Diodes推出微型高速开关二极管有助减小电路板尺寸

Diodes Incorporated推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压(Breakdown Voltage)外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。     

IPW65R150CFDA：CoolMOS CFDA

英飞凌科技推出650V CoolMOS CFDA。这是配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流，直流转换器和HID（高强度放电）照明等谐振拓扑。     

3．5A、33VIN降压型开关稳压器LT3972

LT3972在3．6～33V的VIN范围内运作,对高达62V的瞬态具过压闭锁保护,从而非常适合汽车应用中常见的负载突降和冷车发动情况。其他特性：低纹波（〈15mVp-p）突发模式工作;在12VIN至3．3VOUT时,IQ=75μA;可调开关频率：200kHz～2．4MHz;低停机电流：IQ〈1μA;集成升压二极管;在250kHz～2MHz之间可同步;电源良好标记;饱和开关设计：90mΩ导通电阻;输出电压：0．79～30V;热保护;软启动功能;小型10引脚耐热增强型MSOP和（3mm×3mm）DFN封装。     

NTST30100CTG/NTST20100CTG/ NTSB20U100CTG：肖特基整流器

安森美半导体推出新系列的100伏（V）沟槽型低正向压降肖特基整流器（LVFR），用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流，直流（DC／DC）转换器等应用。     

一种双向超低电容TVS器件的研制

针对现有双向TVS的不足及广泛的市场需求,采用集成器件结构和先进工艺研制了一款双向击穿电压7V,电源Vcc对地GND的电容0.8pF的超低电容TVS器件。该器件实质是普通二极管和稳压管的串并联电路,反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10Ω以内。芯片尺寸控制在220μm×220μm以内,适合DFN1006、DFN0603等小型封装。利用此特性,该双向超低电容TVS器件适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失。     

NCP1526：同步DC-DC降压转换器

安森美半导体推出高效同步直流．直流降压（步降）转换器NCP1526，集成了低噪声低压降稳压器（LDO），采用独特的0．55mm超薄DFN封装。该器件专为便携式媒体播放器（PMP）、MP3播放器、手机中数字多媒体广播（DMB）或手持终端数字视频广播（DVB—H）芯片组等多媒体便携式设备的应用微处理器供电。     

单／双通道、双向低压电平转换器

MAX13046E／MAX13047E为多电压系统中的数据传输提供电平转换,VL电压范围为1．1～3．6V或（Vcc＋0．3V）（两者中电压较低的一个）,Vcc电压范围为1．65～5．5V。在整个电压范围内,MAX13046E／MAX13047E能够保证8Mb／s的数据速率。器件在μDFN、TDFN和UTQFN等微型封装中集成了±15kV ESD保护电路,在为外部传输信号的应用提供增强保护的同时,节省了电路板空间。     

新颖的电池稳压器

该电路对防止铅酸电池（12V太阳能电池或汽车电池）过充很有效，若光线太强或照射时间太久，太阳能电池就可能发生过充现象。电压达到约13．8V时，电扇开始低速运转，当电压超过14．4V（充电最高电压）时，电扇速度就上升到最高，电路接通的门限电压（13．8V）是稳压二极管电压（12V）、红外二极管电压（1．1V）、和2N3055基极发射极电压（0．7V）之和。和继电器相比，该电路采用晶体管放大器作开关，可避免继电器的嗒嗒声和触点的火花，电池电压在13V以下电路不会消耗电流（因为小于门限电压，自动截止）。     

Diodes静电及电涌保护器提供最佳保护及简易检测

Diodes公司（Diodes Incorporated）推出汽车级静电及电涌保护器D24V0L1B2LPSQ。相比齐纳二极管和压敏电阻器件,新产品在制作流程当中可提供更完善的保护及更简易的检测,并能提高可靠性。 要抑制瞬态电压,保护CAN与LIN车用两线总线通信网络对维持可靠性及安全性实在至关重要。而D24V0L1B2LPSQ的电容仅为15 p F,加上0.2Ω的动态电阻,比起齐纳二极管和压敏电阻器更能加强触发能力,从而提供超卓的保护解决方案。     

同步整流技术

DC／DC变换器的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1．0～12V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0．6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。     

利用I2V 正向特性提取PN 二极管主要参数的研究

研究了利用电流－电压（I－V）正向特性提取PN结二极管参数的方法，与通常使用的PN结二极管模型不同，本文模型考虑了并联电导对电流的影响，在I－V特性曲线上读取四级（V，I）值，用牛顿法对模型方程组进行数值求解，可提取出PN结二极管的主要参数：反向饱和电流，串联电阻，发射系数以及并联电导。结果表明，该方法简便，实用。     

独特的快速PWM设计使降压型DC/DC变换器的输出电流达到500mA,效率超过90%

Maxim Integrated Products公司推出MAX8560/MAX8561/MAX8562型三种直流/直流变换器,据称这是第一批开关频率为4MHz的、输出电压低至0.6 V时输出5 00mA连续电流的高效率降压型DC/DC转换器.它采用微型SOT23封装和薄型DFN封装.     

DiodeS微型逻辑有效延长便携式设备电池寿命

日前,Diodes公司（DiodesIncorporated）推出单门逻辑器件系列,有助于各种便携式消费电子产品节省用电及空间,包括手机、电子书阅读器与平板电脑。74AUP1G系列逻辑器件采用3V的先进超低功率CMOS（互补式金属氧化物半导体）制程,其引脚与业界的标准器件兼容,还提供超薄的微型DFN封装。     

一种新型高压变频器

一种功率器件基本段交错连接的（多电平输出）高压变频器。它主要由功率器件IGTB等、桥型连接的二极管箝位电路、续流二极管及直流电容器组成功率器件基本段。     

有效延长便携式设备电池寿命的微型逻辑

74AUPIG系列逻辑器件采用3V的-先进超低功率CMOS（互补式金属氧化物半导体）制程,其引脚与业界的标准器件兼容,还提供超薄的微型DFN封装。     

半导体C—V的测量

电容一电压（C—V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。     

电信和数据通信设备高压直流供电系统的发展目标（下）——高达400V的直流供电系统

国际电信联盟（ITU）标准ITU-TL.1200规定了在电信和数据通信（ICT）设备输入端高达400V的直流供电接口及其正常电压范围（260～4-00VDC）。我国当前研究试验和推广应用的240V高压直流供电系统的正常电压范围（192～288V％）偏低偏窄,或应在有限的时间内过渡到ITU建议的目标电压范围。文中介绍ITU对高达400VDC的直流供电接口的要求、供电系统结构、接地系统设计考虑和ICT设备抗干扰试验要求。     

万用表交流电压档测量音频电平

图1是MF30型万用表测交流电压的简化电路,D3是半波整流二极管,D4是保护二极管。在交流电压正半周内,D4截止,对3的整流作用使表头内有脉动电流流过;在交流电压的负半周内,D4导通,由于D4上的正向压降很小,因此大大降低了加在D3上的反向电压,对D3有保护作用。 一般万用表的交流电压档和直流电压档如有相同的量程,则多是设计成共用一组倍率电阻和同一条电压刻度,MF30型万用表100V档的倍率电阻R8～R10、500V档的倍率电阻R11及 R8～R10是交、直流共用的。由于整流二极管     

BC69PA：中功率晶体管

恩智浦半导体推出采用2mmX2mm3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装。DFN2020—3（SOT1061）封装适合在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中的通用功率敏感型应用,     

Diodes全新DFN3020封装MOSFET节省七成空间

Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这3款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下,可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET,节省七成的电路板空间。