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本文首次报道(311)面上生长的GaAs/AIAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移。在Ⅱ类超晶格中,局域化级成为X能谷电子向T能谷输运的通道,从而加强了X-T电子态混合,使实验观察到X跃迁表现出T跃迁的某些性质。 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Γ能谷的基态(E(Γ1);)和第一激发态(E(Γ2))能级之间.实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Γ-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的.在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Γ能谷的基态. 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(EГ1)和第一激发态(EГ2)能级之间,实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的,在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的 相似文献
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GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高压光致发光方法在液氮温度下和0—35kar的压力范围内对不同层厚的GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格以及具有相近组份的Al0.3Ga0.7As体材料进行了系统的研究.测得Al0.3Ga0.7As体材料的Γ谷和X谷的压力系数分别为8.6meV/kbar和-.57meV/kbar.在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类X态相关的发光峰,从而得到了类Γ态能级和类X态能级随压力的变化关系.首次获得了有关GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格能带不连续性(包括价带 相似文献
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In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了InxGa1-xAs/InP应变多量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化.用国产GSMBE设备生长了五个样品,这五个样品的阱宽均为5nm,垒宽均为20nm,唯一的不同之处是阱层中的In组分不同,In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际In组分.用光致发光谱(PL)、吸收谱(AS)、光伏谱(PV)确定出了样品中的激子跃迁能量.对量子阱中的激子跃迁能量随In组分的变化进行了理论计算.结果表明:对给定阱宽的量子阱,随着In组分的增大,量子阱中11H和11L激 相似文献
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本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(SLS)(Ge)n/(Si)n(n=1,2)的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ge、Si的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的n对(Ge)n/(Si)nSLS电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态,表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移,并随n的不同,转移量不同。 相似文献
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用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In1-xGa1-xN(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为60meV左右。荧光衰退呈现双指数特性,快过程(50ps,12K)是自由激子的快速驰豫引起的,而慢过程(200 ̄270ps,12K)则对应局域激子发光,其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局 相似文献
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半导体超晶格微结构中的多能谷效应(2)薛舫时(半导体超晶格国家重点实验室和南京电子器件研究所210016)六、异质谷间转移电子效应和X电子发生器GaAS是直接带隙材料,它的导带底位于布里渊区中心Γ点。而AlAs是间接带隙材料,导带底位于布里渊区边缘X... 相似文献
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InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究 总被引:2,自引:2,他引:0
在国产第一台CBE(Chemicalbeamepitaxy)设备上,用GSMBE(Gassourcemolecularbeamepitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析.结果表明,我们在国产第一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好. 相似文献
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测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0-7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚洋鬼子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小的约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象。 相似文献
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用X射线衍射并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对简单和复杂两种结构的(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(001)应变超晶格材料的结构和完整性进行了研究,得到了它的结构参数. 相似文献
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带-带跃迁时的“热”电子激光器文献[1]首次讨论了E0.1eV的“冷”冲击电子()激光器思想,其电子能量小于超晶格的势垒高度U0,在准带间跃迁。文献[2,3]首次展示了在注入GaAs中获得E0.1~0.3“热”电子的可能性,电子的射程达到(2~3)·... 相似文献
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InGaAs(P)/InP应变量子阱和超晶格的光电性质 总被引:1,自引:0,他引:1
利用低压金属有机化合物化学汽相沉积(MOCVD)生长技术在InP衬底上生长InGaAs/InP应变量子阱,超晶格和InGaAsP/InP量子阱结构材料,利用77K光荧光(PL)测量这一应变量了阱和量子阱的光学性质,利用双晶X光测量应变超晶格的性质。 相似文献
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耦合量子阱和超晶格中的Stark效应及电场感生的局域化 总被引:1,自引:0,他引:1
薛舫时 《固体电子学研究与进展》1990,10(3):262-270
本文使用单带双谷模型和隧道谐振方法计算了电场作用下耦合量子阱和超晶格中的电子态.计算中考虑了能谷的非抛物线性和Г,Х两个能谷的贡献.算得的耦合量子阱能级同实验结果之间吻合良好,并且得出在某些电场下两个阱中的不同能级之间可能产生耦合.对超晶格的计算同样得到了同实验吻合的电场作用下的局域化及电子的带间跃迁能量.在GaAs/AlAs超晶格中还算得了适当电场下的有趣的Г-Х混和现象. 相似文献
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GaAs—AlxGa1—xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质 总被引:1,自引:0,他引:1
用变分法分别计算GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱和多量子阱在纵向(垂直于异质结界面的方向)外电场作用下激子的基态能级,讨论了电场对激子的峰移、偶极振子强度和交换能的影响。 相似文献