微波低噪声放大器

关于微波低噪声放大器,本文以使晶体管放大器的低噪声化的设计方法为中心,介绍各种低功率放大器及功率放大器的现状。微波低噪声放大器的现状图1就目前的各种微波放大器表示了它们的噪声系数及频率特性。双极晶体管放大器、隧道二极管放大器和参量放大器等是过去人们已热知的低电平工作的低噪声放大器,近几年来晶体管的性能惊人地提高,已出现了在4千兆赫下噪声系数3分贝左     

基于ADS的微波低噪声放大器的设计与仿真

低噪声放大器包括输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络.微波晶体管放大器是设计中的核心部分.根据低噪声放大器设计的原理,提出技术指标要求,设计一个5GHz单级低噪声放大器,经过技术指标分析,采用Fujitsu公司的FHX35LG型HEMT场效应管晶体管.阐述了如何利用Agilent公司的ADS软件进行分析和优化设...     

天馈线驻波对“微波低噪声晶放”噪声系数的影响

本文讨论了在用“无输入环流器微波低噪声晶体管放大器”作为微波接收机前端时,如何估计由于天馈驻波而引起的晶体管放大器噪声系数的恶化;并以一微波低噪声晶体管放大器为例,具体地进行了估计。最后,还探讨了在已知天馈线驻波情况下,如何尽量减小这种恶化的问题。     

小信号低噪声有源器件

当晶体管放大器变得可在指定频率范围内用时,它们正在迅速取代低噪声的行波管放大器和返波管放大器来作为与电子防御有关的应用方面的前置放大器。这就意味着在讨论今日低噪声微波放大器的技术时,在很大程度上势必要讨论砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)。但是也不能忽视其它低噪声放大器技术,例如,在大容量的地面站和其它需要低噪声的     

微波放大器

在以低噪声晶体管放大器为中心的微波低噪声放大器中,介绍了各种小功率和大功率放大器的现况。     

全球LNB市场大观(上)

卫星高频头(LNB,也称电视低噪声下变频器或卫星电视室外单元,台湾称低杂讯降频器)是卫星电视接收系统中不可获缺的器材,它由微波低噪声放大器、微波混频器、第一本振和第一中频前置放大器组成。LNB中的低噪声放大器一般是将波导同轴转换器与低噪声放大器合成一个部件,包含3～4级放大,前两级为低噪声放大器,采用高电子迁移率晶体管HEMT器件,后两级为高增益放大器,采用砷化镓场效应晶体管GaAsFET。     

低噪声S波段集成放大器

为了低噪声的应用,研制了一种具有亚微米发射极宽度的微波双极晶体管的新型结构。叙述了这种晶体管的噪声和增益性能,并与以前的低噪声晶体管进行了比较。这种晶体管用于单级和三级的集成S波段放大器时,其最小噪声系数分别为1.9分贝和3.0分贝。介绍了这些放大器的设计和性能。三级放大器是为工作于3.1～3.5千兆赫的S     

微波低噪声晶体管放大器

一、引言六十年代以来,由于半导体材料和器件制造工艺的发展,晶体管性能日益提高,由高频进入了微波频段;同时,也由于微波集成电路的出现,最近几年晶体管放大器在小型化和高频化方面有了很大的发展。目前,在微波频段的低噪声晶体管放大器,在主要资本主义国家的市场上有了大量的出售,性能达到相当高的水平,广泛地应用在各个领域。较早的晶体管放大器受器件高频性能的限制,只能作低频放大,用晶体管作微波放     

环行器对低噪声放大器性能的改善

基于网络S参数理论,分析了环行器对低噪声放大器性能的影响。设计了一种工作在4.3~5.1GHz的微波晶体管低噪声放大器和铁氧体带线Y结环行器,数值仿真对比了环行器接入前后低噪声放大器的驻波比、稳定性和增益平坦度性能。结果显示接入环行器可以改善放大器的输入匹配,增加稳定性和提高增益平坦度,是一种提高低噪声放大器性能的有效方法。     

砷化镓场效应晶体管的现状和将来

现在,微波晶体管,硅双极晶体管已开始广泛地用来做4千兆赫下低噪声和功率等各种放大器。由于晶体管放大器和其他结构的放大器相比,具有许多优良的性质,可望研制在更高频率下具有低噪声,高增益、高输出功率等特性的晶体管。然而,硅双极晶体管的特性目前已大致接近其极限,作为其代替者,GaAs肖特基势垒场效应晶体管(GaAsSBEET或GaAsMESFET)近年来引起人们极大的注意。自Mead(1966)提出了GaAsFET,Hooper(1967)等人确定了其作为微波晶体管的可能性,到Drangeid(1970)等人试制了最高振荡频率为30千兆赫的器件,这段时间为该器件作为微波晶体管的试制期。到1972年,Liecht等人成功地制     

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”达国内领先水平

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”达国内领先水平微波宽带低噪声高增益场效应晶体管放大器是雷达、通信和电子对抗等电子系统中关键的微波前端，有广泛的军用和民用价值。西安电子科技大学八系陈开周教授最近完成并通过鉴定的电科院军事电子预研基金项目...     

两种新的混合型微波放大器

最近,外刊上报导了两种新的混合型微波放大器,现将有关这方面的报导,加以综合介绍如下: 1.混合型场效应——双极晶体管放大器这种放大器兼有场效应晶体管低噪声和双极晶体管高增益的优点。通常放大器由几级构成,第一级用砷化镓微波场效应晶体管放大器,作为前置放大器,获得最低的噪声系数。而其余几级用双极晶体管放大器,在最佳的匹配条件下,获得足够高的增益。比如,由飞歌—福特公司设计的一个混合型放大器就是采用这种技术,其工作在3.7～4.2     

STS-LNP型微波晶体管前置放大器

介绍了ＳＴＳ－ＬＮＰ型微波晶体管前置放大器的电路结构与功能,详细阐述了该放大器在获得低噪声系数、低电压驻波比、平坦的增益特性、较好的工作稳定性等方面所采用的特殊方法。微波器件的选择以及微波电路的组装工艺措施,并对其工作原理和特性进行了说明。     

微波晶体管的进展

这里主要介绍三端的微波半导体器件。三端微波器件可分为双极晶体管和场效应晶体管两大类。在微波频率范围内,这两类器件都可用于微波低噪声放大和微波功率源。微波双极晶体管已有较长的发展史,早已得到普遍应用,但到目前为止,只能用于C波段以下,而场效应晶体管在C到Ku波段还保持良好的微波性能。从电路应用来说,一般用双极晶体管较为简单,在放大器中容易作到宽带匹配,而用场效     

4千兆赫1.5分贝低噪声砷化镓场效应晶体管

砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管期待作为几千兆赫以上具有优良性能的微波放大器件,一些单位都在积极开展研究。然而目前只有少数的硅双极晶体管在6千兆赫以上实现了比较优良的性能,已有几家市售产品,然而考虑到将来砷化镓场效应晶体管大有希望,可能取而代之。另外,使用砷化镓场效应晶体管的各种微波仪器的研究也极其活跃起来,预计不久将来,使用砷化镓场效应晶体管的 X 波段低噪声放大器将实用化,它必将取代过去所用的低噪声行波放大器(TWT)。     

将射频放大器噪声系数减至最小的基本技术与方法

低噪声微波晶体管通常要求具有最小的噪声系数及相应的增益(一般O.5～1.5分贝,小于晶体管的最大有效增益).这可通过调节放大器,牺牲一点噪声系数来获得最佳的性能.     

微波宽带低噪声放大器的设计研究

微波宽带放大器是电力对抗、遥测遥控和雷达等进行系统接收的关键部件,宽带网络设计作为微波宽带设计中的难点内容,需要充分运用负反馈和平衡电路的形式,来降低宽带低噪声的匹配难度,要想促进微波宽带低噪声放大器取得良好的应用效果,需要合理设置微波宽带低噪声放大器.本文对微波宽带低噪声放大器基本理论进行详细阐述,并提出了设计方法.     

晶体管放大器偏置电路的噪声计算

本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法。该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声，从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具。     

微波晶体管放大器的计算机辅助设计

本文系统叙述了按最大平坦增益、最佳噪声及最小M的设计要求,设计低噪声宽频带微波晶体管放大器的拓扑结构、数学模型及计算机辅助设计程序.     

一种新颖的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪声放大器

本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。