新型1．1mm厚1500W表面贴装瞬间电压抑制器

Vishay日前推出1．1mm厚度的新系列1500W表面贴装TransZorb瞬态电压抑制器（TVS）--SMPC系列。SMPC系列具有6．7V～42．4V的击穿电压和10．0V～58．1V的优异钳位能力。采用eSMP^TM TO-277A封装,比传统SMC封装的占位面积小27％。SMPC系列的峰值前向浪涌电流高达200A,工作温度为-55℃～＋105℃。     

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123W TVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率(10/1000μs),单位PCB面积的浪涌能力约为67W/mm2。该二极管旨在保护电压     

单向Transil瞬变电压抑制二极管

SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管的电涌防护能力达到400W10／1000μs，封装尺寸紧凑，占板面积仅为3．8mm×1．9mm。SMM4F系列的低功耗性能杰出，泄漏电流仅为0．2μA，是电池供电设备或其他低耗电量应用的理想选择。SMM4F系列产品共有14款，关断电压在5～33V之间。     

DAC8411：16位DAC

TI推出采用微型SC70封装的单通道数模转换器（DAC）系列。DAC8411系列8位至16位引脚兼容型产品在1．8V电压下流耗为80μA,具有1．8V至5．5V的宽泛电源电压以及6μs（典型值）趋稳时间等优异特性。这些器件具有比标准SOT23器件小40％的小型尺寸以及低功耗特性,是电池供电与手持应用、自动测试设备、高精度仪表、波形发生、工业过程控制以及医疗设备等应用领域的理想选择。     

AVX公司瞬态电压抑制器

AVX Corporation公司推出基于贴片压敏电阻（MLV）概念和氧化锌材料系统的瞬态电压抑制器（TVS）器件。命名为MG和V2F系列，该Rad Hard TVS器件据称扩展了设计应用选择的范围。MLV采用从0402到2220的小尺寸封装。在中子积分通量和伽玛总剂量环境下，这些MLV具有抗辐射特性。击穿电压是指导致MLV进入1n认电流导电状态的DC电压值。Multiguards和transfeed器件在受到10k拉德伽玛辐射时击穿电压也会有轻微变化。0508封装四元器件在万片批量时单价起价为0.18美元。     

业界最薄的1500W表面贴装瞬间电压抑制器

Vishay Intertechnology,Inc．推出具有业内1．1mm最薄厚度的新系列1500W表面贴装TransZorb瞬态电压抑制器（TVS）-SMPC系列。SMPC系列具有6．7—42．4V的击穿电压和10．0-58．1V的优异钳位能力。     

固体钽芯片电容器

Tantamount Hi-Rel COTST97产品系列是首款具有63V额定电压及22μF电容的固体钽芯片电容器。T97系列采用双阳极结构,以确保在同类器件中ESR值最低。T97系列属于Vishay的Tantamount钽电容器系列,其电容值范围介于15～1500μF,电压范围介于4～63V。该系列具有超低ESR值,在＋25℃、100kHz时,ESR值范围介于0．015～0．30Ω。T97系列中的器件工作范围介于-55～＋85℃,额定电压降低时为＋125℃。     

单／双通道、双向低压电平转换器

MAX13046E／MAX13047E为多电压系统中的数据传输提供电平转换,VL电压范围为1．1～3．6V或（Vcc＋0．3V）（两者中电压较低的一个）,Vcc电压范围为1．65～5．5V。在整个电压范围内,MAX13046E／MAX13047E能够保证8Mb／s的数据速率。器件在μDFN、TDFN和UTQFN等微型封装中集成了±15kV ESD保护电路,在为外部传输信号的应用提供增强保护的同时,节省了电路板空间。     

超小封装600W TVS二极管

该系列产品采用2引脚FlatPower SOD128封装（3.8mm×2.5mm×1mm）,是业界首个采用小型塑料SMD封装并提供600W额定峰值脉冲功率（10/1000μs）的TVS（Transient Voltage Suppressor,瞬变电压抑制）二极管。这种SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与市场上已有的TVS二极管1：1替换。SOD128不含卤化物和锑氧化物,符合非易燃性分类规范UL 94V—0和RoHS标准。     

同步MOSFET控制器

这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广，介于5～25V之间，可由适配器的19V供电轨直接供电，并且在瞬态过压状态下，保证器件正常工作。该器件拥有180V的MOSFET漏极感应功能，有助设计师减少对外部钳位电路的需求，并能大幅减少配件数量和节省空间。     

通信设备模块电磁脉冲抑制能力的研究

为了RFID通信模块设计需要,研究常用防护器件瞬态抑制二极管(TVS)的电磁脉冲防护能力。选取三种常用的TVS器件,在静电电磁脉冲和方波脉冲试验条件下,进行电磁脉冲响应规律的测试研究。测试结果表明,一般类型的TVS器件的响应时间普遍高于1ns,脉冲上升沿1ns内的能量就无法被TVS器件在第一时间内吸收,会影响或损伤被防护的电子设备,甚至TVS防护器件。综合钳位电压值和钳位时间,其中一种TVS器件在测试电压300V以内的防护性能可满足模块的防护要求。而另外两种TVS器件对于快上升沿电磁脉冲的防护性能较差,在此环境下无法达到电磁脉冲防护要求,但在其它工作条件下可参考它们的特性数据进行选择应用。     

Vishay固体钽电容器芯片

Vishay Intertechnology，Inc．推出新型Tantamount Hi—Rel COTS T95系列固体钽电容器芯片。这些新型T95电容器主要面向安全性至关重要的航空及军事应用。日前推出的这些器件属于Vishay Tantamount钽电容器系列，它们的电容值范围介于0．1μF～680μF，电压范围介于4V～50V。这些器件提供了低ESR值选择，在＋25℃、100kHz时，ESR值低至0．055。T95系列中的器件工作范围介于-55℃～＋125℃。     

NXP推出FlatPower TVS二极管产品线

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出35个采用2引脚FlatPowerSOD128封装(3.8 mm×2.5 mm×1 mm)的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制(TVS,Transient Voltage Suppressor)二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600 W额定峰值脉冲功率(10/1000μs)TVS二极管的厂商。市场上的600 W TVS产品仅有采用例如SMA或SMB这样较大尺寸的封装。新型SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与后者1:1替换,从而在为工程师提供最佳功率性能的同时还节省了PCB空间。     

恩智浦扩展FlatPowerTVS二极管产品线

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS,Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率（10／1000μs）TVS二极管的厂商。     

6.5kV,5A4H-SiC功率DMOSFET器件

报道了在60μm厚、掺杂浓度1.3×10~(15) cm~(-3)的外延层上制备4H-SiC功率DMOSFET器件的研究结果。器件击穿电压大于6.5 kV,导通电流大于5 A,相对于之前的报道结果,器件导通能力提升了25倍。器件采用由55根环组成的,450μm宽的浮空场限环作为器件终端结构。通过1 250°C热氧化工艺和NO退火技术,完成器件栅介质层制备。通过横向MOSFET测试图形,提取器件峰值有效沟道迁移率为23 cm~2/(V·s)。器件有源区面积为0.09 cm~2,在栅极电压20 V、室温下,器件比导通电阻为50 mΩ·cm~2。在漏极电压6.5 kV时,器件漏电流为6.0μA,对应器件漏电流密度为30μA·cm~(-2)。基于此设计结构,通过设计实验,提取了SiC DMOSFET器件中电阻比例组成。     

单电源供电放大电路INA155

<正> INA155是BB公司新推出的一种用CMOS工艺生产的单电源放大电路,其输出摆幅接近电源电压。该器件主要特点有:工作电压为2.7～5.5V;输出摆幅与电源电压之差小于10mV;失调电压低,典型值为±200μV;失调漂移小,典型值为+5μV/℃;内部固定增益为10或50;工作温度范围为-55～125℃;输入偏置电流小;增益为10时带宽为550kHz;压摆率为6.5V/μs。INA155采用SO-8或MSOP-8封装。     

Diodes微型过压钳有效保护便携式设备

Diodes公司推出AP9060过压钳位器,用以保护便携式应用中的电源管理集成电路(PMIC)。该产品采用1.1×1.4×0.8 mm的小型W-DFN1114-3封装,适用于最新一代的电池供电产品,包括智能手机、平板电脑及超迷你笔记本电脑。该新器件能支持很宽的3～30 V的充电器输出电压,把通至PMIC的电压限制在安全的11 V钳位电压之内。AP9060通过     

采用SPICE评估TVS保护电路

引言SPICE是分析系统抗传导EMI浪涌电压性能的有效设计工具,它可以验证并优化采用瞬态电压抑制(TVS)雪崩二极管的浪涌保护电路的性能。TVS二极管的尺寸小、响应时间快、钳位电压小且成本低,可以为浪涌问题提供有效的解决方案。本文将SPICE仿真与基准测试进行比较,证明TVS雪崩二极管能够钳位噪声源(如感应设备和负载开关)引起的浪涌电压。电流和电压特性关系齐纳和TVS雪崩二极管有相似的电气特性,但是,两种器件也存在明显的区别。齐纳二极管为调节稳态电压而设计,而TVS二极管则为钳位瞬态浪涌电压而设计。另外,TVS二极管的结面…     

高电压大电流功率运算放大器

<正> OPA549是BB公司新推出的一种高电压大电流功率运算放大器。它能提供极好的低电平信号精度,能输出高电压、大电流,可驱动各种负载。该器件的主要特点有:输出电流大,连续输出电流可达8A,峰值电流可达10A;工作电压范围宽,单电源为+8～+60V,双电源为±4～±30V;输出电压摆幅大;有过热关闭功能,电流极限可调;有使能及禁止功能;有过热关闭指示;转换率(压摆率)最高为9V/μs;工作温度范围为-40～+85℃。该器件主要应用于驱动工业控制设备(如电机、阀门、激励器和螺管线圈等)、测试设备、电源、音频功率放大器等大电流负载。 引脚功能与主要技术参数 该器件采用11引脚叉齿形封装(ZIP封装),各引脚排列如图1所示。各引脚功能如附表所示。     

安森美低厚度SOD-123FL封装

安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装。SOD—123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封装器件。SOD-123FL封装的W／mm^2热性能比SOD—123提高达149％，比SMA提高达90.5％，比PowerMite提高达26.5%。SOD-123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD-123封装低25%，