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相似文献
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1.
介绍了同位素铁靶的制备技术,包括氧化铁的还原、铁粉的熔化和铁靶的制备.采用聚焦束溅射和滚轧制备技术能获得自支撑56Fe靶的最小厚度分别为50和360 μg/cm2.  相似文献   

2.
本文介绍用真空蒸发制备厚度为1μm左右的无衬底铁靶的方法。 一、引言 无衬底铁靶是为核物理实验~(56)Fe(p,n)~(56)Co反应而制备的。在这个靶的制备过程中,我们采用了氯化钠作脱膜剂、不锈钢片作衬底和氧化铝坩埚作蒸发器的真空镀膜技术,成功地制备了厚度为1μm左右的无衬底铁靶。  相似文献   

3.
对加速器生产同位素^56Co所用铁靶的制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Fe靶层质量,电流效率的各种因素,确定了最佳工艺条件,制备出了质量厚度大于50mg/cm^2表面光亮,致密的Fe靶。  相似文献   

4.
介绍B靶制备技术及其质量厚度测量方法,静电振动,高压电喷和离心沉淀主极用于制备有衬B靶,而聚焦重离子束溅射和电子轰击可用来制备自支撑B靶和有衬B靶,B靶的质量厚度用分光光度法和称重法测量。  相似文献   

5.
用滚压技术制备出同位素106Cd自支撑靶,并成功地利用破靶膜的再生方法。制备出可供使用的靶膜。  相似文献   

6.
尹建华 《核技术》2000,23(9):653-655
用滚压技术制备出同位素^106Cd自支撑靶,并成功地利用破靶膜的再生方法,制备出可供使用的靶膜。  相似文献   

7.
在使用真空蒸发和电镀两种方法制备核靶的过程中,基衬、脱膜剂和坩埚等都会给核靶带来污染。用合适的方法分析核靶的污染,从而改进制备工艺,是制靶技术迫切需要解决的问题。我们用背散射技术分析了核靶中的杂质,使用2MeV的~4He~ 离子束,散射角为160°和135°,探测系统的能量分辨率为16keV。  相似文献   

8.
自支撑Mg靶膜的制备   总被引:3,自引:2,他引:1  
用真空蒸发法成功制备了170.0~196.1μg/cm^2的薄自支撑Mg靶膜和90~95μm的厚自支撑Mg靶膜。甜菜碱是制备Mg靶膜有解离剂,讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。  相似文献   

9.
单点金刚石切削技术在ICF靶制备中的应用   总被引:4,自引:1,他引:4  
单点金刚石切削(SPDT)技术是上世纪80年代以来国际上推广应用的一项新技术,是实现超精密加工的有效技术途径。本文阐述了SPDT技术的原理、特点以及在ICF靶制备中的应用,包括腔体的制备、异形靶零件的制备以及泡沫车削加工等。  相似文献   

10.
同位素靶制备技术的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
系统地介绍了同位素靶的制备技术,包括核靶的制备手段(真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀),同位素化合物还原工艺(还原蒸馏、电解还原)和核靶的贮存方法(干燥法、抽真空法、低温干燥法)。  相似文献   

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