TCAD结合SPICE的单粒子效应仿真方法

为解决传统集成电路抗单粒子加固设计中存在的不足,利用TCAD及SPICE软件,探索出一种单粒子效应仿真与电路抗辐射加固设计相结合的方法。该方法通过TCAD软件的器件建模、仿真单粒子效应对器件的影响,得出器件在单粒子辐射条件下的3个关键参数。利用SPICE软件将此参数转化为模拟单粒子效应的扰动源,进而指导电路抗单粒子效应的加固设计工作。通过对一款SRAM的加固设计及辐射试验对比,证明了该方法的正确性和有效性,同时也为以后单粒子效应设计加固提供了依据。     

一个改进的用于铁电存储器设计的铁电电容宏模型

从描述铁电电容的P-V滞回特性出发,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型,并成功利用此模型对铁电存储器(FeRAM)进行了电路优化和电路模拟.最后将试图对此模型做进一步的推广,以模拟铁电存储器在另一种新读写过程中的操作.     

铁电存储单元的设计和测试

基于被应用于实际设计之中的统一的铁电器件模型，详细讨论了２Ｔ ２Ｃ组态的铁电破坏性读出存储器单元的设计。在此基础上，设计和制造了分立元件的单元测试电路。通过与普通电容的对比实验，证实了铁电破坏性读出随机读取存储器与普通随机读取存储器不同的工作原理和模式。进而获得了被测ＦＲＡＭ单元的特性波形和铁电材料存储特性的有关数据。这些工作为进一步进行大规模铁电存储器的研究作了准备。     

一个改性的用于铁电存储器设计的铁电电容宏模型

从描述铁电电容的P－V滞回特性出发,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型,并成功利用此模型对铁电存储器（FeRAM)进行了电路优化和电路模拟。最后将试图对此模型做进一步的推广,以模拟铁电存储器在另一种新读写过程中的操作。     

集成电路单粒子瞬态效应与测试方法

随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与测试结构。     

纳米器件单粒子瞬态仿真研究

利用计算机辅助设计软件,研究了不同条件下28 nm体硅器件的单粒子瞬态（SET）效应,分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响。随着器件漏极间距的减小,SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小。与垂直入射的情况相比,倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显,电荷共享效应更加显著。仿真结果表明,合理调节反相器相异节点的器件间距,利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲,减少单粒子效应的反应截面。     

集成电路单粒子瞬态效应与测试方法

随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与测试结构。     

基于HSIM的铁电电容性能的研究

基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性能,并由此优化铁电电容的性能,使之更匹配于电路特性。     

两种系统级单粒子效应容错方法性能仿真分析

基于VLSI的信息处理系统空间应用时容易遭受单粒子翻转效应(SEU:Single Event Upset)的影响.基于结构冗余的三模冗余(TMR:Three Module Redundancy)和基于信息冗余的错误检纠错(EDAC:Error Detection and Correction)是两种常见的系统级抗单粒子翻转的容错方法,被广泛应用于空间信息处理系统中.从可靠性改进、存储资源占用、硬件实现代价以及实现延时等四个方面,对两种方法进行了性能分析和仿真实验.性能分析和仿真实验结果表明,EDAC方法适合应用于基本数据宽度较大、存储资源受限、实时性要求不高的应用中,结构TMR方法适合应用于基本数据宽度较小、存储资源充足、实时性要求较高的应用中.     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

并行接口铁电存储器FM1808及其应用

RAMTRON公司生产的并行接口高性能铁电存储器FM1808是NV -SRAM的理想替代产品。文中介绍了FM1808的性能特点、引脚功能和工作原理 ,同时重点介绍了铁电存储器的应用特点及与其它类型存储器之间的应用差别 ,给出了FM1808的设计应用要点     

铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备

在铁电不挥发存储器 (FERAM)技术中 ,集成铁电电容的制备是关键工艺之一。文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺 :采用 lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容 Pt/Ti下电极 ,然后用 Sol-Gel方法制备 PZT薄膜。在 PZT薄膜未析晶前 ,先将它加工成电容图形 ,再高温退火成为 PZT铁电薄膜。最后完成铁电电容 Pt上电极。与传统工艺相比 ,改进后的工艺能保持 PZT铁电薄膜与金属上电极之间良好的接触界面。测试结果表明 ,工艺条件的变动不会影响 PZT铁电薄膜的成膜和结构 ,从而可得到性能优良的铁电电容。     

铁电场效应晶体管的建模与模拟

得到了一个铁电场效应晶体管(MFIS结构)的新的模型,并对该模型进行了电特性分析。从理论上得到了铁电极化和电场强度关系的新的表达式。基于Pao和Sah双积分且考虑了铁电材料的非饱和极化得到漏极电流的精确模拟,并给出了器件模拟结果。通过对器件的模拟,最后总结了一些提高铁电场效应晶体管性能的规律。     

应用于FRAM的集成铁电电容的研究

集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表明,这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容,符合铁电存储器对铁电电容的要求。     

铁电存储器1T单元C-V特性的计算机模拟

依据传统的铁电材料的P-E特性建模的方法,引入电压影响因子,得到了更为适合的P-V特性的新模型。另外,通过对P-V特性的分析、整合,从理论上得到了铁电存储器内铁电电容的C-V特性。从而系统地建立铁电存储器IT单元特性模型,该模型简单、准确、可移植性强。通过计算机模拟得到的仿真结果和现实器件特性结果相比对,验证了模型的正确性。     

铁电存储器研究进展

近几年来,铁电存储器研究取得了很大进展.铁电存储器因其所具有的许多优越性和良好的应用前景而受到人们的广泛关注和重视.本文介绍了铁电存储器的工作原理及设计与制作方法.并对其研究现状及进一步发展趋势作了简要的评述.     

铁电薄膜和铁电场效应存储器研究

简述了铁电场效应管ＦＦＥＴ工作原理；说明了器件对薄膜和结构的要求；指出了铁电薄膜的电滞回线及金属铁电半导体结构的Ｃ－Ｖ特性。     

CuxSiyO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应

对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验.总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 kGy (SiO2)的60Co γ射线辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 MeV的4种离子束的辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06％左右.实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象.