多目的半导体曝光装置TZ—310

在半导体器件制造最重要的工艺——曝光工序中,将掩模制作功能——图形发生器与重复照像、缩小投影曝光和光的直接作图曝光四种功能紧密地集中统一在一台装置上的“多目的半导体曝光装置TZ—310”开始出售了。     

卡诺公司发表了具有划时代意义的半导体装置

卡诺公司是当代世界上首次将波长为200—260nm的远紫外光曝光技术运用于实际中去的。该公司运用远紫外曝光技术,成功地获得了最小线宽0.5mm的超微细图形。发表了能曝光5英寸片子的全自动的分离式半导体图形曝光设备“卡诺PLA——520FA”(接近式直线对准)。它是在已经发表了的“卡诺PLA——500FA”的基础上又发展了一步的新型图形曝光装置。该装置的曝光系统采用了远紫外光。它用激光和微型计算机控制,实现了光掩模和     

获得光蚀刻掩模的方法

描述获得刻线间具有指定周期和间隔的光蚀刻掩模的方法。分析了确定曝光时间、显影时间和显影液的浓度的条件，而这些条件是实现任意间隔宽度掩模所必须的。所提出的方法，对于研制任意材料作基底的间隔宽度等于刻线宽度的掩模，在原理上是适用的。指出该方法对获得指定刻线形状掩模的适用范围。在玻璃基底上用ФП-ΡΗ-7型光蚀刻剂薄膜进行了所有的实验。在利用所描述的方法时，对于两种厚度的薄膜，获得周期为0.4、0.6和0.74微米的两种不同类型的光蚀刻掩模。计算所得的掩模的参量误差不超过20%。     

低能聚焦离子束装置

自1979年休斯研究所的Seliger等人报告采用液态金属离子源的聚焦离子束装置及其在微细加工中的应用以来,已有许多研究机构积极参与开发这项研究工作。 FIB技术除在无掩模离子注入、曝光、掩模修正以及集成电路修正等半导体制造中应用外,还可用于高空间分辨率的分析仪器。此外,还可望作为下一代半导体制作的工艺技术。     

集成电路投影曝光设备中的对准装置

集成电路投影曝光设备中的对准装置包括观察硅片和掩模表面参考标记用的投影透镜系统。硅片上的标记是一组一个方向具有预定周期的周期图形结构;掩模上的标记可以相对于硅片参考标记调整定位。投影系统能通过掩模在硅片表面形成可见光图象。该装置还包括用作探测从硅片表面穿过投影透镜系统的反射光的观察光学系统。该装置还能选择硅片上参考标记图形形成的衍射光的特殊分量,并把这些特殊分量引入观察光学系统。在该套装置的观察光学系统的光瞳附近设置了遮光元件。它是一带状传光孔,在与硅片表面上的周期性参考标记垂直的方向延伸分布。     

采用离子注入法制作高精度掩模版

日本电气公司最近研制采用离子注入法制作高精度掩模版的技术,去年12月已在华盛顿举行的国际电子器件会议上发表。在集成电路和LSI制造工艺中,用于光刻工艺的掩模版是使用银乳剂的乳胶掩模和使用金属铬、氧化铬、氧化铁等金属或金属氧化物形成暗区的所谓硬掩模。采用贴紧或者投影的方法,让这些光掩模与涂敷了光刻胶的硅片相叠合,并用紫外线曝光,经过显影,光掩模上的电路图形就复印在硅片上。由于乳胶掩模使用了卤化银,     

电子束作图装置

电子束作图装置(以下写为EB装置)约在二十年前就作为加工微细图形而公开发表了、虽然,在以后的时间里没有很快用于生产,但在约十年前它作为光掩模的作图装置就已实用化了,从而它被公认为半导体制造装置。     

X射线曝光

近年来,随着技术的发展,在半导体大规模集成电路、磁泡、光集成电路及表面波器件等多种器件领域,亚微米加工技术已成为提高器件特性的有效手段。作为最适用的装置是由扫描型电子显微镜发展起来的电子束扫描装置。现在,国内外对电子束扫描装置都在着力研究,其成果将陆续有报导。但是,由于扫描很费时间(≥数十小时/片),目前还不能用电子扫描装置直接扫描大量的片子,它的作用还只限于制备掩模图形。对于由电子束扫描装置制备出的高精度掩模图形,为使其能在较短时间内在片子上曝光而不致降低精度,这就需要一种新的     

文摘

研究了具有亚微米周期的衍射光栅.该光栅是波导耦合器、防反射、共振光栅滤波器、DFB激光器、波分复用通信等领域用的关键元件.过去制作这种微细光栅多采用电子束扫描法或者全息双光束干涉曝光法.而这些制作方法分别存在着如下问题:电子束扫描大面积图形费时,而干涉曝光法则限制可制作的光栅图形.因此,该文作者采用计算机近场全息曝光法制成周期～0.5μm的、一维、二维以及同心圆光栅图.该方法不同于制作光纤耦合器的方法.其特点是,1级和+1级光干涉不需斜照射光.因此能比较容易地获得掩模半周期结构.譬如用i线垂直照射全息版掩模,在距10μm的位置能将干涉条纹曝光、显影在抗蚀剂上,并用反应离子蚀刻法将其复制到基板上.     

国外信息

国外信息检验光掩模的共焦激光芯片的多步骤光刻工艺过程需密切加以监测，以提高生产的经济效益。其中最重要的是光掩模的质量，因为有毛病的光掩模将在发现它的缺陷之前导致生产出许多不合格的半导体晶片．采用共焦显微技术直接测量光掩模特征，用紫外或蓝色光激光器作光...