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据杂志报道,法国探测器制造商Ulis公司今年推出了一款第四代红外探测器.这种XGA规格(1024×768)、17μm像元间距的传感器能够在红外监视应用中进行高清晰度成像. 这种非制冷大规格红外探测器是通过将非晶硅(Si)材料以单片的形式集成于硅CMOS衬底之上而制成的,该衬底包含了采用标准光刻技术绘制的读出集成电路(ROICs). 相似文献
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本发明提供一种红外探测器,它包括一个列阵,列阵中的每个像元都有一个微桥结构。在上述微桥结构中有一片与衬底隔开的膜片,它是由一种横梁结构支撑的．每个像元还有一个真空封装结构,该真空封装结构内有一层窗口薄膜,这是用来封闭由于去除膜片中的第一和第二层牺牲薄膜而形成的第一和第二个真空容积的。 相似文献
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本发明提供一种用于探测红外辐射的器件,它包括一个一维或二维的测辐射热探测器列阵、一个读出电路和一个补偿结构。其中的补偿结构是用来转移从每个测辐射热探测器中流过的大部分背景或者共模电流的。该补偿结构为一层至少包含一种测辐射热材料的膜层,它分布在与读出电路相连的两个电连接区之间。 相似文献
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本文综述法国原子能委员会LETI红外实验室在双波段红外焦平面列阵方面所做的研究工作.在工艺上,该实验室采用的是通过分子束外延法在晶格匹配的高质量CdZnTe衬底上生长的HgCdTe多层掺杂异质结构.器件的结构是n+ppn,而且在空间上是相干的.长波层是一个平面状的n+/p二极管,它是通过离子注入制成的,而波长较短的p-n二极管则是在分子束外延过程中通过掺铟在原位制成的.最后一个结是通过台面蚀刻而被隔离的,探测器通过铟丘与一个读出效率接近100%的读出电路互连.每个像元有一个或两个铟丘,用来按序或者同时访问两个波长,探测器的间距分别为50μm和60μm.每个波段中的单元探测器所呈现的性能接近用标准工艺制作的单色探测器的性能.为了优化双波段红外焦平面列阵的性能,LETI红外实验室专门为这种列阵设计了一种硅CMOS读出电路.本文介绍了128×128元(间距为50μm)中波红外(2μm～5μm)双色焦平面列阵在77K温度处操作时的光电性能. 相似文献
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介绍了采用新工艺生长的铟砷锑厚膜单晶。我公司采用和室温锑化铟探测器相同的工艺结构将其制成了高灵敏、非致冷型光导探测器,并对它的光电性能和光谱响应率进行了测试。将该探测器与室温锑化铟、致冷锑化铟以及硒化铅探测器作了对比,所得数据为工作在中远红外波段(5～12 μm)范围内的铟砷锑探测器的更广泛应用提供了可靠的依据。 相似文献
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近室温工作的中长波InAsSb探测器 总被引：1，自引：0，他引：1
用熔体外延法(melt epitaxy),在砷化铟(In As)衬底上,制备了长波铟 砷锑(InAs0.05Sb0.95)厚膜单晶。熔体外延法,是一种改进的液相外延法(LPE)。 用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,测量出外延层的厚度达到150 μm,这个厚度有效地抑制了外延层与衬底之间晶格失配的影响。制作了近室温 工作的中长波铟砷锑探测器,是光导型器件,安装了半导体制冷器。250 K下, 光谱响应的波长范围为2－11 μm,峰值响应率为153.7 V/W,加装锗(Ge)场镜 后,峰值响应率提高到1912.6 V/W,指示了在 红外探测领域的应用前途。 相似文献
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本发明提供一种可在包括红外谱段在内的宽光谱范围内进行高性能成像的MOS或CMOS传感器。由于这些宽光谱范围可能还包括可见光的一部分或者全部光谱,所以该传感器还具有日光成像和夜视的能力。该传感器由一个多元MOS或CMOS读出列阵和做在该读出列阵上面的连续多层光电二极管结构组成,其中的光电二极管结构是用来敏感红外辐射的。 相似文献
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本发明提供一种可用于保护长波和中波红外探测器的被动式红外光学限幅器。这里的长波红外指的是波长为7至14μm的红外谱区,而中波红外则指的是波长为3至5μm的红外谱区。本发明提供的光学限幅器主要是供长波红外探测器使用的,但它也可以在中波红外谱区使用。该光学限幅器由一层红外限幅层和一个合适的衬底组成,它是通过将辐射导向探测器的方式来限制入射在探测器件上的辐射的量的。 相似文献
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红外焦平面探测器是一个主要由引线基板、硅读出电路、铟柱和探测器芯片组成的多层结构。由于材料层间热膨胀系数的差异,低温时探测器中会产生相当大的热应力,对探测器温度循环可靠性影响严重。为了考察红外焦平面探测器低温下的热应力情况,建立了探测器结构的有限元分析模型;利用该模型分析了引线基板热膨胀系数、弹性模量,及其厚度分别对Si、CdZnTe衬底类型的探测器热失配应力和形变的影响;根据对这两种类型探测器的分析结果,分别提出了相应的改进方法,并对方法进行了计算验证。 相似文献
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红外成像技术的优势越来越明显．其应用也越来越广泛．因此,人们对红外焦平面列阵提出了新的要求,这些要求同时影响着探测器和集成读出电路的发展．由于各种应用具有不同的要求．而人们又没法制成可满足所有要求的通用焦平面列阵,因此嚣要根据用户的要求来设计焦平面列阵．提得更多的要求是更大的规榕、更高的灵敏度、更小的像元和更多的功能度。此外还必须达到以低成本进行批量生产的目的。本文从焦平面列阵的两个方面,即探测器和读出集成电路,采说明如何满足不断提高的要求．对于探测器,本文同时介绍致冷型和非致冷型探测器,其中分别提到利用分子束外延技术生长的HgCdTe探测器和氧化钒(VOx)微测辐射热计．读出集成电路已发展到具有智能特征以及片上信号处理和片上模／数转换功能的水平． 相似文献
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本发明提供一种热红外探测器,它由衬底、温度传感器、隔热支撑腿以及红外吸收层等构成。其温度传感器的电学特性是随由红外吸收引起的温度变化而变化的;其隔热支撑腿用于支撑温度传感器并充当用于凄出温度传感器电信号的信号线;红外吸收层则是与温度传感器热接触的。温度传感器、隔热支撑腿及红外吸收膜各自都处在一个不同的平面中,而这些平面在空间上都是互相分开的。 相似文献
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美国专利US7551059 (2009年6月23日授权)本发明提供一种混成图像传感器,它包括一个CMOS读出电路和一个红外探测器列阵。CMOS读出电路通过铟柱焊接与红外探测器列阵的至少一个探测器连接。CMOS读出电路包括两个放大器电路,这 相似文献
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目前红外探测器采用传统读出方法很难通过一次积分实现其本身的动态范围。为实现红外探测器的大动态范围不换档读出,引入脉冲频率调制（Pulse Frequency Modulation,PFM）结构,同时为保证弱信号时的注入效率,结合CTIA输入级,对红外探测器不换档大动态范围读出方法进行研究。提出一种CTIA输入级脉冲频率调制（PFM）读出方法,在系统级层面搭建实验系统并结合短波红外InGaAs单元探测器进行数字量化实验。详细分析了强信号时由系统结构延迟时间引起的转换线性度问题,并建立非理想条件下的数字量化转换模型。实验结果显示,提出的CTIA输入级PFM红外探测器读出方法动态范围达到97 dB, 为红外探测器不换档大动态范围读出提供了一种可行方案,并为数字化读出电路设计奠定理论基础。 相似文献
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美国专利US6914245 (2005年7月5日授权) 本发明提供一种红外探测器列阵。该红外探测器列阵上的每个红外探测器均由两部分组成,其中一部分是一端固定在衬底上的支撑腿,该支撑腿有一个包含绝缘 相似文献
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本发明提供一种可探测四个以上不同红外波段的多光谱超像元光电探测器．该超像元光电探测器包括两个或多个亚像元光电探测器,每个亚像元光电探测器包括一个能在两个或多个相关红外波段共振的衍射共振光学腔．通过探测在施加两个或多个偏压时的红外辐射并产生各亚像元光电探测器在每个偏压值处的光谱响应曲线,便能够计算出对每个红外波段的响应．这种超像元光电探测器可用于军用和医学成像等方面,并能够覆盖一个很宽的红外光谱区域． 相似文献