晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究

系统地阐述了晶闸管的瞬态热阻抗 ,针对晶闸管承受不同的功率脉冲 ,利用不同的计算方法计算瞬态热阻抗值 ,从而确定结温温升 ,并比较了它们的原理、精度及其应用范围。特别是利用了一种新的瞬态热阻抗计算模型 ,当晶闸管承受持续时间极短且周期、占空比均变化的任意波形功率脉冲时 ,它能够比较精确地分析晶闸管的热特性 ,计算半导体结的最大温升     

结温在线控制系统的IGBT功率模块热耦合模型

应用有限元法，对IGBT功率模块的三维热分布进行了仿真研究，得到了器件的稳态热阻及瞬态热阻抗。研究了功率模块各芯片之间的相互热影响，提出了热耦合效应热模型的统一结构，基于对瞬态热阻抗曲线的拟合，得到热模型的相关参数，从而建立了热耦合效应热模型。以一个降压变换器为例，阐述了结温在线控制系统的工作原理，并将热模型应用于该系统中，计算结果与测量结果非常一致。     

评估MOSFET在重复性未钳位感应开关/短路条件下的瞬态结温

功率MOSFET数十年以来一直是电子设计的基础,为多种应用提供开关功能,并替代了简单的晶体管器件。在大多数情况下,它们用于对系统设计的大功率电路进行控制及稳压。技术进步及商业压力已经使市场上出现更紧凑、更高密度、更低噪声及更高性价比的MOSFET,替代过去的大尺寸、低能效MOSFET。对于相同的导通电阻而言,基于沟槽拓扑结构的功率MOSFET要求的尺寸与利用传统平面     

基于有限元分析的集成电路瞬态热模拟

结合EDA软件Cadence及目前常用的有限元分析软件ANSYS模拟了芯片的瞬态热效应.将从电路仿真软件中得到的电学参数作为ANSYS软件的载荷,加载到从ANSYS中建立的热模型上,对芯片的瞬态工作状态进行了热仿真,模拟芯片工作时的瞬态温度分布.针对一个简单集成电路进行芯片级的瞬态热分析,通过调整热载荷脉冲时间得到了此电路的热时间常数;模拟了同一频率不同占空比下电路的热响应情况;模拟了相同时间、相同占空比、不同频率下电路的热响应情况.     

结型LED的热特性分析与工程设计

文章从半导体结型发光器件热特性的概念出发，导出了ＬＥＤ各种瞬态工作状态下输出功率与热特性的概念出发，导出了ＬＥＤ各种瞬态工作状态下输出功率与热特性参数的关系。分析讨论了ＬＥＤ输出光功率对不同电流脉冲的响应特性以及ＬＥＤ热特性的设计方法。     

关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究

根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性.测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实.提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷.     

高压输电线路热故障红外诊断的一维瞬态理论模型

针对架空高压输电线路热故障红外巡航检测,建立了一维瞬态导热模型,并对结果进行了理论求解和模拟结果分析,所得结论可为高压线路热故障红外巡航检测提供科学的理论依据。     

半导体激光器线阵的瞬态热特性研究

针对半导体激光器线阵,建立了二维的热传导模型,模拟计算得到了半导体激光器线阵的二维瞬态温度分布.分析表明器件温度随时间的变化过程可分为三个阶段:在加电后几十微秒的时间内,发光单元之间未出现热交叠,不同填充比的线阵器件的温度基本一致;在几十微秒到几十或几百毫秒之间,大填充比结构线阵的发光单元之间先发生了热交叠,温度上升较快;微通道制冷的器件在几十毫秒之后温度达到稳定,平板热传导热沉封装的器件在几百毫秒之后温度才达到稳定.热传导热沉封装时,在相同的注入电流密度下,高填充比器件的发光单元之间出现温差更快.     

激光生物热作用的一维瞬态温度分布规律研究

采用数学物理方程的定解求法解一维热传导偏微分方程 ;讨论结果的物理意义 ,与相关实验作对比分析。结果表明 ,激光热源在一维生物组织空间引起的温升一般随时间呈指数形式增大 ;随激光照射处的距离呈指数形式减少。     

LDMOS在正常开关工作下的瞬态热效应

利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较.结果表明,若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间,则器件处于热安全工作区.对热阻为3.5K/W,热容为5μs·W/K的LDMOS,如脉冲频率小于7.14kHz且占空比为0.5,或脉冲频率为10kHz且占空比小于0.3,则该器件工作在热安全区.文中还给出了功率器件热安全工作区的判据.     

热壁外延制备的n—PbTe／p—Si异质结特性研究

本文报道了首次用热壁外延方法，在Ｓｉ衬底上，制备了ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果，早Ｘ－射线衍射谱确认。ＰｂＴｅ外延层是单是，ＩＶ－曲线表明，该异质具有良好的整汉特性，由Ｃ－Ｖ测量到异质结的内建电势差。最扣算出能带偏移。     

快速热退火温度对纳米晶氢-硅薄膜及其p-n结性能的影响

采用快速热退火(RTA)对热丝化学气相沉积HWCVD制 备的非晶氢-硅(a-Si:H)薄膜进行晶化处理,并在此基础上制备了 纳米晶氢-硅(nc-Si:H)薄膜p-n结。利用拉曼(Raman)光谱、X射线衍射(XRD)、 扫描电子显微镜(SEM)和分光光 度计研究了所制备(nc-Si:H)薄膜的结构、光学性能与退火温度的关系;同时, 研究了不同RTA条 件下制备p-n结的整流特性随温度变化的规律。研究发现,随RTA温度由700℃升高至 1100℃,薄膜的晶化率由46.3%提高到96%,拉曼峰半高宽(FWHM)由19.7cm－1降低至7. 1cm－1。当退火 温度为700℃时,薄膜的XRD谱中只有一个较弱的Si(111)峰;当退火 温度高于900 ℃时,薄膜 的XRD谱中除Si(111)峰外,还出现了Si(220)、Si(311)峰。同时,随退火温度的升高,薄膜 的禁 带宽度由1.68eV升高至2.05eV。由于禁带宽 度的增加,相应的p-n结最高工作温度也由180℃升高至300℃。     

终端式MEMS微波功率传感器的热时间常数研究

A terminating type MEMS microwave power sensor based on the Seebeck effect and compatible with the GaAs MMIC process is presented.An electrothermal model is introduced to simulate the thermal time constant. An analytical result,about 160 ms,of the thermal time constant from the non-stationary Fourier heat equations for the structure of the sensor is also given.The sensor measures the microwave power jumping from 15 to 20 dBm at a constant frequency 15 GHz,and the experimental thermal time constant result is 180 ms.The frequency is also changed from 20 to 10 GHz with a constant power 20 dBm,and the result is also 180 ms.Compared with the analytical and experimental results,the model is verified.