微波砷化镓场效应晶体管放大器在低温下的噪声性能

对贝尔实验室微波砷化镓场效应晶体管放大器在液氮制冷(78°K)下4千兆赫的噪声温度已进行了测量,得到的最佳噪声温度大约是30°K(0.4分贝的噪声系数),而4千兆赫下噪声温度的室温值是152°K(1.8分贝)。     

噪声温度为35°K的4GHz参量放大器

<正> 几年来,一些国内外厂家都在从事不用深冷技术而使4GHz参放噪声性能达到30～35°K水平的工作。根据我国卫星通讯事业发展的要求,南京固体器件研究所已研制成功固体化的热电致冷恒温的4GH2 35°K参放。这种低噪声放大器与循环致冷的参放比较起来具有体积小、寿命长、维护简便和可靠性高的优点,基本上可以取代深冷参放。新研制的35°K参放的主要特点如下: (1)设计了适于低温工作的高空闲频率的参放座,在结构上考虑了把和频、空闲频率和泵频进行良好的分隔。 (2)采用了多级热电致冷系统及比例控制恒温电路。 (3)研制了工作在-30℃下的四端超低损耗环行器。 (4)采用了动态优值更大的变容二极管。     

高效率直播卫星地面站天线

本文讨论了高效率直播卫星地面站天线(TVRO)的实现途径,叙述了12千兆赫3米天线在研制中所采取的优化方法,对预设的数字模型进行了计算。测试结果表明:天线效率大于72％,在20°仰角时,天线噪声温度为41.8°K,在11.7千兆赫～12.2千兆赫频带内,V.S.W.R≤1.13,同计算结果相吻合。     

12千兆赫参量放大器

<正>11.70～12.20千兆赫参量放大器是为卫星直播电视地面接收站研制的低噪声高放部件.作为边缘低场强地区接收系统低噪声高放部件的单级参放,必须在保证接收带宽的前提下,提供较高的增益,以尽量减小后级噪声贡献,从而实现系统高灵敏度之目的.参量放大器的性能指标是由所用变容管、泵源性能和电路结构形式等因素决定的.为简化电路结构,参放的信号电路和空闲电路应尽量利用变容管的封装参数和集总参数元件,选用变容管的并联谐振频率作为空闲频率,而外空闲电路则由一段λ_i/4短路同轴线组成,此段     

“P~+-N结正向势垒电容异常变化”变容管模型的最佳化

用计算机辅助设计,给出P~+-N结正向势垒电容异常变化的变容管模型的最佳值解。据此研制的参放变容管性能为:γ[0.5V,-4V]=0.20～0.27,M=110～160。使用该器件的4GHz常温参放,噪声温度低达35K。     

95千兆赫耿效应二极管振荡器

由于对参放泵源和本机振荡器等的高可靠、低噪声源的需求,在过去几年中人们增加了对毫米波振荡器的兴趣。除目前使用的各种毫米波真空管器件外,最近发展了频率高达75千兆赫的基频崩越二极管振荡器和变容管倍频源。但是,在此之前,基频砷化镓耿二极管振荡器的频率局限于75千兆赫以下。本文首次报导93.7千兆赫耿效应基频振荡     

新型砷化镓变容二极管

据报导,英帝马可尼公司最近研制成一种高性能的砷化镓变容二极管。达种二极管可在很宽的频段内工作,频率高达60千兆赫。根据服务电子研究实验室的设计,二极管装在正方形管壳里,适于致冷下工作。它可在40～90千兆赫下工作,某些器件可在120千兆赫下工作。     

为毫米波中继器设计的80千兆赫IMPATT放大器

日本富士实验室由X波段IMPATT放大器的换算,设计和研制了环行器耦合的80千兆赫IMPATT放大器,在700兆赫1分贝带宽内输出功率为13.4分贝毫瓦。据该公司报导,电路包括片型二极管支持器和用于二极管和负载之间的阻抗匹配的一个可动波导短路器。     

平面扩散砷化镓变容管

本文根据一个旋转体模型,分析了平面型变容管的P-N结电容参数和串联电阻,得出了一些近似计算公式.成功地制成了砷化镓平面参放变容管和微波电调变容管,前者零偏压截止频率达到了400—600GHz,后者达到了120GHz,电容调谐比T_R≈4.在实际应用中,它们分别在常温参放中获得了50K的噪声温度和在三公分集成固体源调谐中得到了700MHz的电调带宽。     

宽频带混频器

这种混频器包括网端环行器、二极管管座和用来抑制乱真(Spurious)频率信号的滤波器。输入信号的标称频率是6千兆赫。本机振荡器信号调制从输入端看过去反射系数,由此产生两个边带的信号。带宽为490兆赫,A 频段的输入信号频率为5.93～6.155千兆赫,B 频段的输入信号频率6.195～6.42千兆赫。为高可靠起见,选用了点接触式硅二极管作为有源元件来取代常用的肖特基势垒二极管。在定向滤波器中还采用了微带线技术,以减轻重量。     

12.8千兆赫下连续输出2瓦的耿效应振荡器

据报导,日本日立研究实验室用四个耿效应二极管做成大功率耿效应振荡器,在12.8千兆赫下产生的连续输出功率为2.1瓦。并联效率是70%。所有的耿效应二极管装配在金刚石散热片上,分别在12.4～13千兆赫下提供600～900毫瓦输出功率。将这些耿效应二极管级联倍增,用2个二极管在12.4千兆赫下也产生1.2瓦功率,并联效率是74%;用三个二极管时,在12.8千兆赫下产生1.65瓦功率。     

正向势垒电容的异常变化及其在参放变容管中的应用

在对P~+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P~+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和较大的变化幅度.把该模型应用于结电容为 0.08—0.25 pF的 GaAs参放变容管,结果表明,它提高了变容管的电容变化系数,并具有较高的零偏压截止频率,而且还降低了参放所需的泵功率.得到的样管参数为:零偏压截止频率400—700千兆赫、电容变化系数0.17-0.225,参放工作所需的泵功率仅10-20毫瓦.     

CO2激光器用宽带、高灵敏度Hg0.8Cd0.2Te光电二极管

本文叙述了单元和四元n+-n--p Hg0.8Cd0.2Te光电二极管阵列的直流及CO2激光外差特性的实验结果。这些二极管有宽的带宽(约为2千兆赫)和相当高的有效外差量子效率(在2千兆赫处约13%～30%)。在2千兆赫处,测得典型的噪声等效功率约为1.44×10-20瓦/赫～6.23×10-20瓦/赫。     

L波段致冷GaAs场效应晶体管放大器

<正> 一引言在1～2GHz频率范围内,用室温最佳器件达到的噪声温度(括号内为噪声系数)的典型值是:双极晶体管为120°K(1.5dB),砷化镓场效应晶体管为50°K(0.7dB),参量放大器为40°K(0.6dB)。在许多应用中,特别是在射电天文学中,这些噪声温度限制系统灵敏度,即使需要致冷,也希望有更低的噪声。这是事实,因为灵敏度的其它限制在这个频率     

86—88千兆赫低噪声行波脉泽

本文描述86～88千兆赫铁掺杂金红玉(Fe~(3 ):TiO_2)行波脉泽的制造和性能。3分贝带宽为40～50兆赫时,电子增益为36分贝,净脉泽增益为15～20分贝。已测得该脉泽的输入噪声温度 T_(Maser)=20±10°K。     

干扰信号对参放输入噪声温度的影响

本文作者对当一个强干扰信号出现在参放通带内或附近时,参放输入噪声温度与泵源调幅噪声电平的关系作了理论和实验的研究,导出了一个方程式。它预示着参放输入噪声温度有所增加,并且线性地正比于干扰信号功率、参放增益以及泵源调幅噪声电平。作者曾经在一典型的军用卫星通信接收机的参放中进行实验,比较了各种速调管、耿氏管和碰撞雪崩渡越时间二极管(Impatt)振荡器泵源,这一关系通过实验得以证实。     

毫米波砷化镓雪崩振荡器

引言发展了一种应用于毫米波的直接在镀铜散热块上制造的小面积 GaAs 雪崩二极管的制作方法。按照这种方法已经得到了在 Ka 波段(26.5～40千兆赫)连续工作的外延生长的 p-n结二极管及在 V 波段(50～75千兆赫)连续工作的 Gr-GaAs 肖特基势垒二极管。在 Ka 波段至今最好的性能是在31千兆赫下输出190毫瓦,效率10%。V 波段的初步连续试验,在53.75千兆赫下,已得到86毫瓦的功率,效率3%。二极管的制造     

宽带变容管调谐GaAsFET振荡器

<正> 美国海军研究所研制了7.4～13.1千兆赫的宽带变容管调谐 GaAsFET 振荡器。振荡器电路做在0.25毫米的杜罗艾德铬合金衬底上。所用 FET 是阿凡蒂克的 M110型器件,其栅长为 0.5微米,栅宽为750微米,在栅和源引线中提供变容管调谐,漏端接地。每个调谐元件由两个分立的超实变结变容管串联构成,以获得所要求的阻抗,所采用的是微波联     

商品型30°K常温参放

据美国“微波杂志”1978年10月号报导:LNR通信公司生产的NC4-33型常温超低噪声放大器在它的500兆赫带宽內确保30°K(典型)噪声温度,并给出50分贝的最小增益。这种新型放大器取代目前国际通信卫星网內使用的费用高而可靠性差的制冷系统,     

截止频率达千兆赫的10.6微米CdHgTe光伏探测器

利用化学计量偏离法制备了x(～-)0.20的p-n结Cd_xHg_(1-x)Te器件,来研究10.6微米波长的光伏探测。这种光电二极管的灵敏面积为4×10~(-4)～10~(-3)厘米~2,观测到器件在77°K下当反向偏压为-0.1伏时,其并联电阻和电容分别为10~5欧和8微微法。研究了探测CO_2激光的性能,当本机振荡器功率为1毫瓦时,所得结果是:10~(10)相似文献