深亚微米薄膜SOI MOSFET的二维数值模拟

本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。     

SOI LDD MOSFET的栅电流的模拟

本文介绍一种采用载流子总量方法分析ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序ＬＡＤＥＳ７联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方案。ＬＡＤＥＳ７可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了ＬＡＤＥＳ７软件模拟的部     

深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

对溶亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用。本文从基本器件数理方程发出，对深亚微米常规及ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤ ＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。     

MOSFET栅电流分布的理论建模

小尺寸ＭＯＳＦＥＴ的强场性,场畸变性和漏区尺度比例的增大,使它的分布效应增强,更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型。本文依据“幸运电子”概念,基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型,建立了ＮＭＯＳＦＥＴ的电子和空穴栅电流的分布模型,空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的,所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程,这将有利于ＭＯＳＦＥＴ热载流子的损伤的     

MOSFET开态热载流子效应可靠性

综述了近年来ＭＯＳＦＥＴ的热载流子效应和可靠性的问题。总结了几种热载流子,并在此基础上详细讨论了热载流子注入（ＨＣＩ）引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为ＭＯＳＦＥＴ热载流子效应可靠性研究奠定了基础。     

深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析

本文从二维模拟热载流子注入电流入手，讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的影响．模拟结果表明，对于不同的硅层厚度，沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用，有时甚至是决定性的作用．沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样，是影响薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的重要因素，这也就解释了以往文献中，随着硅层减薄，沟道电场增大，热载流子效应反而减小的矛盾．模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内（６０～１００ｎｍ），器件热载流子效应     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

Enhancement of light extraction of green top-emitting organic light-emitting diodes with refractive index gradually changed coupling layers

By means of refractive index gradually changed coupling layers, a highly efficient green top-emitting OLED (TOLED) with enhanced light coupling efficiency and stable colors over angles has been realized. The refractive index transition of the coupling layers including the doping layer smoothes light extraction from the semitransparent cathode metal to the air, which is the reason for the enhancement of light coupling efficiency. The doping layer in the coupling layers also acts as a microparticle diffuser to eliminate the shift in EL spectra with viewing angles. A universal simulation has also been carried out, and the result suggests that the light coupling efficiency will be enhanced further if the refractive index transition of the coupling layers is continuous.     

Body effect in tri- and pi-gate SOI MOSFETs

A simple model based on the representation of capacitive coupling effects between the front- and back-gate and the channels, has been developed for tri-gate and pi-gate SOI MOSFETs. The model has been validated using numerical simulation of the body factor in such devices, as well as by experimental results. The body factor is much smaller than in regular, single-gate silicon-on-insulator devices because of the enhanced coupling between gate and channel and because the lateral gates shield the device from the electrostatic field from the back gate.     

耦合间距对SOI微环谐振腔的性能影响

运用MEMS工艺制备了不同耦合间距的微环谐振腔,针对耦合间距与耦合系数、谐振深度的影响,进行了理论分析与仿真,并对结构进行耦合实验测试。测试结果表明,随着微环耦合间距的增加,耦合系数减小,谐振深度变浅,这与理论仿真一致。实际计算了相应的耦合效率、3dB带宽及品质因数,随着耦合间距增大,耦合效率降低,3dB带宽也随之变窄,微环谐振腔的品质因数逐渐提高。研究结果为微环谐振腔的进一步优化设计及其在相关领域中的研究与应用提供了依据。     

Investigation of multiple rectangular aperture irises inrectangular waveguide using TEmnx-modes

With the use of proper aperture basis functions in conjunction with the moment method and TE_mn^x-modal expansion, the coupling effect of transverse irises with multiple rectangular coupling apertures in a rectangular waveguide has been investigated. Numerical studies carried out for twin- and triple-aperture coupling irises have been confirmed by the experiments. The simulation result for a Ka-band bandpass filter realized with triple-aperture irises gives a higher stop-band attenuation than that of a filter with single-aperture irises. The use of TE_mn^x-modal expansion is characterized by the reduction of both computer memory and CPU time requirements during the numerical study as compared with the commonly used TE_mn-TM_mn modal approach     

磁耦数字隔离器瞬态共模抑制性能的电路仿真方法

为解决磁耦数字隔离器的瞬态共模抑制(CMTI)不能准确测试的问题,研究了磁耦合数字隔离器瞬态共模抑制的测试及耦合机理。对耦合电阻、电容两个耦合参数进行了仿真验证,对仿真得到的器件输出波形进行抓取与分析,说明了电路中不同测试条件对仿真结果的影响。以ADI公司的典型磁耦数字隔离器ADUM1200型为例,采用小电容大电阻模型模拟实际耦合,分析并且明确了耦合电容大小状态,验证磁耦合数字隔离器瞬态共模抑制仿真方法是否具有一定的有效性。     

Dual-mode quasi-elliptic-function bandpass filters using ringresonators with enhanced-coupling tuning stubs

A novel microwave dual-mode quasi-elliptic-function bandpass filter structure has been designed and fabricated. The filter uses L-shaped coupling arms for enhanced coupling and dual-mode excitation. The effects of varying the length of tuning stubs and gap size between tuning stubs and ring resonator have been studied. Filters using multiple cascaded ring resonators with high rejection band are presented. The new filters have been verified by simulation and measurement with good agreement     

ZnO镀膜光纤传感器功率耦合效率参数优化

基于ZnO镀膜光纤传感器的几何结构和等效网络模型,建立了目标函数功率耦合效率的数学模型。采用了一种混合粒子群算法对功率耦合效率参数进行了优化,仿真结果表明该算法对于复杂约束下的功率耦合效率模型更有效。通过仿真得到了一系列器件参数数据,对优化后的数据进行了分析,为ZnO镀膜光纤传感器的制作提供了理论参考。     

小纵横比光电器件发射端耦合工艺研究及优化

为了系统研究影响耦合效率的因素,采用仿真和实验的方法建立了半导体激光器与单模光纤的耦合模型,并搭建自动耦合平台,进行了理论分析和实验验证,得到了模型的耦合效率与各个方向位移敏感度的关系以及实际耦合过程中耦合效率与各个方向容忍度的关系。结果表明,耦合效率对水平方向位移最为敏感,其后依次是角度旋转和纵向位移; 仿真与实验最大耦合效率分别为64.29%与51.46%,误差在合理范围之内,结果具有较高可信度。这一结果对实际光电器件封装耦合效率的提高是有帮助的。     

共面波导馈电蝶形开口振子缝隙天线

讨论了共面波导(CPW)馈电蝶形开口振子缝隙天线。在缝隙振子天线两端加入蝶形开口结构,形成振子蝶形组合结构天线。使用有限元仿真软件(Ansoft HFSS)分析了设计的天线,结果表明组合结构天线具有振子天线与蝶形天线的优点:蝶形天线的宽带特性与振子天线的高增益特性,整个天线的性能得到提高。使用了两种馈电方式:感性耦合和容性耦合,感性耦合时组合天线的带宽特性较好,从振子天线5.9%提高到10.32%;容性耦合时增益特性较好,从振子天线的3.19dB提高至6.27dB。分析了衬底厚度对天线的影响,衬底厚度的增加使谐振频率降低,但对天线带宽的影响不大。     

多天线互耦FEKO仿真的功率分配方法

以八木天线为例说明多天线系统中天线间的互耦问题,并给出了软件仿真此问题的解决思路和实际效果。通过两个偶极子天线的仿真说明了固定功率激励问题的功率分配仿真的实现方法,对考虑互耦影响下多天线系统的功率分配问题的软件仿真有积极的参考意义。