同位素铁靶制备技术

介绍了同位素铁靶的制备技术,包括氧化铁的还原、铁粉的熔化和铁靶的制备.采用聚焦束溅射和滚轧制备技术能获得自支撑56Fe靶的最小厚度分别为50和360 μg/cm2.     

无衬底铁靶的制备

本文介绍用真空蒸发制备厚度为1μm左右的无衬底铁靶的方法。 一、引言 无衬底铁靶是为核物理实验~(56)Fe(p,n)~(56)Co反应而制备的。在这个靶的制备过程中,我们采用了氯化钠作脱膜剂、不锈钢片作衬底和氧化铝坩埚作蒸发器的真空镀膜技术,成功地制备了厚度为1μm左右的无衬底铁靶。     

电沉积法制备铁靶

对加速器生产同位素＾５６Ｃｏ所用铁靶的制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Ｆｅ靶层质量,电流效率的各种因素,确定了最佳工艺条件,制备出了质量厚度大于５０ｍｇ／ｃｍ＾２表面光亮,致密的Ｆｅ靶。     

硼靶制备技术的研究

介绍Ｂ靶制备技术及其质量厚度测量方法,静电振动,高压电喷和离心沉淀主极用于制备有衬Ｂ靶,而聚焦重离子束溅射和电子轰击可用来制备自支撑Ｂ靶和有衬Ｂ靶,Ｂ靶的质量厚度用分光光度法和称重法测量。     

同位素~(106)Cd金属自支撑靶的制备及废靶的再生利用

用滚压技术制备出同位素１０６Ｃｄ自支撑靶,并成功地利用破靶膜的再生方法。制备出可供使用的靶膜。     

同位素l06Cd金属自支撑靶的制备及废靶的再生利用

用滚压技术制备出同位素＾１０６Ｃｄ自支撑靶,并成功地利用破靶膜的再生方法,制备出可供使用的靶膜。     

用背散射技术分析核靶的污染

在使用真空蒸发和电镀两种方法制备核靶的过程中,基衬、脱膜剂和坩埚等都会给核靶带来污染。用合适的方法分析核靶的污染,从而改进制备工艺,是制靶技术迫切需要解决的问题。我们用背散射技术分析了核靶中的杂质,使用2MeV的~4He~ 离子束,散射角为160°和135°,探测系统的能量分辨率为16keV。     

自支撑Mg靶膜的制备

用真空蒸发法成功制备了１７０．０～１９６．１μｇ／ｃｍ＾２的薄自支撑Ｍｇ靶膜和９０～９５μｍ的厚自支撑Ｍｇ靶膜。甜菜碱是制备Ｍｇ靶膜有解离剂，讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。     

高效X光背光源靶材料的研究进展

靶材料的成分、微结构和密度是决定激光驱动X光背光源光子能量和强度的关键参数。基于此,介绍了背光源靶的分类、靶材料的制备及其与强激光的作用机制。背光源靶有着由稠密靶向欠稠密靶发展的趋势,其中,泡沫疏松靶以其操作安全和可选成分广泛等优点成为高效欠稠密靶。泡沫疏松靶材料又包含纳米纤维和气凝胶：纳米纤维是由静电纺丝结合热处理工艺制备的,具有成型性好、发光原子含量高等特点;而气凝胶靶则通过溶胶-凝胶技术结合超临界流体干燥工艺制备,其微结构均匀、理论转换效率高,但目前合成条件复杂、发光原子含量较低。结合多种溶胶-凝胶技术合成密度低、发光原子含量高的块体气凝胶将成为背光源制靶重要的研究方向。     

同位素靶制备技术的研究

系统地介绍了同位素靶的制备技术，包括核靶的制备手段（真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀），同位素化合物还原工艺（还原蒸馏、电解还原）和核靶的贮存方法（干燥法、抽真空法、低温干燥法）。