美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

英特尔与美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技近日预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显着减小芯片的尺寸。     

中国闪存市场2009年度盘点

随着需求再度涌现，业界都非常看好2010年NAND闪存市场，然而调货和库存管理能力将成厂商最大的考验。谁能掌握NAND闪存芯片货源，谁便是最后的赢家。     

东芝推出43nm的SLCNAND闪存成为市场上最高密度芯片

东芝宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存,产品容量从512Mb到64Gb,共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种,结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片,这是市场上最高密度的芯片。新产品运用领先的43nm制程技术和增加数据存储的先进技术,将每块芯片的容量提升到了以往56nm的SLC产品的2倍。从而为需要更高性能和可靠性的设备提供服务。与MCLNAND闪存相＼Ⅶ,新产品的写入速度约为2．5倍。     

Astoria大容量存储控制器加速手机连接

赛普拉斯(Cypress)半导体公司近日推出了一款支持多层单元(MLC)NAND闪存的新型West Bridge外设控制器Astoria.Astoria控制器最高可支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了三倍.     

JFFS:日志闪存文件系统

1闪存技术简介 1．1闪存 闪存是电子可擦写只读存储器（EEPROM）的一种，主要有两种类型——传统的NOR闪存和最近出现的价格更低廉的NAND闪存。这两种闪存有一个共同的特征——在被擦除的芯片中，每一个位都被置成逻辑1，可以被写操作置为逻辑0。闪存芯片以块的形式安排，通常NOR闪存一块的容量是128KB，NAND闪存是8KB。     

手机将会成为NAND闪存市场最大推动力

2005年,NAND闪存凭借面积小、容量大、成本低的优势在市场规模上首次超越NOR闪存,目前,NAND闪存已经被广泛应用于数码相机、MP3等需要大容量存储的产品中。美光NAND闪存产品经理BillLu表示,手机将会成为NAND闪存最大的市场推动力。他指出,目前大部分的2G手机中需要存储的数据量     

NAND闪存芯片供不应求价格将在三季度上涨

据iSuppli称,随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品,今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。iSuppli高级半导体分析师RickPierson说,当市场供货量紧张的时候,平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。今年第二季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势,但是,智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件,从而产生了额外的存储需求。     

东芝NAND闪存市场传捷报

2006年第一季度，东芝公司在NAND闪存市场斩获颇丰。作为NAND闪存第二大供应商，东芝一季度的收益为8．01亿美元，比上个年度第四季的6．8亿上升18％。东芝的佳绩同时拉动日本NAND闪存芯片在全球市场占有率，由上个年度第四季的19．2％迅速攀升至一季度的24．6，增长了5．4％。     

赛普拉斯West Bridge控制器适用于PMP、PND、无线网卡及其它嵌入式应用

赛普拉斯半导体公司推出了一款具备多层单元(MLC)NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器,可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持.这款West BridgeAstoria?控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了3倍.     

Spansion e.MMC存储新品提供更安全可靠的数据保护

近日,嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司宣布推出面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。新的e.MMC NAND闪存提供8GB和16GB存储密度,工作温度范围为-40℃到＋85℃,可满足上述市场对可靠、更高密度存储日益增长的需求。最新推出的Spansione.MMC闪存系列完善了Spansion领先业界的并行和串行NOR闪存以及面向嵌入式应用的SLC NAND闪存产品组合。     

苹果预付5亿美元与东芝签闪存长期供货协议

苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。     

赛普拉斯新型West Bridge控制器提供层多单元闪存支持能力

赛普拉斯半导体公司日前推出了一款具备多层单元（MLC）NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器，可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria控制器最高支持16个MLCNAND闪存设备，而MLCNAND闪存与相同存储密度的单层单元（SLC）NAND闪存相比。其成本降低了三倍。     

美光在NAND竞争中独树一帜

美光科技公司于2006年推出了针对手机和其他便携式设备的Managed NADA闪存技术。Man-aged NAND闪存使用了美光公司的多芯片封装(MCP)技术,在一个小型的BGA封装中结合了高速多媒体卡(MMC)控制器和NAND闪存。     

英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

英特尔和美光近日公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位（相当于8GB）。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。     

闪存市场开始NAND和NOR融合

闪存已经在DVD播放机、数码相机、MP3播放机、数字有线机顶盒／卫星机顶盒、数字电视和可拍照手机等消费类电子产品中得到广泛应用，在目前的闪存产品中，主要有NOR和NAND两类，目前以NOR类产品在市场中居于主导地位。2003年，NAND闪存占整体市场的35％左右，而包括多芯片封装产品在内，NOR则占据了剩余的65％，其中多芯片封装产品的份额是闪存整体市场的17％。     

NAND闪存市场版图将面临重新分割

最近NOR和NAND闪存市场风云变化实在让人眼花缭乱,根据市场调研公司iSuppli日前发布的报告,各大NOR闪存供应商在2005年第四季度的销售收入都取得了不错的增长。此前排名第一的intel被排名第二的Spansion超越,意法半导体则稳居第三。不过因为NOR闪存芯片自身的应用主要是在手机和机顶盒中存储代码,而这二个市场的增长速度相对较慢,离2004年的顶峰水平尚有不少差距,而且各大厂商还摇望扭亏为盈,所以NOR闪存业务未来发展面临的挑战性依然不小。都说几家欢喜几家愁,与NOR闪存市场的缓慢增长形成鲜明对比的是NAND闪存市场的一路高歌,有…     

Spansion公布未来三年发展规划ORNAND闪存初露锋芒

一直以来,闪存市场硝烟不断,形成了以NOR和NAND闪存相互对垒的两大阵营,关于NOR和NAND的争议也一直没有停止过。而以生产NOR闪存著称的Sparision公司在最近发布了一系列基于该公司MirrorBit技术的闪存产品发展战略和研发计划,其中最引人注目的就是ORNAND架构的推出。结合了NOR、NAND各自优势的ORNAND闪存似乎可以让我们暂时停止关于NOR、NAND架构熟优熟劣的争论。MirrorBit技术     

与NAND Flash正面交锋Spansion舞剑意在数据闪存市场

以往NOR闪存与NAND闪存的应用市场可说是泾渭分明,前者多为小容量、代码应用,后者则主要用于大容量数据存储.然而Spansion所推出的ORNAND闪存却极有可能打破这样的界线,因为它同时具备了NOR闪存的高可靠性和快速读写能力以及NAND闪存高容量、低成本特色,大有与NAND在数据闪存市场一争高低的能力.     

多通道NAND闪存控制器的硬件实现

本文提出了在一款片上系统(SOC)芯片设计中的多通道NAND闪存控制器实现方案。在对NAND闪存控制器的结构和实现方法的研究上,闪存控制器利用带两个16K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理4个通道,每个通道可以连接4片闪存芯片。控制器内嵌16比特BCH纠错模块,支持AMBAAHB总线与MLC闪存。文中还介绍了行地址计算与快闪存储器存储单元的初始化。结果分析里给出了控制器的仿真波形、功耗分析和综合结果。在一个存储组与一个通道的配置条件下,控制器的实现只需要71K逻辑门。