采用微接触印刷方法集成高分辨率无源元件

随着电子电路中无源元件数量和增加，为优化电路板空间的利用，新的制造无源元件的方法正在研究之中。本文介绍TPL公司采用微接触印刷(μCP)工艺制作特征尺寸范围从100微米到亚微米规模的近似网络结构的工作能力。像厚膜工艺一样，这种新工艺与多种基体材料相容，能获得大范围的材料特性。但与厚膜不同的是，这种新工艺使用能制作出高性能分辨率图形的无粉末浆料。预计该工艺将能以厚膜的成本集成具有薄膜性能的无源元件。本文重点介绍工艺条件和材料特性，以证明用该工艺制作无源器件的可行性。     

埋入无源元件集成的高密度印制板

概述了Motorola的埋入PTF电阻、CFP电容和螺旋电感等无源集成的高密度印制板和埋入无源集成技术。     

埋入式集成无源元件优化设计研究

在微波电路集成中,为了满足电路小型化的需求,通常使用埋入式电感等集成无源元件。但电感模型比较复杂,寄生参数较多,在版图设计当中难以一次性建立精准的模型。针对此问题,文中以埋入式集总参数功分器为例,基于ADS仿真软件,在添加可调的理想电感、电容后对功分器进行场路联合优化设计仿真。以功分器设计指标作为优化目标进行优化计算,得出可调的理想电感、电容值,再不断修改版图并循环优化。结果表明,可调的理想电感、电容数值逼近0,3次优化后工作频段9.5～9.9 GHz内的回波损耗S11低于-22 dB,满足-20 dB以下的性能指标,说明功分器的版图符合设计要求。     

无源元件集成技术取得新突破

意法半导体（ST）近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Perovskites”的物质为基础，该类物质是一种化合物，主要元素是铅、锆、钛及氧，根据锆和钛的比例，该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900，     

无源元件集成技术取得新突破

意法半导体近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Ptrovskites”的物质为基础,该类物质是一种化合物,主要元素是铅、锆、钛及氧,根据锆和钛的比例,该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900,这个数值是二氧化硅的200倍。这项PZT新技术大幅度扩展了ST的IPAD(集成无源及有源器件技术)的功能,实现集成电容密度高于30nF/mm2,比现有的采用硅或钽的氧化物或氮化物的竞争技术提高电容密度50倍。采用该项新技术的器件适合采用大批量流水线生产。对于需要大量的无源元…     

薄膜集成无源元件技术发展现状

本文介绍了薄膜集成无源元件技术发展现状，重点介绍了硅基板、刚性基板和柔性基板上的薄膜集成无源元件技术的研制方法，材料和工艺的选择和优化。分析了这些薄膜集成无源元件技术各自的优点。     

采用喷墨技术制造埋入无源元件

由NIST/NCMS发起的研究表明,像电阻、电容和电感可以采用喷墨打印成所需求模式新工艺来制成。     

使用在有机基板中埋置无源元件的方法设计集成低噪声放大器

低噪声放大器(LNA)的噪声指数是由电感器的品质因数Q决定的。由于S中高Q电感器的缺乏，在例如GSM和W-CDMA等高灵敏度应用中，完全集成的CMOS LNA的发展已受到很大限制。目前，高Q电感器设计(埋置于低成本的IC封装中)的发展使得射频(RF)前端的单管封装集成成为可能。这些埋置无源元件提供了一个使分立元件或芯片上的低Q无源元件灵活变化、以达到完全集成的方法。与芯片上的低Q电感器和具有固定Qs的分立元件比较而言，这些埋置无源元件的使用同样会引起无源Q作为一个新的变量在电路设计中的应用。然而，高Q同样会引起新的调整，特别是在器件尺寸方面。本文为使用埋置无源元件来设计完全集成的CMOS LNA提供了新的优化战略。为较高Q值所做的电感器尺寸调整已经能够适应LNA的设计方案。文章还介绍了在封装基板中多个埋置元件应用的设计，特别涉及到了无源元件和基准接地布线之间的相互耦合。     

集成无源元件技术和产品的最新动向

集成无源元件(IPD)的产品在1980年代后期开始面市，早期的封装采用双列直插的通孔式结构，如DIP、SOIC塑料封装，1990年代后期推出尺寸更小的表贴封装，如SOP、SOT等产品。     

实现平滑阻抗匹配的集成RC无源元件

当今的快上升时间信号线路都需要适当的阻抗匹配将反射减至最小程度。做到这一点的常用方法,就是在线路中串接一只电阻,但这会增加耗电和费用,因为该电阻会吸收连续的直流电流。你若采用AVX/Kyocera公司生产的|Z|芯片,就会实现该电阻     

下一代手机设计的集成技术

为了满足对于高度集成的无线电半导体解决方案日益增长的需求，蜂窝电话的技术创新正在沿着两个不同的方向发展。其一是在芯片级和封装级的功能集成，其二是完整的半导体系统解决方案。后者将所有必须的芯片、模块和软件捆绑到一个全面的解决方案中，从而简化了设计步骤．加快了产品进入市场的时间。     

高通推出高度集成芯片组CDMA手机开始瘦身计划

日前 ,高通推出 MSM610 0高度集成芯片组和系统软件。据称 ,此款集成了立体声音频、手机内置相机、录像机 /播放器、三维游戏 ,以及位置跟踪等配置的芯片组 ,将减小手机体积 ,降低成本。目前 ,大多 CDMA手机中采用的是多块不同功能的芯片 ,高通认为这款被他们称作“业界功能最全的单芯片解决方案”,体现了厂商低成本设计开发多媒体设备的理念。同时 ,能够有望改善CDMA手机在消费者心目中“机型单一 ,价位过高”的形象高通推出高度集成芯片组CDMA手机开始瘦身计划     

集成无源元件在无线系统中的应用及工艺

对在现代无线通讯系统中应用的无源元件集成化的主要解决方案进行了介绍与分析,并对比了半导体薄膜集成技术与厚膜集成技术的主要优缺点,以研发的一种薄膜集成RCD低通滤波芯片为例,介绍了薄膜集成无源元件的设计方法和主要工艺流程.     

集成埋置式薄膜无源元件MCM的研究现状

本文介绍了带有埋置式集成薄膜无源元件MCM的研究现状,其包括MCM集成无源元件的研制方法,材料和工艺的选择和优化及MCM制造工艺等一整套问题,分析了集成薄膜无源元件MCM的优缺点及其发展趋势。     

在RF电路中嵌入无源元件

嵌入式无源元件技术的开发源于OEM制造商对减少元件数量、压缩电路板尺寸、增加电路板功能、降低产品总体成本的需求。在电子设备中,无源元件在元件总量中占了相当的比例,其中又以电阻和电容为主。过去,一部典型的GSM手机中含有500多个无源元件,占了电路板面积的一半,并有25％的焊点与此有关。本文描述的EP技术其着重点在于对非关键电阻、电容器和电感进行识别并尽可能多地将它们嵌入HDI—PCB中。     

激光修整埋入无源元件的最佳设计

当设计具有埋入无源元件的PCB时,必须仔细考虑影响修整生产率和准确性的因素,而采用激光修整是最佳的。     

有机基板中埋入无源元件概述

介绍了埋入无源元件在减小基板面积和提高基板高频特性的优点,总结了目前正在应用和研究的埋入电阻和埋入电容技术的实现方法.并提出基于埋入平面薄膜电阻和埋入薄芯介质材料形成平面电容技术的混合埋入技术将成为未来埋入无源元件PCB的主流技术.最后阐述了埋入无源元件技术在产业化过程中遇到的困难.