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分析多种电子陶瓷材料的掺杂改性的实验结果,建立陶瓷材料的某一物理性能与晶体结构,烧结温度和掺杂剂含量之间的联系,归纳给出了一个掺杂最佳含量的表达式,应用此表达式定量计算了二氧化硅,三氧化二铝,氧化锌,二氧化锡,钛酸钡等部分电子陶瓷材料的最佳掺杂含量。 相似文献
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《合成材料老化与应用》2017,(2)
采用溶胶-凝胶法制备钛酸钡基符合Y5V标准的MLCC用介质陶瓷材料,粉体经包覆改性后所制备的陶瓷材料的性能会得到优化,能够充分体现出包覆这种掺杂改性的方法对陶瓷材料性能的优化所体现的意义和价值。采用沉淀法制备具有"芯-壳"结构的BZTZN@Al_2O_3复合粉体,研究Al_2O_3包覆对BZTZN基陶瓷体系微观结构及介电性能的影响规律。 相似文献
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采用原位合成法制备聚吡咯包覆钛酸钡,考察其形貌和粒径及包覆不同比例钛酸钡对其吸波性能的影响。用溶胶凝胶法合成稀土掺杂的钡铁氧体,考察掺杂不同稀土元素对形貌、粒径、晶相和吸波性能的影响。研究表明,聚吡咯包覆钛酸钡为球形,分散均匀;钛酸钡复合材料的吸波性能随着钛酸钡质量比的增加而增强,当质量比为1∶6时,最大吸收峰值为6.9dB。稀土掺杂的钡铁氧体均为M型铁氧体,物相单一;掺杂不同的稀土金属,吸波性能优于纯钡铁氧体,当掺杂镧时,吸波性能最好,最大吸收峰值为4.5dB。 相似文献
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稀土元素掺杂纳米TiO2可以通过改变晶型转变温度、晶粒大小等,提高光催化活性.介绍了近年来国内外利用不同种类稀土元素掺杂对TiO2光催化性能的影响和研究现状.最后指出稀土与其他元素复合掺杂改性TiO2是今后的一个重要研究方向. 相似文献
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黄咏安路标唐振华李丹丹姚英邦陶涛梁波鲁圣国 《硅酸盐学报》2017,(9):1265-1270
采用化学包覆法将Ho_2O_3包覆在纳米级钛酸钡粉体表面,通过烧结将Ho^(3+)扩散到钛酸钡晶粒中,调节其介电性能,研究了不同Ho^(3+)掺杂量对Ba Ti O3基陶瓷相组成、微观结构和介电性能的影响。X射线衍射和扫描电子显微镜分析结果表明:Ho^(3+)改性陶瓷样品均为赝立方相,Ho^(3+)的加入能抑制晶粒生长,改善陶瓷微观结构,有利于制备均匀的细晶陶瓷。透射电子显微镜观察显示,包覆层的厚度约为2 nm,包覆Ho_2O_3有助于陶瓷烧结过程中形成"核-壳"结构晶粒,能显著改善钛酸钡基陶瓷的介电温度稳定性,提高绝缘电阻。当Ho^(3+)掺杂量为2.0%时,陶瓷的相对介电常数为1 612,ΔC/C(-55~150℃)<±15%,满足EIA X8R电容器的温度特性。 相似文献
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《硅酸盐学报》2017,(9)
采用化学包覆法将Ho_2O_3包覆在纳米级钛酸钡粉体表面,通过烧结将Ho~(3+)扩散到钛酸钡晶粒中,调节其介电性能,研究了不同Ho~(3+)掺杂量对Ba Ti O3基陶瓷相组成、微观结构和介电性能的影响。X射线衍射和扫描电子显微镜分析结果表明:Ho~(3+)改性陶瓷样品均为赝立方相,Ho~(3+)的加入能抑制晶粒生长,改善陶瓷微观结构,有利于制备均匀的细晶陶瓷。透射电子显微镜观察显示,包覆层的厚度约为2 nm,包覆Ho_2O_3有助于陶瓷烧结过程中形成"核-壳"结构晶粒,能显著改善钛酸钡基陶瓷的介电温度稳定性,提高绝缘电阻。当Ho~(3+)掺杂量为2.0%时,陶瓷的相对介电常数为1 612,ΔC/C(-55~150℃)±15%,满足EIA X8R电容器的温度特性。 相似文献
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《化工进展》2017,(11)
电极材料的研究开发是钠离子电池技术发展和应用的关键之一,碳基负极材料具有原料丰富、成本低廉、可逆容量较大及倍率性能良好等优点,备受国内外专家、学者的关注。本文系统综述了钠离子电池碳基负极材料的最新研究进展,就石墨类和非石墨类碳基负极材料的分类和掺杂改性研究进行了详细介绍。石墨类材料有石墨和石墨烯,非石墨类材料有软碳和硬碳;元素掺杂改性主要是以N和S为主,并分别阐述了各种碳基负极材料的电化学性能及可能的充放电机理。分析了目前碳基负极材料面临着首次库仑效率较低、电压滞后现象严重、循环稳定性能不佳等问题,未来的发展方向主要是增大碳基负极材料的碳层间距、结构的纳米化以及优化制备工艺,以确保循环稳定性及倍率性能的优异性。 相似文献
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