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氢对硅中4d过渡杂质的钝化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了氢原子与Si中4d过渡杂(Pd,Rh,Ru,Mo)引入深入中心的相互作用,得到了Si中这些深中心被钝化的难易程度。从钝化角度支持了Si:Pd与Si:Rh中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断,同时提出了Si:Mo中E(0.53)和H(0.16)两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据,通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用,对氢的钝化机理作了初步探讨。 相似文献
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本文对硅中注入质子(氢离子)所形成的缺陷进行了研究,发现注入氢的硅先经600℃处理较长时间后,再经高温处理可形成热稳定性很大的缺陷,而同样条件的样品直接经高温处理后,则看不到形成的稳定性缺陷,这说明600℃的长时间退火对形成的稳定性缺陷起着关键的作用. 相似文献
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对多孔硅在NH3和O2中进行后处理的结果表明,SiH(O3),SiH(SiO2),SiH2(O2),Si(NH)2和Si3N4结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因。 相似文献
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硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用 总被引:2,自引:2,他引:0
利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论. 相似文献
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利用量子化学近似计算方法MNDO和红外光谱法研究了晶体硅中氢和硼的相互作用.结果表明,原子氢束缚在离代位硼原子约1.25A的球面能谷中,可绕硼转动,形成一个动态的硼-氢复合体,从而钝化硼.B-H对的动态性质导致对应的1875cm~(-1)红外吸收峰的宽化,这种状态可保持到10K. 相似文献
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通过电学、光学和深能级瞬态谱(DLTS)的测量,研究了硅中“氢-缺陷络合物”施主的行为.测得了同氢有关的三个能级:E_c-0.026eV、E_c-0.037eV,E_c-0.265eV.证实该施主中心的产生,跟材料中硅氢键以及某种结构正在研究的特定缺陷的存在密切相关.还通过多方面实验证实,它同已知的“450℃退火形成的氧施主”完全不同.最后指出,利用在氢气中区熔生长的NTD硅来研究孤立氢原子在硅中的行为,比用其他方法更为有利.这为氢在硅中的电活性提供了新的证据. 相似文献
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对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150~650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关. 相似文献
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对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150~650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关. 相似文献
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