C60薄膜的制备

本文首先简要叙述了Ｃ＿（６０）分子的结构以及Ｃ＿（６０）固体的结构和物性，然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长Ｃ＿（６０）。薄膜的方法，以及不同的衬底上Ｃ＿（６０）薄膜的生长特性，最后提出了目前Ｃ＿（６０）薄膜生长研究中存在的几个问题。     

电子通道技术在YBa2Cu3O7外延超导薄膜研究中的应用

本研究采用电子通道技术（ＥＣＰ）对单晶和双晶外延生长的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测，并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量；还对ＹＢＣＯ／ＣｅＯ＿２／ＭｇＯ／ＳｒＴｉＯ３的双外延薄膜作研究。     

ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究

用ＩＣＢ外延技术在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣｄＴｅ单晶薄膜．Ｘ光衍射、电子背散射通道及ＲＨＥＥＤ都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面．外延取向关系为ＣｄＴｅ（１００）／ＮａＣｌ（１００）和ＣｄＴｅ（１１１）／Ｓｉ（１１１）．实验发现，生长温度小于２３０℃时，外延膜呈闪锌矿（立方）和钎锌矿（六方）的混合相结构．薄膜生长体现出团粒束淀积的规律，即随着团粒能量的增大，ＣｄＴｅ外延膜的结晶质量显著提高．在Ｓｉ衬底上，外延得到的最好的ＣｄＴｅ膜，其双晶衍射摆动曲线半高宽为１１弧分左右．     

C60作为石英衬底过渡层汽相生长金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法（ＭＷＰＣＶＤ），以Ｃ６０膜作为过渡层，在石英（ＳｉＯ２）衬底表面，首次在等离子体预处理中，无衬底负偏压条件下，生长出金刚石晶粒。通过扫描电镜（ＳＥＭ）观察到金刚石晶粒呈菜花状，生长表面为（１００）晶面。     

硅(001)衬底上生长的ZnO薄膜的AFM研究

对采用电子束反应蒸镀方法在低温下在硅（001）衬底上外延生长的ZnO薄膜的表面构像进行了原子力显微镜（AFM）观察，分析研究不同的衬底温度对薄膜表面形貌及结构特性的影响。在250℃衬底温度下获得的ZnO薄膜，膜表面平整，结构致密，表面平均不平整度小于3nm，说明在该衬底温度下获得的ZnO薄膜是高透明度、高质量、高度取向的单晶薄膜。     

C60与金属：界面相互作用和外延取向关系

本文介绍了Ｃ６０／Ａｌ，Ｃ６０／Ａｇ纳米体系的微结构和电荷转关系，以及Ｃ６０薄膜在不同金属衬底表面的生长和取向的关系。结果表明：（１）Ｃ６０／金属薄膜体积 的Ｒａｍａｎ光谱Ａｇ（２）模的罗化现象是由于Ｃ６０和Ａｌ间的界面电荷转移引起的；（２）Ｃ６０在金属表面的生长除了受晶格匹配的几何因素影响外，还决定际Ｃ６０与金属间相互作用的强弱。     

织构C60薄膜的生长研究

本文用热管法以氟金云母单晶为衬底生长出了（１１１）织构的Ｃ６０薄膜，用Ｘ射线衍射谱研究了薄膜的织构特性，用扫描电镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）观测了薄膜的表面形貌、晶粒分布、结晶形和晶粒大小。     

GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜

国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。     

CVD金刚石工具膜生长特征SEM观察

本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积（ＣＶＤ）法生长金刚石膜，在Ｓｉ及ＷＣ－Ｃｏ硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异，经适当表面处理及选择合适的工艺条件，当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜，衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Ｒａｍａｎ谱分析表明此膜仅具有特征金刚石１３３２ｃｍ￣（－１）峰，通过ＳＥＭ观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长，并与衬底有良好的联结。     

MOCVD生长MgS薄膜

我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．     

Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si结构基片中ZnO薄膜特性影响的实验研究

采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/A l/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002) ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO 薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征 ,采用 扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果 表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO 薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜 厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄 膜的机电耦合系数提高 了65%。     

Control of the structure and surface morphology of gallium nitride and aluminum nitride thin films by nitrogen background pressure in pulsed laser deposition

Thin films of AlN and GaN were grown by pulsed laser deposition on c-plane sapphire substrates. It is demonstrated that the structure and surface morphology of layers can actively be controlled by adjusting the nitrogen partial pressure during the growth. The observed trends in the structural quality of the thin films can be attributed to the changes in the surface diffusion of adatoms. It is argued that the surface diffusion of adatoms can be influenced by the collisions between the nitrogen gas molecules and the activated atoms which can reduce the kinetic energy of activated atoms and increase the rate of formation of immobile surface dimers. Through these nitrogen pressure related effects, thin films with microstructure ranging from crystalline to amorphous can be produced. The observed similar impact of nitrogen pressure on the growth of GaN and AlN thin films indicates that a pressure assisted growth procedure is generally applicable to design the surface morphology of group III-nitride thin films. A minimal surface root mean square roughness of 0.7 nm for amorphous AlN is obtained which compares well with the substrate roughness of 0.5 nm. Rutherford backscattering spectroscopy of thin films of GaN and AlN showed a large incorporation of oxygen which was found to reduce the lattice constants of GaN and AlN.     

(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3薄膜的结构与光学特性研究

采用sol-gel法制备(Pb1-xSrx)TiO3(x=0.40,0.50,0.60,0.70,简称PST40,PST50,PST60与PST70)前驱体溶液,通过旋涂工艺在石英玻璃基片上沉积PST薄膜。研究了PST薄膜的结构和光学特性。结果显示,经750℃退火30min,所得PST薄膜为晶化良好的钙钛矿立方结构,薄膜平均晶粒尺寸为200～300nm。750℃退火的PST40、PST50、PST60和PST70薄膜样品的直接带隙能分别为3.74,3.79,3.80和3.85eV。随着Sr含量的增加,带隙能增加。     

反应磁控溅射直接生长绒面结构ZnO:Al-TCO薄膜及其特性研究

利用反应磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长获得了"弹坑状"绒面结构的ZnO:Al-TCO薄膜。通过梯度O2生长(GOG,gradual oxygen growth)方法改善ZnO薄膜的透过率和绒度特性,并且具有较好的电学性能。通过优化实验,GOG方法生长ZnO:Al薄膜(薄膜结构:11.0sccm/10R+9.5sccm/15R)的"弹坑状"特征尺寸为300～500nm,可见光范围透过率达到90%,方块电阻约为4.0Ω/□,电子迁移率为17.4cm2/V-1.s-1。大面积镀制的ZnO:Al具有良好的绒面结构和电学均匀性,可应用于光伏(PV)产业化推广应用。     

冰乙酸在超声喷雾热分解法制备ZnO薄膜中的作用

采用超声喷雾热分解技术(USP),以二水醋酸锌(Zn(CH<,3>COO)<,2>·2H<,z>O)为原材料.在无碱玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.对前驱液pH值、ZnO薄膜结构特性、表面形貌、电学和光学特性的研究结果表明,冰乙酸对ZnO薄膜生长速率具有重要影响.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试显示,所有...     

硫化锌薄膜的微结构剖析

用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术,对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析,获得薄膜表面及粉料的构态信息,讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。     

抛光工艺对硅基Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜性能的影响

研究了不同的抛光方法(机械抛光、化学腐蚀及化学机械抛光)对硅基板上沉积的Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜性能的影响.研究表明,经化学机械抛光(SiO_2胶体或Cr~+)的硅基板上所沉积的Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜具有致密的结构及平直的界面,其沉积速率也比在化学腐蚀抛光表面的沉积速率大7%或18%(分别对应<111>和<100>晶向);薄膜具有明显高于化学腐蚀抛光基板沉积薄膜的折射率,且折射率随温度的降低而增加,而低温下折射率随波长的增加而增加;化学腐蚀抛光基板沉积薄膜的折射率的增加量明显大于化学机械抛光基板沉积薄膜的增加量;薄膜层经机械抛光后,其膜层结构、组分及其深度分布均未改变,但透射率增加,消光系数有所改善,折射率有所降低.     

WZO薄膜生长及氧流量对其特性的影响

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响。实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制备优质WZO薄膜的关键因素。WZO薄膜表面形貌受薄膜结晶质量的影响。当氧气流量为2.08×10-7 m3/s时,WZO薄膜在400～1 500nm透过率达到84.5%,电阻率为4.61×10-3Ω.cm,迁移率为20.5cm2v-1s-1。XPS测试表明WZO薄膜中Zn和W均处于氧化态,其中W元素呈现W6+价态。     

溅射气压对Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜结构及介电性能的影响

采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜.研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构.高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大.薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅...