电力电子市场预测

新型电力半导体器件-绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种集高频率、高电压、大电流于一身的新一代理想的电力半导体器件，是电力电子技术的第三次革命的代表产品，填补国内电力电子空白的产品。     

电力电子器件知识讲座(一) 电力电子器件的分类及应用概述

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件技术"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

新型功率MOS器件的结构与性能特点

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,分析比较了近十年来10种实用的具有新结构的功率MOS器件的结构与性能特点。     

新型电力电子器件IGCT及其应用

IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型大功率电力电子器件。和GTO相比，IGCT的关断时间降低了30％，功耗降低40％。IGCT不需要吸收电路，可以像晶闸管一样导通，像IGBT一样关断，并且具有最低的功率损耗。IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断。由于IGCT设计理想，使得IGCT的开通损耗可以忽略不计，再加上它的低导通损耗，使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行。     

碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望

就目前来看,我国的科学技术得到快速发展。在这一背景下,半导体的器件在制作以及生产的工艺上都得到一定的发展。而碳化硅属于宽带材料的一种,其主要的特点是高热导率、高饱和电子漂移速率以及高击穿场强等。通过这种新型的半导体,可以实现大功率、高压以及高温应用。另外,由于碳化硅成本的大幅度降低,且其性能得到提升,使得碳化硅在电力系统中得到普遍使用。本文将对电子系统中碳化硅电力电子器件的应用进行了深入的分析以及探讨。     

SiC新一代电力电子器件的进展

以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望。SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高和高温性能好的特点。SiC电力电子器件将成为兆瓦电子学和绿色能源发展的重要基础之一。综述了SiC新一代电力电子器件的发展历程、现状、关键技术突破和应用研究。所评估的器件包含SiC SBD、SiC pin二极管、SiC JBS二极管、SiC MOFET、SiC IGBT、SiC GTO晶闸管、SiC JFET和SiC BJT。器件的评估重点是外延材料的结构、器件结构优化、器件性能、可靠性和应用特点。最后总结了新世纪以来SiC新一代电力电子器件的技术进步的亮点并展望了其技术未来发展的趋势。     

功率MOS器件的结构与性能

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,本文分析比较了近十年来十种实用的具有新型的功率MOS器件的结构与性能特点,包括：NPT－IGBT、PT－IGBT、SDB－IGBT、Trench MOSFET、Trench IGBT、Cool MOSFET、BiMOSFET、HV－IGBT、HS－IGBT、RB－IGBT。     

高压IGBT制造技术的最新动向

阐述了当前２．５－４．５ＫＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。     

新一代电力电子器件——IGBT

电力电子器件既是电力电子技术的基础，也是电力电子技术发展的强大动力，电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的，ＩＧＢＴ是在功率ＭＯＳＦＥＴ工艺基础上发展起来的产物，它是兼有ＭＯＳＦＥＴ的高输入阻抗，高于关速度和ＧＴＲ大电流密度特性优点的混合器件，在大，中功率应用场合已经逐步取代传统的ＧＴＲ，ＧＴＯ器件，它和ＭＯＳＦＥＴ，ＭＣＴ一起，成为现代电力电子技术中最具有活力的功率开关器件，本     

电力电子器件

电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上）电子器件。又称功率电子器件。     

高压IGBT制造技术的最新动向

阐述了当前２．５～４．５ｋＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。     

双极-MOS功率半导体器件概述

本文描述双极-MOS(BiMOS)功率半导体器件的基本结构和特性。重点介绍新型电力电子器件IGBT和MCT。并对双极晶体管、VDMOS和IGBT的性能进行了比较。     

碳化硅电力电子器件及其应用的研发新进展

综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。     

电力电子器件发展概况及应用现状

回顾了电力电子器件的发展历程,对各种电力电子器件的原理、特性以及在电力电子装置中的应用进行了比较分析,最后对电力电子器件的发展前景进行了展望。     

面向开关过程的大功率电力电子器件建模

传统的大功率电力电子装置仿真中,通常将电力电子装置的开关动态过程视为理想过程,不能如实反映工作过程中的电压电流尖峰脉冲对系统的影响,针对该问题文章提出了一种面向开关过程的大功率电力电子器件建模方法,运用插值建模的方法,对大功率电力电子器件进行兼顾全面性和细致性的仿真,正确反映开关动态过程中大功率电力电子器件过程中的电压电流尖峰现象,从而获得较高的仿真精度。     

新一代电力电子器件——IGBT

电力电子器件既是电力电子技术的基础,也是电力电子技术发展的强大动力,电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的。IGBT是在功率MOSFET工艺基础上发展起来的产物,它是兼有MOSFET的高输入阻抗、高开关速度和GTR大电流密度特性优点的混合器件,在大、中功率应用场合已经逐步取代传统的GTR、GTO器件,它和MOSFET、MCT一起,成为现代电力电子技术中最具活力的功率开关器件。本文着重介绍IGBT——绝缘栅双极晶体管的基本构造及导电机理,并从它的基本构造出发了解IGBT的锁定问题,同时探讨IGBT在使用中的某些问题,最后简要地介绍一下功率集成电路PIC。