添加Ta2O5对NiCuZn铁氧体显微结构及磁性能的影响

采用固相反应法制备添加Ta₂O₅的NiCuZn铁氧体, 研究了不同Ta₂O₅含量对NiCuZn铁氧体显微结构, 静磁性能和高频损耗的影响。结果表明: Ta₂O₅具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用, 可降低材料的烧结密度。随着Ta₂O₅含量的增加, 样品的饱和磁感应强度和起始磁导率单调减小, 矫顽力则逐渐增大, 截止频率逐渐升高, 而高频损耗呈先降低后增加的趋势, 其主导因素由剩余损耗逐渐过渡到磁滞损耗。当Ta₂O₅含量为0.12wt%时, 样品在3 MHz、10 mT、100℃下总损耗最小, 为139 mW/cm³, 其中磁滞损耗和剩余损耗分别为93 mW/cm³和46 mW/cm³。     

低温烧结NiCuZn铁氧体的微结构和磁性能研究

采用固相法制备了Ni0.2Cu0.2Zn0.6Fe2O4铁氧体,在850℃进行预烧结,通过添加不同量的Bi2O3-HBO3-ZnO(BBZ)助熔剂,在不同温度烧结成型。研究了烧结温度和BBZ添加量对NiCuZn铁氧体材料微观结构和磁性能的影响。通过XRD、SEM、VSM和磁谱分析,结果表明,BBZ的加入起到了良好的低温烧结作用,在不同的烧结温度下性能呈现一定的规律。加入2%(质量分数)BBZ、950℃烧结的NiCuZn铁氧体晶粒生长较均匀,饱和磁化强度为51.9emu/g,起始磁导率μ′=349.9,磁谱损耗角正切值tanδ在0.02左右。     

化学共沉淀法制备NiCuZn铁氧体微粉及其磁性能

采用预烧氧化法(化学共沉淀法制备的前驱体在高温下预烧)制备了NiCuZn铁氧体微粉。结果表明,预烧氧化法制备的NiCuZn铁氧体微粉平均晶粒尺寸约为44.1nm。随着预烧温度升高,样品D50增大。当预烧温度为850℃时,平均颗粒尺寸为2μm左右,比饱和磁化强度为62A.m2/kg,起始磁导率约为90,损耗也较小,截止频率为59MHz。     

用于NFC中NiCuZn铁氧体磁片的研究方法和发展动态

阐述了高磁导率、低损耗NiCuZn铁氧体磁片在近距离无线通讯技术(NFC)中的应用,氧化物烧结法制备铁氧体的工艺步骤。详细介绍了主成分配方和微量添加剂的选取以及对该类NiCuZn铁氧体的影响,并介绍了NiCuZn铁氧体磁片的国内外发展动态,指出了NiCuZn铁氧体磁片研究中的不足。     

多层片式电感器用NiCuZn铁氧体的低温烧结

本文利用Bi₂O₃作为烧结促进剂实现了NiCuZn铁氧体在900℃以下烧结．利用TG、DTA、DDTA等分析手段研究Bi₂O₃的低温烧结机理,并确定最佳烧结温度范围在840～900℃之间．X－ray分析结果表明：加入Bi₂O₃后生成另相化合物Bi₃₆Fe₂O₅₇烧结后期少量Fe的固溶有助于稳定高温γ－Bi₂O₃相的立方结构,避免了冷却过程中的晶型转变．Bi36Fe₂O₅₇另相的存在能有效地阻止晶粒长大,从而达到改性的目的．     

固相-熔盐法合成La掺杂NiCuZn铁氧体及其磁性研究

以NaCl作为熔盐体系通过固相-熔盐法制备出了掺杂La的NiCuZn铁氧体Ni0.17Cu0.2Zn0.62La2x-Fe2.02-2xO4.02超细粉末.利用XRD、SEM和VSM等手段对样品进行了表征,讨论了La掺杂对NiCuZn铁氧体形态、性能的影响.结果表明,只有在La掺杂量为X≤0.02的范围内,才能得到单相尖晶石结构铁氧体;当X>0.02后,就会出现有La2O3的杂相产生.通过磁性研究表明适量的La掺杂可以降低NiCuZn铁氧体的居里温度.从室温和低温下的磁滞回线发现,样品低温下的比饱和磁化强度σs和矫顽力均比室温下的大.     

高阻高Bs NiCuZn铁氧体材料的制备

为保证差模干扰抑制器的温度稳定性以及在35mA大直流偏置下器件具有较高的偏置电感量和阻抗值,要制备出高阻高Bs的NiCuZn铁氧体材料。为此通过改变主成分配方中ZnO及Fe2O3的百分含量,掺入适量Co2O3,制备出起始磁导率μi为770,饱和磁感应强度Bs为388mT,居里温度Tc≥190℃,电阻率≥1×108Ω·㎝的NiCuZn铁氧体材料。     

多层片式电感器用 NiCuZn铁氧体的低温烧结

本文利用Bi     

MoO3掺杂对高磁导率NiCuZn铁氧体性能的影响

为获得具有高磁导率、高居里温度的NiCuZn铁氧体材料,研究了MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体微观结构及电磁性能的影响.少量MoO3掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高,而居里温度仅有较小幅值的下降.但掺杂过量时,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加.在配方(Ni0.28Cu0.1Zn0.62)Fe2.04O4中,当MoO3掺杂为0.12wt%时,可获得起始磁导率为2650,而居里温度高达到105℃的铁氧体材料.     

掺杂对高导MnZn铁氧体微结构和性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了高磁导率MnZn铁氧体材料。从分析材料微观结构入手,研究了P2O5和Nb2O5的掺入,组以适配的工艺条件和不同的比例掺入,来研究对高磁导率MnZn铁氧体材料性能的影响。少量P2O5掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高。但若掺杂过量,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加。在配方为Zn0.15Mn0.78Fe2.07O4的材料中,当P2O5掺杂量为0.16%(wt)时,起始磁导率可达10697。Nb2O5的添加起到细化晶粒的作用,可以改善材料的频率特性,降低材料损耗,磁导率稍有降低,但当Nb2O5的质量分数>0.005%时,会显著降低材料的起始磁导率。     

低损耗Mn-Zn铁氧体电磁参数与烧结温度的关系研究

本文研究了在不同烧结温度下 ,低损耗Mn Zn铁氧体材料的功耗、起始磁导率、饱和磁通密度、居里温度、电阻率、Zn挥发情况及微观结构等因素的变化 ,结果表明 :随着烧结温度的升高 ,功耗先下降 ,后上升 ;样品的烧结密度、起始磁导率都升高 ;Zn的挥发严重 :饱和磁通密度和居里温度基本上没有什么变化 ;晶粒的微观结构也受烧结温度的直接影响。由此说明烧结温度是决定Mn Zn铁氧体材料性能的关键因素之一     

低B2O3掺杂Bi—CVG铁氧体的结构与性能

采用传统固相反应法制备了Y1.05Bi0.75Ca1.2Fe4.4-xV0.6BxO12（Bx：Bi—CVG）系列铁氧体试样。借助XRD、SEM及MATS等技术手段研究了烧结助剂B20,对Bi—CVG铁氧体的体积密度、相组成、微观结构及磁性能的影响。研究结果表明,掺B可以有效降低Bi—CVG铁氧体的烧成温度,提高材料的烧结密度并且影响其微观结构和磁性能。在1040℃×6h条件下烧结、B掺杂量为x=0．025时,制备出综合性能良好的Bi—CVG铁氧体材料：室温时D=5．11g／cm^3,DR.T=97．2％,Bs=37．30mT,Br=25．54mT,Hc=0．87kA／m。     

低温共烧NiCuZn系流延带制备及其性能研究

研究了NiCuZn系LTCF流延生磁带多种分散剂(蓖麻油、磷酸二丁酯、三乙醇胺)、固含量对流延浆料粘度以及生磁带微观结构的影响。结果表明,以蓖麻油为分散剂,当分散剂含量为2%、浆料固含量为62%时,制备的浆料分散性、流动性良好。885℃烧成生磁带的电磁性能优良,初始磁导率为343,功率损耗为272.6kW/m3,电阻率为4.8×1010Ω.cm,满足叠成片式功率电感用铁氧体材料的应用要求。     

高频MnZn功率铁氧体烧结工艺研究

按照氧化物陶瓷工艺对高频MnZn功率铁氧体烧结工艺条件进行了研究。烧结温度越高，晶粒越大，晶界越薄，电阻率越低，磁芯损耗越大，起始磁导率和烧结密度分别在1240℃和1230℃达到最大值。延长保温时间，可以使晶粒充分生长，晶界变薄，电阻率减小，损耗增大。保温3h后，起始磁导率和烧结密度均可达到最大值。氧分压越低，材料起始磁导率越高，电阻率越小，损耗越大，但氧分压低于5％后烧结密度不再继续增加。     

高Mn含量对NiZnCu铁氧体性能的影响

研究了在（Ｎｉ_０.2Ｃｕ_{0 .2}Ｚｎ_{0 .６}）_１．０３（Ｆｅ₂Ｏ_３)_{0 ．９７}＋０．９７ｘＭnO₂(ｘ=０．１～０．５)中,随Ｍｎ含量的变化,磁性能的改变及与微观结构的关系．适量的Ｍｎ掺杂可以提高室温下铁氧体的起始磁导率,而Ｍｎ含量继续增加会促使第二相形成,使磁导率温度系数变大,出现类似铁电体的弛豫现象．     

蜂窝式脱硝催化剂在燃煤电厂中的应用研究

针对目前国内外电站选用以V2O5为活性物质的SCR脱硝催化剂情况,进一步比较了蜂窝式、板式和波纹板式催化剂各自的特点,对蜂窝式脱硝催化剂的特性及时引起其变化的反应温度、烟气流速、氨的加入量和氨氮比以及飞灰的含量等影响因素进行了分析和讨论,并对蜂窝式脱硝催化剂的应用和在使用过程中出现的问题进行了阐述,为今后蜂窝式脱硝催化剂在燃煤电厂的应用提供了理论基础.     

MnCoNiCuVO系NTC热敏半导体陶瓷显微结构与电性能研究

本文研究了MnCoNiCuO与MnCoNiO系NTC热敏陶瓷在烧结特性以及在电性能方面的差别;探索了V2O5对MnCoNiCuO系NTC热敏陶瓷显微结构以及电性能的影响.实验结果表明:MnCoNiCuO系半导体陶瓷材料有较低的烧结温度,同时热敏陶瓷的电阻率和材料常数B值显著下降.在MnCoNiCuO中添加V2O5可以明显改善陶瓷的显微结构,提高陶瓷的材料常数(B).MnCoNiCuVO体系有望成为具有较低烧结温度,同时具有合理电性能的NTC热敏电阻基础材料.