散热效果的关系。分析结果表明,焊料层面积大小对散热基本没影响,芯片在粘片工艺中应尽量把芯片放置在中间往下方位置,而基板面积越大,芯片散热效果越好。     

基于光波分复用的超长距离光缆随路状态监测

在光缆随路状态监测过程中,为避免因光信号波 长分离难度大而影响状态监测的准确 性,本研究在现场监测站采集光信号的基础上,利用光波分复用过程实现对不同波长光信号 的分离处理。根据分离结果,通过OTDR测试获得监测点到光缆故障点之间的距离,再结合小 波变换过程确定最大故障衰减信息。基于此,利用BP算法实现对超长距离光缆随路中存在的 故障点的定位,实现对光缆随路状态的监测。实验结果表明:该方法的监测过程耗时始终保 持在4min之内,且故障定位准确度在80%左右,证明该方法监测过程 耗时短、效率高,且对故障点的定位准确度较高,大大提升了状态监测结果的准确性。     

无驱动硅微机械陀螺

报道了无驱动结构硅微机械陀螺,推导了输出电压方程。从方程表达式可看出,该陀螺输出信号包含旋转载体的偏航和俯仰角速度及自旋角速度的信息。通过实验说明如何在输出信号中提取相关信息,即输出信号的频率表示载体自旋角速度的平均值,输出信号的包络表示载体偏航和俯仰角速度大小的瞬时值,输出信号的极性由输出波形的相位超前和滞后确定。最后给出该陀螺目前所达到的主要性能指标。     

铜带缠绕型焊柱装联结构的板级热-机械可靠性研究

陶瓷基板与印制电路板之间的热膨胀系数差异较大导致的热失配,和大尺寸、高质量带来的抗振动性能下降,是这类器件板级装联失效的主要原因。针对铜带缠绕型焊柱CCGA板级装联结构在温度循环和随机振动载荷下焊点的失效模式和失效机理进行研究。结果表明,最大应力应变点出现在铜带与焊柱接触界面铜带边缘处,裂纹沿铜带缠绕方向的焊柱横截面向内扩展最终导致开裂。由于铜带和焊柱材料弹性模量性能差异较大,铜带与柱芯接触界面存在应力突变现象,器件长期使用过程中会出现焊柱与铜带剥离进而导致互连失效。铜带材质的选择、铜带与柱芯缠绕质量是影响铜带缠绕型焊柱高可靠应用的关键,铜带与焊柱间良好的冶金互连、铜带间隙充分的焊料填充是有效提高铜带缠绕型焊柱的抗热/机械性能的主要途径。     

Analysis of impurity concentration distributions in pulled semiconductor crystals

InSb and GaSb single crystals were grown by the Czochralski method. The impurity concentration distribution in the melt and crystal was investigated experimentally and computationally as a function of the interface segregation coefficient, the shape of the solid-liquid interface and the growth rate. It was found that the impurity concentration distribution in the melt was largely influenced by the interface segregation coefficient; the impurity concentration in the crystal increased as the shape of the solid-liquid interface became more planar and also as the growth rate increased; the impurity concentration was more markedly influenced by the growth rate than by the shape of the solid-liquid interface. When the growth rate was large, the impurity concentration increased and the shape of the solid-liquid interface was concave toward the melt near the crystal periphery. When the growth rate was small, the impurity concentration decreased and the shape of the solid-liquid interface was convex toward the melt.     

放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗

使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最低层的pn结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏蔽电感到衬底电场,水平和垂直pn结耗尽层厚度随着pn结反向偏压升高改变衬底有效的高阻区厚度,电感品质因数跟随高阻区厚度升降,有效地证明了pn结衬底隔离可以降低电感的衬底电流造成的损耗.