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近年来,物联网和人工智能等技术的发展对片上存储与智能计算的能效、密度以及性能提出了更高的要求。面对传统CMOS处理器的能效与密度瓶颈,以及传统冯·诺伊曼架构的“存储墙”瓶颈,以铁电晶体管 (FeFET)为代表的新型非易失存储器 (NVM)提供了新的机遇。FeFET具有非易失、高能效、高开关比等特点,非常适合低功耗、高密度场景下的存储与存算一体 (CiM)应用,为数据密集型应用在边缘端的部署提供支持。该文回顾了FeFET的发展历程、结构、特性以及建模相关的工作,概述了FeFET存储器在电路结构和访存机制上的探索与优化。进一步地,该文还探讨了FeFET CiM在非易失计算、存内逻辑计算、矩阵向量乘法以及内容可寻址存储器上的应用。最后,该文从不同方面分析并展望了基于FeFET的存储与CiM电路的前景与挑战。 相似文献
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FM31XX是Ramtron公司最有竞争力的产品系列,包含4K-256K的铁电存储器,精度为+2.17PPM的RTC,低电压复位,看门狗复位和低电压检测,8个可以锁定的特殊存储和2个16位的频率高达10M的计数器。 相似文献
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日前,国内首家片上可配置应用平台CAP(Configurable Application Platform)厂商—京微雅格(Capital-Micro)宣布开始发售其新一代架构的CME-M5(金山)FPGA器件。该产品系列集成了片上MCU处理器、SRAM存储器、Flash配置存储器、RTC片内时钟等硬件单元,非常适合工业、无线、固网、军事和汽车等市场应用。据京微雅格市场总监窦祥峰介绍,金山系列FPGA集成了增强型8051,全系列共分为三大类:纯FPGA(CME-M5-P)、集成 相似文献
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数字信号控制器综合了MCU面向控制的特性以及DSP的快速计算功能,其混合结构能解决很多以前必须依赖MCU和DSP协同解决的工程难题。数字信号控制器的出现具有必然性,这是数字信号处理技术的迅猛发展所决定的。凭借领先的数字信号处理(DSP)技术,德州仪器(TI)于日前宣布推出三款高性能、 相似文献
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莱迪思半导体公司推出其新的MachXO2 PLD系列,为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中的低成本、低功耗和高系统集成性能。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺,与MachXO PLD系列相比,MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗并减少了高达30%的成本。此外,在低密度可编程器件应用中的一些常用的功能, 相似文献
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Actel公司的FPGA器件是ASIC器件的理想替代品,具有ASIC产品的很多特点如:单芯片、上电即行、非易失性、低功耗、保密性强、免疫固件错误、片上非易失性存储器、整体系统成本低等.同时FPGA采用Flash*Freeze技术,又具有无NRE成本、快速生成原型、生产周期短以及在系统可编程等优点. 相似文献
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便携式电子产品市场正在不断地迅速增长。为了适应不断变化的标准、加快产品上市速度,并获得成本、面积、功耗方面的优势,便携式市场对于低功耗可编程解决方案的需求也在不断增加。据市场调研公司In-Stat预计,到2010年,针对便携式市场应用的可编程逻辑产品的销售额将超过5亿美元。在此背景下,Actel公司发布其崭新的业务战略, 相似文献
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北京北方科讯电子技术有限公司 《电子产品世界》2009,16(9):67-67
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International corporation的两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F.RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM2SV02.两款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品. 相似文献
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P. Wood M. Battello N. Keskar A. Guerra 《电力电子》2005,3(5):72-78
6 模块中的热敏电阻 功率模块中热的问题与分离器件中发现的那些通常的问题可能是不同的。这是由于在功率模块中各自的芯片间的热流通道是相互影响的。图7(见上期)简单的描述了包含多个功率消耗IGBT和二极管的功率模块的热问题。所有的芯片都安装在一个基板上,这样保证了高压元件和模块壳的电气隔离。不幸的是在大多数情况下基板到散热器的热流通路是高热阻的。如图所示,功率芯片将热从某个角度散出去,这依赖于很多因素,包括基板材料和散热器表面质量。 相似文献