Vishay推出最低导通电阻的新款MOSFET——采用PowerPAKSC-70封装,2mm×2mm占位面积可显著节省空间

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm×2mm占位面积的-30 V器件,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30 V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量,其12 V VGS使器件在-3.7 V和-2.5 V下具有更低的     

1200V大容量SiC MOSFET器件研制

采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.     

有负电势的反相电平转换电路

数字系统设计要求考虑使用多个核心电压。存储器工作在1.8V,I2C和FPGA器件的工作电压为3.3V,微控制器工作在5V,而电荷耦合器件图像传感器则需要-9V～8V的工作电压。每种器件的时钟必须适应于其工作电压。可以用下图中的电平转换电路,将输入时钟信号调整到适当的逻辑高和逻辑低电平,包括负电压。这种特性对于需要负电压的器件很方便,如电荷耦合器件传感     

可编程四电源管理器件为多电压监视应用带来了无比的灵活性

概要与当前市场上的电源管理器件相比,LTC2900、LTC2901、LTC2902三种新型的器件可以提供更加精确的复位门限,从而大大的提高了系统的可靠性。同时,可以缩短设计时间、降低制造成本且易于使用,具有接口灵活和所需外围器件少的优点。此三种电源管理器件可以同时监视四个电压,而且在整个温度范围内的门限精度为1.5%。每个器件提供16种使用者可选的四电压组合:5V、3.3V、3V、2.5V、1.8V、1.5V、+ADJ以及-ADJ。通过简单的外围电阻分压器来实现单管脚编程,从而避免了使用许多器件来实现不同的电源组合。这三个电源管理器件都可以承受5%…     

MOS器件的质子总剂量效应

介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V.实验结果表明 ,在相同的吸收剂量下 ,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比 .还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响 ,结果认为 ,对于 NMOSFET,不论是加固器件 ,还是非加固器件 ,在 +5 V的栅压偏置下 ,器件的辐射损伤比 0 V栅压下的损伤严重 ,对于加固器件 ,辐射感生界面态的密度也较高 ;而加固型 PMOSFET,在 0 V的栅压下 ,辐射损伤比 - 5 V下严重 ,且界面态的密度高     

MAX15034：同步降压控制器

Maxim推出高性能、双路输出、同步降压控制器MAX15034,能够驱动外部MOSFET提供2路25A输出或单路50A输出。这种灵活性可使器件用于多种设计平台,从而减少了元件种类、降低了成本。此外,器件的输入电压范围为4．5V至5．5V或5．5V至28V,可用于5V和12V总线系统。器件针对大输出电流的应用进行了优化,理想用于计算处理、电信、网络、存储和服务器设备。     

一种用于ESD保护的双向SCR特性研究

基于0.35 μm CMOS混合信号工艺,实现了一种用于ESD保护的MDDSCR器件。通过堆叠MDDSCR单元来调整维持电压,结合TLP测试结果,说明了关键尺寸和不同的衬底连接方式对器件特性的影响。堆叠DDSCR正向触发电压(Vt1)和维持电压(VH)随着堆叠器件数量的增加而线性增加,但因为存在额外寄生通路,负向Vt1和VH分别维持在20 V和6 V左右。该器件可实现6 kV以上HBM ESD保护能力,广泛应用于汽车电子、无线基站、工业控制等电源或者信号端的双向ESD保护。     

Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36 A电流,采用多种封装。     

一款100V的GaN HEMT功率器件及其温度特性

功率器件应用于航空航天等领域,可以起到功率转换、开关控制等作用。以GaN为代表的宽禁带半导体材料器件已逐渐地成为新型功率器件的不二选择。介绍了一款p型GaN栅的100 V GaN HEMT功率器件,给出了该器件各项参数的仿真情况、常态测试参数和三温实验数据,并给出了仿真结果与器件实测结果的对比情况。相较于25℃,在125℃环境温度下,器件阈值电压漂移-0.1 V;在-55℃环境温度下,阈值电压漂移+0.1 V;在-55～125℃全温范围内,器件击穿电压没有明显的变化,均为108 V。说明该GaN HEMT器件有较强的全温范围适应能力。     

Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS~整流器

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出16个新款45 V、50 V、60 V、100 V和120 V器件,扩充其TMBS~Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10~60 A的电流等级和极低的正向压降,针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装,封装的占位与D2PAK(TO-263)一致,且典型高度更薄,只有1.7 mm。今天推出的Vishay General Semiconductor双片整流器在15 A下的正向压降只有0.4 V,在高频DC/DC转换器、开关电源、     

与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用

采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。     

MOS器件的质子总剂量效应

介绍了几种加固和非加固MOS电路的质子辐照总剂量效应实验,质子束的能量为9、7、5、2MeV.实验结果表明,在相同的吸收剂量下,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比.还给出了栅极偏压对器件质子辐射损伤的影响,结果认为,对于NMOSFET,不论是加固器件,还是非加固器件,在+5V的栅压偏置下,器件的辐射损伤比0V栅压下的损伤严重,对于加固器件,辐射感生界面态的密度也较高;而加固型PMOSFET,在0V的栅压下,辐射损伤比-5V下严重,且界面态的密度高.     

资讯

飞兆半导体推出MLP封装的UltraFET系列器件飞兆半导体公司成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mmx3mm)模塑无脚封装(MLP)的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nC对比4nC)和最低的导通阻抗(200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数(FOM)降低了27%,并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件…     

PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究

提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应和寄生双极晶体管效应,使器件性能得到很大的提高。消除了浮体环形栅器件的反常亚阈值斜率和Kink效应,DIBL从120.7mV/V降低到3.45mV/V,关态击穿电压从4.8V提高到12.1V。最后指出,体源连接环形栅器件非常适合于抗辐照加固等应用领域。     

一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件

提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。     

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。     

基于硅衬底静电感应晶体管器件仿真与研究

针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco Tcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学性能进行了理论研究。仿真得到了反偏栅压约为0 V、漏电压＜20 V时,器件表现类五极管饱和特性曲线,器件电流约为10-5 A,此时沟道状态为预夹断。当反偏栅压为-1.5 V、漏电压逐渐增大到300 V时,器件表现为类三极管不饱和特性曲线,器件电流约为10-6 A,此时沟道状态为完全夹断,研究结果静电感应晶体管工艺实践提供了参考。     

SCDI结构快闪存储器件Ⅱ:实验与器件特性

采用 1.2 μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入 (SCDI)快闪存储器件 ,该种器件具有良好的器件特性 .在 Vg=6 V,Vd=5 V的编程条件下 ,SCDI器件的编程速度是 4 2 μs,在 Vg=8V,Vs=8V的擦除条件下 ,SCDI器件的擦除速度是 2 4 m s.与相同器件尺寸的普通平面型的快闪存储器件相比 ,SCDI器件的特性得到了显著地提高 .在制作 SCDI器件的工艺中 ,关键技术是制作合适的深度和倾斜角度的浅的台阶 ,同时减少在制作 Si3N4 侧墙的刻蚀损伤     

基于0.18μm CMOS高压工艺的低压器件优化设计

产品设计时,是否能灵活应用低压器件与高压器件对一款成功的设计而言至关重要。设计一款多电源芯片,器件电压种类繁多,最高电源为±15 V,基于SMIC 0.18μm 40 V HV-LDMOS工艺,5 V低压器件版图采用优化设计,在±15 V电源下,在同一芯片上实现了电路的高低压转换,没有发生击穿漏电现象,并满足了各种器件的电特性指标,产品工作稳定、性能可靠,并且整体性能良好。     

具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性

研制成功具有场板结构的AIGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4靘的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37霢减小到5.7霢,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性.