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概述了Motorola的埋入PTF电阻、CFP电容和螺旋电感等无源集成的高密度印制板和埋入无源集成技术。 相似文献
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在微波电路集成中,为了满足电路小型化的需求,通常使用埋入式电感等集成无源元件。但电感模型比较复杂,寄生参数较多,在版图设计当中难以一次性建立精准的模型。针对此问题,文中以埋入式集总参数功分器为例,基于ADS仿真软件,在添加可调的理想电感、电容后对功分器进行场路联合优化设计仿真。以功分器设计指标作为优化目标进行优化计算,得出可调的理想电感、电容值,再不断修改版图并循环优化。结果表明,可调的理想电感、电容数值逼近0,3次优化后工作频段9.5~9.9 GHz内的回波损耗S11低于-22 dB,满足-20 dB以下的性能指标,说明功分器的版图符合设计要求。 相似文献
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意法半导体(ST)近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Perovskites”的物质为基础,该类物质是一种化合物,主要元素是铅、锆、钛及氧,根据锆和钛的比例,该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900, 相似文献
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意法半导体近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Ptrovskites”的物质为基础,该类物质是一种化合物,主要元素是铅、锆、钛及氧,根据锆和钛的比例,该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900,这个数值是二氧化硅的200倍。这项PZT新技术大幅度扩展了ST的IPAD(集成无源及有源器件技术)的功能,实现集成电容密度高于30nF/mm2,比现有的采用硅或钽的氧化物或氮化物的竞争技术提高电容密度50倍。采用该项新技术的器件适合采用大批量流水线生产。对于需要大量的无源元… 相似文献
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本文介绍了薄膜集成无源元件技术发展现状,重点介绍了硅基板、刚性基板和柔性基板上的薄膜集成无源元件技术的研制方法,材料和工艺的选择和优化。分析了这些薄膜集成无源元件技术各自的优点。 相似文献
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《混合微电子技术》2004,15(4):17-31
低噪声放大器(LNA)的噪声指数是由电感器的品质因数Q决定的。由于S中高Q电感器的缺乏,在例如GSM和W-CDMA等高灵敏度应用中,完全集成的CMOS LNA的发展已受到很大限制。目前,高Q电感器设计(埋置于低成本的IC封装中)的发展使得射频(RF)前端的单管封装集成成为可能。这些埋置无源元件提供了一个使分立元件或芯片上的低Q无源元件灵活变化、以达到完全集成的方法。与芯片上的低Q电感器和具有固定Qs的分立元件比较而言,这些埋置无源元件的使用同样会引起无源Q作为一个新的变量在电路设计中的应用。然而,高Q同样会引起新的调整,特别是在器件尺寸方面。本文为使用埋置无源元件来设计完全集成的CMOS LNA提供了新的优化战略。为较高Q值所做的电感器尺寸调整已经能够适应LNA的设计方案。文章还介绍了在封装基板中多个埋置元件应用的设计,特别涉及到了无源元件和基准接地布线之间的相互耦合。 相似文献
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集成无源元件(IPD)的产品在1980年代后期开始面市,早期的封装采用双列直插的通孔式结构,如DIP、SOIC塑料封装,1990年代后期推出尺寸更小的表贴封装,如SOP、SOT等产品。 相似文献
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JosephM.Adam 《电子设计应用》2005,(8):18-18,20,22,24,33
为了满足对于高度集成的无线电半导体解决方案日益增长的需求,蜂窝电话的技术创新正在沿着两个不同的方向发展。其一是在芯片级和封装级的功能集成,其二是完整的半导体系统解决方案。后者将所有必须的芯片、模块和软件捆绑到一个全面的解决方案中,从而简化了设计步骤.加快了产品进入市场的时间。 相似文献
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本文介绍了带有埋置式集成薄膜无源元件MCM的研究现状,其包括MCM集成无源元件的研制方法,材料和工艺的选择和优化及MCM制造工艺等一整套问题,分析了集成薄膜无源元件MCM的优缺点及其发展趋势。 相似文献
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嵌入式无源元件技术的开发源于OEM制造商对减少元件数量、压缩电路板尺寸、增加电路板功能、降低产品总体成本的需求。在电子设备中,无源元件在元件总量中占了相当的比例,其中又以电阻和电容为主。过去,一部典型的GSM手机中含有500多个无源元件,占了电路板面积的一半,并有25%的焊点与此有关。本文描述的EP技术其着重点在于对非关键电阻、电容器和电感进行识别并尽可能多地将它们嵌入HDI—PCB中。 相似文献
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