真空触发开关的触发能量和延时特性分析

本文采用辅助高压击穿与能量续流的触发电路来导通真空触发开关TVS，对触发过程中的触发能量和时延特性进行了分析和研究。结果表明，触发能量充足（〉20J）该电路稳定可靠地导通TVS；导通总延时在数百纳秒，并且随主间隙外加电压的增加有明显减小的趋势。     

真空触发开关的起弧稳定性分析

真空触发开关(triggered vacuum switch,TVS)是大功率脉冲技术领域的重要开关器件之一,它具有结构紧凑、介质恢复迅速、操作无噪声、工作可靠性高、环境适应性强等优点,在中压领域具有广泛的应用前景.TVS的开通过程本质上是电弧燃烧过程.针对TVS的起弧稳定性,搭建了一套场击穿型TVS的触发和实验系统,从电气特性和图像特性两个方面记录其起弧过程.实验和理论分析表明,触发系统的稳定延时大约40μs,起弧过程持续297μs左右;初始等离子体的不同发展决定着TVS的开通.只有充足的初始等离子体,才能产生一定的鞘层电压,从而不断产生新的阴极斑点,保障起弧的稳定性.     

金属蒸汽真空离子源及其应用

金属蒸汽真空离子源（ＭＥＶＶＡ源）及其应用的研究是北京师范大学低能物理研究所国家“８６３”高技术发展计划连续三个五年计划资助的重点发展项目，成为国内第一家自行研制成功ＭＥＶＶＡ源的单位。经过十余年来的研制开发，已研制成包括单阴极、多阴极和可推进阴极等...     

封装材料对单触发开关的性能影响研究?

针对单触发开关高导通电流和高导通速率的要求,本文在制备肖特基二极管(SBD)单触发开关的基础上,采用环氧类树脂胶、有机硅胶以及端羟基聚丁二烯(HTPB)橡胶3种不同类型的材料封装单触发开关,分析比较其对开关峰值电流、延迟时间和上升时间的影响。试验结果表明,对于3种封装材料,单触发开关的峰值电流大小的顺序为:AB胶HTPB橡胶704胶;同时,AB胶封装的开关延迟时间最短,分析原因是其能够约束住肖特基二极管电爆炸产生的电弧。封装材料对开关的上升时间没有显著影响。     

一种场击穿型真空触发开关的触发与导通过程

真空触发开关TVS(Trggered Vacuum Suitch)是高功率脉冲技术领域的重要开关器件之一,它具有结构紧凑、介质恢复迅速、操作无噪声、工作可靠性高、环境适应性强等优点,在中压领域具有广泛的应用前景.针对场击穿型TVS触发比较困难的特点,在触头表面涂敷TiH2材料,利用TiH2的脱氢产生大量的初始等离子体,可以有效地降低触发电压,提高触发可靠性.设计了一套触发系统和LC振荡主回路来测试TVS样品的开通性能.触发系统输出峰值22 kV、350 A的正脉冲源,系统延时40 μs左右.利用高速摄影拍摄了TVS的燃弧过程.试验结果表明,正极性接线的TVS样品经触发后能有效地开通,触发成功率高,延时分散性比较小,燃弧稳定,能够在小电流过零时产生有效的截流.     

Al含量对真空电弧沉积ZrAlN薄膜性能的影响

利用等离子体辅助电弧沉积技术在高速钢片和单晶硅片P(100)上沉积ZrAlN多元薄膜,利用扫描电镜、能谱分析、X射线衍射对薄膜进行了结构和形貌表征,利用显微硬度计、摩擦磨损试验仪对薄膜的性能进行了检测,并研究了铝含量对薄膜组织结构、形貌、显微硬度及耐磨性能等的影响.结果表明:ZrAlN多元薄膜有(111)面的择优取向,随Al含量的增加,(111)衍射峰的位置向小角度偏移,当Al原子分数大于3%时,薄膜中出现AlN相;随着Al含量的增加,薄膜的硬度和耐磨损性能先增加后降低,在Al原子分数为3%时,获最高硬度1570 HV0.5N和最小磨痕宽度93μm,这是薄膜中Al含量不同引起晶体结构变化造成的.     

直流金属真空弧源沉积Ti-O薄膜在模拟人体液中的耐腐蚀性能研究

采用直流金属真空弧源沉积(DC-MVAD)在316L不锈钢基体上沉积合成了Ti-O系薄膜.在Hank's模拟人体液中,对DC-MVAD合成钛氧薄膜进行了开路电位、电化学极化以及电化学阻抗图谱分析,显示合成薄膜可明显改善在人体环境中的耐腐蚀性能.随着合成氧分压的增加,薄膜的耐蚀能力增强.这主要是由于高O/Ti比的钛氧薄膜具有更为稳定的能量状态、低的孔隙率所致.     

金属Be真空出气性能的测试

利用四极质谱计测试了国产金属铍材在100℃-600℃不同温度下的真空出气成分及相对含量，实验得出铍的大量出气主要在温度400℃-500℃之间，其放出气体的主要成分按放气量大小依次为H2O，CO2，NO，CO，Ar和H2，利用限流小孔半定量的计算了铍材的出气量。     

金属Be真空出气性能的测试

利用四极质谱计测试了国产金属铍材在 10 0℃～ 6 0 0℃不同温度下的真空出气成分及相对含量 ,实验得出铍的大量出气主要在温度 4 0 0℃～ 5 0 0℃之间 ,其放出气体的主要成分按放气量大小依次为H2 O ,CO2 ,N2 ,CO ,Ar和H2 ,利用限流小孔半定量的计算了铍材的出气量。     

金属波纹管的沉积工艺和沉积层性能的研究

概述了沉积波纹管的工艺特点和目前国内外沉积波纹管的现状。介绍了电沉积波纹管和化学沉积波纹管的工艺,以及沉积波纹管的应用情况。     

真空弧源沉积类金刚石薄膜及其性能研究

采用真空弧源沉积技术在钛合金及Si(100)表面合成DLC薄膜．通入不同的氩气．控制DLC薄膜中的SP3／SP2比值。研究表明，薄膜硬度可达96GPa．随着氩气流量的增加，薄膜的硬度先增加．后有明显降低。随着氩气流量的增加，类金刚石薄膜中．SP2键增加，SP3键减少，而血液相容性明显提高。DLC薄膜具有优异的耐磨性，摩擦系数低，与钛合金基体结合牢固。     

触发型真空弧放电特性研究

基于沿面放电设计了短间距的触发型真空弧放电装置,利用高速相机研究了触发真空弧放电特性,获得了不同放电时刻的放电图像。通过分析放电图像,发现主弧放电开始阶段,主弧电流主要为电子电流,而且在阳极附近观察到较强的离子电流。研究发现阴极斑的形成和等离子体的扩散是主间隙击穿的关键因素。初始阴极斑不仅为触发回路提供载流子,同时影响着主间隙的击穿。文章讨论了阴极表面离子鞘层对表面电场的影响,阴极表面场强可达107V/m。同时本文讨论了背景气压对电极间隙放电延迟时间的影响。     

阴极真空弧沉积中靶室第二阳极作用对系统性能的影响

介绍了阴极真空弧沉积中 ,弧源在阴极接地和阳极接地两种不同工作状态下的工作特性。发现阳极接地时 ,因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用 ,聚焦磁场对弧源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显。因此可以加较高的聚焦磁场 ,从而获得流强较高和较稳定的沉积等离子体束     

阴极真空弧沉积中靶室第二阳极作用对系统性能的影响

介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地两种不同工作状态下的工作特性。发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对弧源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显。因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得流强较高和较稳定的沉积等离子体束。     

真空溅射沉积碳化钛工艺的研究

本文对在高速钢及硬质合金刀具上溅射沉积碳化钛工艺进行了实验研究，并通过优选，取得了一些 最佳工艺参数，对碳素工具钢和合金钢溅射工艺作了初步探索，对碳化钛涂层的纯度、硬度特别是结合 力和切削性能进行了测定，取得了结合力不低于气相沉积碳化钛和切削寿命提高一倍到几拾倍的良好成 果；还对影响结合力和溅射率的因素进行了分析讨论，找出提高结合力和溅射率的一些途径。 Ｉ     

真空电弧镀沉积HY7涂层及性能

本文采用真空电弧镀技术(AIP)在K465镍基高温合金基体上沉积了AlYSi(HY7)沉积-扩散型涂层,分析了涂层的组织结构及显微硬度,研究了涂层在1100℃的高温氧化行为和900℃下的燃气热腐蚀行为。通过扫描电镜(SEM)分析氧化前后试样的显微形貌,用X-射线衍射仪(XRD)分析涂层的相结构。试验结果表明,涂层主要由β-NiAl相组成,截面显微硬度自外向内呈中-高-低分布,涂层显著提高了叶片材料的抗高温氧化、抗腐蚀性能。     

强流金属蒸汽真空弧离子注入机通过省级产品质量监督检验

由龙口市比特有限公司研制生产的强流金属蒸汽真空弧离子注入机 ,于 2 0 0 4年 7月通过了山东省技术监督局的产品质量监督检验。其外观、安全性、束能量、平均耙束、真空度等各项技术指标均符合 Q /L BT- 0 0 1- 2 0 0 4产品标准。金属蒸汽真空弧离子注入 ,是在真空条件下 ,利用 MEVVA离子源 ,通过阴极和阳极间的真空放电 ,使阴极材料表面直接产生高密度等离子体 ,经电极系统引出而得到强流金属离子束 ,并直接作用于被加工材料表面 ,使材料表面改变成分和结构 ,提高材料表面润滑、耐疲劳、耐腐蚀、耐磨损能力和表面光洁度 ,最终提高材料…     

真空烧结炉漏气率对TiB_2-Ni金属陶瓷性能的影响

研究了真空烧结炉的不同漏气率对ＴｉＢ２Ｎｉ金属陶瓷的机械性能的影响。结果表明：低漏气率真空烧结炉烧出的ＴｉＢ２Ｎｉ试样性能比高漏气率炉烧出的试样性能优异得多。     

基板温度对真空热蒸发沉积纯锌镀层组织性能的影响

通过真空热蒸发技术沉积得到一种耗锌量少且性能良好的锌镀层,研究了不同基板温度对所得锌镀层组织形貌、微观结构、腐蚀行为和附着力的影响。结果表明,当基底温度低于100℃时,镀层中存在排列紧密的柱状晶,当基板温度超过150℃后,镀层的微观结构发生明显变化。随着基板温度的升高,镀层表面电子转移的阻抗降低,基板温度为100℃时所得镀层的自腐蚀电位较正。随着基板温度的升高,镀层的附着力呈现先降低后增强的趋势,在25℃和50℃下沉积的镀层试样以及GI镀层试样中出现较为明显的镀层剥离现象。