磁控溅射法制备Cu/ITO薄膜及其耐蚀性能研究

采用磁控溅射技术在ITO基底上制备出了Cu薄膜,考察了溅射压强和溅射功率对Cu薄膜微观结构的影响,采用电子扫描显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌和结构进行了表征,并采用电化学腐蚀实验研究了薄膜的耐蚀性能。结果表明：随着压强从3 Pa增加到8 Pa,薄膜的晶粒尺寸先增加后减小,结晶度先减弱后增强,压强的增大有利于表面粒子的扩散,使薄膜更加平整,但对表面粗糙度影响不大,压强为5 Pa时,晶粒尺寸较大。溅射功率对薄膜的结晶度和晶粒尺寸影响较大,随着功率从200 W增加到400 W,薄膜的结晶度逐渐增加,功率增加到400 W时,晶粒尺寸明显增加,此时薄膜表面粗糙度较大。晶粒尺寸的增加有利于增强薄膜的耐蚀性能,表面粗糙度的增加使薄膜耐蚀性减弱。在压强为5 Pa,功率为200 W和400 W时,所得薄膜耐蚀性较好,铜薄膜的耐蚀性由薄膜的晶粒尺寸、表面粗糙度等因素共同决定,二者对其耐蚀性影响呈现出一种竞争关系。     

磁控溅射法制备As-S玻璃薄膜

采用磁控溅射法在ITO导电玻璃上制备As-S玻璃薄膜,采用XRD、透可见-红外性能、扫描电镜、XPS等现代测试手段,研究薄膜的结晶形态、光学性质和成分。结果发现,利用磁控溅射方法得到了透过率较高、光学质量优良、没有明显的缺陷的As-S硫系玻璃薄膜,XPS光电子能谱结果显示薄膜As/S摩尔比为0.686,大于设计组成。     

磁控溅射法制备氮化硅薄膜的耐磨性研究

氮化硅(Si_3N_4)薄膜具有化学稳定性高、电阻率高、绝缘性好、光学性能良好(其折射率在2.0左右)等特性。同时氮化硅膜是一种很好的耐磨材料,其铅笔硬度理论上可以达到9H以上,通过在其它的镀膜产品上加镀一层氮化硅膜,可有效改善原有镀膜产品的耐磨性,避免膜层出现膜面划伤而造成的外观不良。本文主要研究采用中频磁控反应溅射制备氮化硅薄膜,氮化硅薄膜的耐磨性能取决于镀膜过程中的各种工艺参数,包括:N_2/Ar比、沉积温度、溅射功率、膜层厚度2等。通过对不同工艺条件下镀制的氮化硅薄膜的耐磨性及膜层结构进行对比,筛选出具有优良耐磨性能的氮化硅薄膜的工艺参数。     

磁控溅射法制备AlN薄膜的研究进展

综述了各种沉积条件对磁控溅射技术生长氮化铝薄膜的微观结构,电学以及光学性能的影响。采用磁控溅射技术,可以选用在适当的条件下制备具有特定功能与结构优良的氮化铝薄膜。     

磁控溅射法制备钨酸锆薄膜

在不同的气氛下,利用射频磁控溅射法在石英基片和硅片上制备了ZrW2O8薄膜.利用台阶仪和划痕仪测量了溅射薄膜的厚度和结合力,利用X射线衍射及原子力显微镜对薄膜的物相和表面形貌进行了分析和观察.初步研究了沉积条件对生长薄膜的厚度、附着力、相成分和表面形貌等的影响.结果表明:纯氩气下溅射的ZrW2O8薄膜最厚,膜基结合力随膜厚的增加而减小,溅射所得薄膜为非晶态,热处理后薄膜中出现了钨酸锆相,薄膜的表面形貌随气压的降低变得光滑.     

多孔Cu2S@MoZn薄膜对电极的制备及其性能研究

本文采用磁控溅射法,以钠钙玻璃为基底,溅射一层MoZn合金为导电衬底,用盐酸刻蚀掉活泼金属Zn,获得多孔MoZn导电薄膜,再通过旋涂法,在多孔薄膜上涂上一层Cu_2S纳米晶作为催化材料层,经过高温退火处理,得到多孔Cu_2S@MoZn薄膜对电极。将其与CuInS_2敏化的光阳极、多硫电解质共同组成量子点敏化太阳能电池,采用扫描电镜、XRD、电池的J-V曲线测试、IPCE测试来表征和分析多孔Cu_2S@MoZn薄膜对电极的性能。     

磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜

在单晶硅基片上用磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜.用X射线衍射分析薄膜的物相组成,用原子力显微镜和扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察和分析,利用X射线光电子能谱技术对薄膜中各元素沿深度的分布情况进行检测.结果表明:溅射所得薄膜为非晶态钨酸锆与氧化铜的复合薄膜,快速热处理和氢气还原后得到立方相钨酸锆与铜的复合薄膜,在760 ℃下热处理钨酸锆的结晶度最好,而在740 ℃热处理的薄膜质量最佳,薄膜中各成分沿厚度方向呈梯度分布.     

磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池

为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS2的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO2/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层.结果表明:SnO2以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失以及MoS2层的形成,而且在590℃的硫化温度下能制备出表面平整、晶粒致...     

磁控溅射法制备铁氧体薄膜的磁性能研究

采用溶胶-凝胶法制备纳米晶镍锌钴铁氧体/二氧化硅复合粉体,并将该粉体制成靶材.采用磁控溅射法在单晶硅基底和玻璃基底上沉积镍锌钴铁氧体复合薄膜,并对其进行磁性能研究.研究结果表明:镍锌钴铁氧体/二氧化硅复合薄膜具有较好的软磁性能;在相同的溅射条件下,两种基片上的薄膜的矫顽力都较小,但硅基片上薄膜的饱和磁化强度较玻璃基片上的大,软磁性能更好;经后退火处理,薄膜的饱和磁化强度得到明显地提高,软磁性能得到改善.     

ITO薄膜射频磁控溅射法制备及性能研究

以10%SnO2和90%In2O3(以质量计)烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃基片成功地制备出光电性能优异的ITO透明导电薄膜。研究了基片温度和氧分压溅射工艺参数对ITO薄膜的结构和光电性能的影响。实验结果表明,采用氧化铟锡陶瓷靶射频磁控溅射制备的ITO薄膜沿(222)晶面生长,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带随着衬底温度和氧分压的升高向短波长方向漂移。     

工艺因素对磁控溅射法制备钛酸锶钡薄膜性能的影响

磁控溅射技术在薄膜制备领域有着广泛的应用.本文在介绍磁控溅射法制备薄膜材料的基本原理和流程基础之上,详细分析了溅射工艺参数(溅射功率、温度、溅射气压、氧分压)对BST薄膜性能的影响,并提出了研究中需要解决的一些问题.     

磁控溅射偏压对Cr薄膜密度以及表面形貌的影响

利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品。用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化。发现当偏压小于300 V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300 V时薄膜密度最大;当偏压大于300 V时,薄膜密度减小。另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布。     

用微波ECR等离子体增强磁控溅射沉积法在玻璃上镀膜

利用微波ECR等离子体增强磁控溅射沉积技术在玻璃表面制备了硅膜.研究了所得硅膜的表面形貌、附着力和化学稳定性及其红外-可见光谱特性.结果表明此法制备的硅膜均匀性好,附着力及化学稳定性高,对近红外波段有较低的透过率和较高的反射率.     

Photocatalytic Water Splitting on Visible Light-responsive TiO2 Thin Films Prepared by a RF Magnetron Sputtering Deposition Method

The development of visible light-responsive TiO₂ (Vis-TiO₂) thin films has been achieved by applying a radio-frequency magnetron sputtering deposition (RF-MS) method. Pt-loaded Vis-TiO₂ thin films act as photocatalysts to decompose water involving sacrificial reagent such as methanol or silver nitrate even under visible light (λ ≧ 420 nm) irradiation. It was also found that Pt-loaded Vis-TiO₂ thin films decompose pure water into H₂ and O₂ stoichiometrically under light irradiation of wavelengths longer than 390 nm. Vis-TiO₂ thin films exhibit columnar structures perpendicular to the substrate and a declined composition of the O/Ti ratio from the surface (O/Ti = 2.00) to bottom (O/Ti = 1.93). This unique structure (anisotropic structure) of Vis-TiO₂ can be considered an important factor in the modification of the electronic properties of Vis-TiO₂ thin films, enabling the absorption of visible light. Furthermore, the effect of the Pt loadings on the photocatalytic activity of the TiO₂ thin films was investigated and the optimum Pt loading was determined to be 21 μ g/cm² as Pt metal     

磁控反应溅射制备钇掺杂TiO_2薄膜的研究

采用混合靶直流磁控反应溅射法,在玻璃基体上溅射沉积了含有氧化钇的TiO2薄膜.X-射线光电子能谱分析结果表明,薄膜是由Y2O3和TiO2复合氧化物组成的.钇的存在会抑制薄膜中二氧化钛晶体的形成.薄膜的紫外可见光谱透射率略有下降,而反射率有所增加.钇的掺杂对二氧化钛薄膜的光催化活性起负作用,光催化降解甲基橙反应的活性随钇含量的增加而下降.     

氧化钒薄膜制备方法专利技术分析

氧化钒由于其独特的光电性能在红外探测器、光电调节器、智能窗、光存储及传感器等应用领域备受关注。对制备氧化钒薄膜采用的专利技术进行了梳理,对日后氧化钒薄膜的制备及性能优化具有很好的指导意义。     

Cu_3N薄膜制备及其性能研究

Cu3N薄膜的晶面取向、沉积速率、电学特性等性质除与制备方法有关外,还和制备工艺参数有很大关系。溅射法制备Cu3N薄膜工艺参数主要有,混合气体(N2+Ar)中氮气分压比r、基底温度T(℃)、溅射功率P(W)。为了研究Cu3N薄膜的性能与其制备工艺参数之间关系,本文采用反应射频磁控溅射法,在玻璃基底上成功制备了Cu3N薄膜,并研究了工艺参数对其晶面取向、膜厚、电学性能、沉积速率的影响。     

磁控溅射Ta-C-N薄膜摩擦学性能研究

采用磁控溅射法在Si基片上沉积非晶态Ta-C-N薄膜。利用纳米压痕仪表征其纳米硬度和弹性模量;摩擦磨损实验检测其摩擦学性能;光学轮廓仪和扫描电镜观察磨痕形貌。结果表明:Ta-C-N薄膜具有较高的纳米硬度9.45 GPa和弹性模量225.71 GPa,同时具有较低的摩擦系数0.238,磨损率5.94×10-6 mm3.N-1.m-1,磨面较为平整光滑,体现了优越的摩擦磨损性能。