镀SiO_2膜玻璃基片上SnO_2∶Sb薄膜的溶胶-凝胶法制备及表征

用溶胶凝胶法在已镀SiO2膜的钠钙硅玻璃和没有镀SiO2的钠钙硅玻璃基片上镀制了锑掺杂摩尔分数为8.0%的二氧化锡薄膜。对不同热处理温度下薄膜样品的结构和性能进行了表征。结果表明:在673～823K范围内热处理60min时,薄膜以四方相金红石结构存在;随着热处理温度的提高,晶面衍射峰由宽化趋向尖锐,结晶逐渐完善;薄膜中的Sn以+4价的形式存在,掺杂的Sb以+5和+3价形式存在;当温度为673K和723K时,凝胶中的C没有完全燃尽,以C—O和CO形式存在于薄膜中。镀膜样品的可见光平均透过率随热处理温度的升高而增大;在热处理温度相同时,预先镀有SiO2膜的玻璃基片上制备的锑掺杂二氧化锡(ATO)薄膜的方块电阻较没有镀SiO2的小。     

镀SiO2膜玻璃基片上化学气相沉积法制备SnO2:Sb薄膜

采用化学气相沉积法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上制备了Sb掺杂SnO2(antimony-doped tin oxide,ATO)薄膜.研究了基板温度、基板输送速度和氮气流量对ATO薄膜结构和性能的影响.用X射线衍射仪、扫描电镜、X射线光电子能谱仪、紫外-可见光谱仪、双光束红外分光光度计对薄膜的结构、形貌和成分进行了表征.结果表明:沉积温度为490 ℃以上时,薄膜主要以四方相金红石结构存在.随着基板输送速度的提高,薄膜择优取向由(110)转变为(200).薄膜中掺杂的Sb以Sb5 的形式存在;当基板温度为530 ℃时,薄膜表面的C没有完全燃尽,以C-O形式存在于薄膜中.薄膜的可见光透过率随基板温度的升高而增大.具有(110)择优取向的薄膜的红外反射性能较好.     

溶胶-凝胶法制备SnO2：Sb光学薄膜

以无机金属盐氯化亚锡（SnCl2·2H2O）和三氯化锑（SbCl3）为原料,用溶胶-凝胶法制备了掺锑与不掺锑的二氧化锡低辐射镀膜玻璃。研究了掺杂量、涂覆层数、热处理制度对制得的镀膜玻璃透光率的影响规律,并利用XRD测定了薄膜的微结构。     

导电纳米颗粒对Sb:SnO2薄膜性能影响研究

采用水热晶化法,通过控制水热反应条件、溶液的浓度以及矿化剂的种类等因素,制备出分散性及导电性良好的SnO2纳米颗粒.采用溶胶-凝胶浸渍镀膜的方法制备Sb掺杂SnO2薄膜,在镀膜溶液的配制过程中引入SnO2纳米颗粒悬浮液,经陈化后最终得到镀膜溶液.采用van der Pauw法、UV/VIS分光光度计以及Fourier变换红外光谱仪研究和分析了添加纳米颗粒对膜层导电性能、光学性能以及膜层结构的影响;采用场发射扫描电镜研究了膜层的表面形貌.结果表明导电纳米颗粒的加入可有效提高膜层的导电性能,当SnO2纳米颗粒添加质量分数为10%时,膜层的电阻率为6.5×10…3Ω·cm;添加和未添加纳米颗粒的膜层的可见光透过率均为85%.纳米颗粒参与了溶胶-凝胶制备薄膜网络的形成,提高了膜层结构的连续性,从而使膜层具有较好的导电性能和光学性能.     

溶胶—凝胶法制备SiO2玻璃

采用ＴＥＯＳ－ＥｔｏＨ－Ｈ２Ｏ－ＨＣｌ体系原料,应用低温合成技术制备了ＳｉＯ２玻璃。对合成材料进行了差热－失重分析,Ｘ射线衍射分析,红外透射光谱分析及理化实验,结果表明,无序ＳｉＯ２四面体网络已经形成,固体物理状态可控制为晶态,非晶态。     

溶胶—凝胶法制备Li2O—SiO2凝胶玻璃

用溶胶－凝胶法制备了Ｌｉ２Ｏ－ＳｉＯ２系统凝胶及其玻璃。研究了溶液水硅比,醇,硅比对溶液胶凝时间的影响,利用ｘ－射线衍射与扫描电镜技术研究了１８Ｌｉ２Ｏ－８２ＳＩＯ２组分的析晶与分相特征。     

不同先驱体溶胶-凝胶法制备的硫化锗玻璃薄膜

分别使用氯化锗和正锗酸乙脂为溶胶-凝胶先驱体,用2种不同的操作步骤制备溶胶,采用旋转涂膜技术在单晶硅片和玻璃基片上制备了硫化锗薄膜。对所获得的样品进行了X射线衍射、远红外和Raman光谱测试,并用扫描电镜观察薄膜形貌。结果表明：采用不同先驱体制备的溶胶-凝胶硫化锗玻璃薄膜其玻璃结构具有差异,并导致薄膜折射率的不同;由GeCl4所得玻璃薄膜为富锗相,其折射率约为2、8;而由Ge(OC2H5)4所得玻璃薄膜为富硫相,折射率约为2．2。     

溶胶—凝胶法制备TiO2—SiO2玻璃的研究

讨论了溶胶－凝胶法制备组分范围为ｘＴｉＯ２（１００－ｘ）ＳｉＯ２（ｘ＝５,１０,２０,３０ｍｏｌ％）的掺杂ＣＯ２。研究了各种掺杂条件对掺杂玻璃物化性能及结构的影响,ＴｉＯ２－ＳｉＯ２玻璃结构均一,反射率较高,透光性良好,能广泛应用于光学元件,如光学纤维等。     

溶胶-凝胶法制备氧化铝薄膜

以Al(NO3)3·9H2O作为前驱体制备AlOOH溶胶,通过提拉法在不锈钢表面形成氧化物薄膜。探讨了热处理制度和表面处理对薄膜形成过程的影响,并通过XRD和SEM等分析手段对氧化铝薄膜形成过程的物相组成和表面质量进行了分析。实验结果表明:温度在500～800℃,升温速率控制在1.5℃/min,可以得到表面致密的氧化铝薄膜,所制得的薄膜成分以晶态氧化铝和非晶态氧化铝共存,其中晶态氧化铝以γ-氧化铝的形式存在。     

纳米氧化钛多孔薄膜的溶胶-凝胶法制备及其结构特征

采用溶胶-凝胶技术，以钛酸丁酯[Ti(OC4H9)4]为前驱体，加入聚乙二醇(polyethylene glycol，PEG)作为模板剂，在玻璃基片上制备了纳米氧化钛多孔薄膜。通过SEM观察了多孔薄膜的表面形貌，通过IR及XRD的测试分析表征了材料的结构，探讨了样品在溶胶-凝胶及烧结过程中的物理化学变化，测定了氧化钛的晶相成分。实验结果表明：通过调整H2O／Ti(OC4H9)4摩尔比及PEG的添加量可得到孔径范围在50～500nm且孔径可调的多孔氧化钛纳米薄膜，此外成膜过程中的升温速率是决定薄膜孔结构优劣的一个重要因素。     

溶胶-凝胶法制备晶粒择优取向铁电薄膜的研究

本文综述了用溶胶－凝胶法制备择优取向铁电薄膜的工艺方法、特点和机理的最新研究进展；详细分析溶胶－凝胶法制备择优取向铁电薄膜的影响因素，探讨了晶粒择优取向生长的机理。     

溶胶-凝胶法制备中孔炭材料及其表征

以正硅酸乙酯为无机模板硅源，蔗糖为炭前驱物，采用溶胶-凝胶法制得了比表面积达1073．36m^2／g，孔径分布集中，平均孔径为2．75nm的中孔炭材料，并采用FT—IR、N2吸附、TG—DTA和XRD等分析手段对其进行了表征。     

制备工艺对SnO2:Sb透明导电膜性能的影响

将SnO2：Sb和SbCl3分别溶解于乙醇中，搅拌至完会溶解，以不同的Sb／Sb混合制备得到溶胶后，分别采用浸渍提拉、喷涂、旋涂工艺制备透明导电膜，并考察了不同制备工艺及热处理温度对膜的厚度、薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响，运用XRD、SEM、TEM对所制备的透明导电膜进行了分析表征。     

纳米SiO2包覆Al2O3浓悬浮体制备及其凝胶注模成型

采用硅溶胶等制备纳米SiO2包覆Al2O3微复合体系,凝胶注模工艺制备莫来石陶瓷,着重研究了低粘度高固含量浓悬浮体系的特性及其凝胶注模成型坯体的性能.研究表明按莫来石理论组成将Al2O3颗粒分散于质量分数为30.3%的硅溶胶中,纳米SiO2胶粒吸附于颗粒表面,形成30～50 nm的SiO2包覆层,其中已形成Si-O-Al-O键.纳米SiO2包覆Al2O3浓悬浮体系的最佳分散条件在pH=9.0左右,利用SiO2包覆层的静电位阻稳定作用,可直接制备低粘度、高固含量浓悬浮体系,固相质量分数为76%的浓悬浮体表观粘度为975 mPa·s;固相质量分数为76%,有机单体质量分数为7.7%,采用凝胶注模工艺,所得坯体结构均匀、致密,相对密度达63%,抗折强度达5.85 Mpa.     

电致发光用SnO2:Sb透明导电膜的制备及性能

采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜,并考察了Sb3 的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响,以及不同的处理方法对薄膜透过率的影响,制得透明导电膜的电阻率最低可达ρ=16×10-3Ω·cm,薄膜连续性、致密性好,平均透光率达到90%以上。对所制备的透明导电膜用XRD、FT-IR、SEM、TEM进行了分析表征。     

TiO2薄膜的低温制备及紫外光催化降解亚甲基蓝

采用旋转涂膜法于60℃下制备TiO2薄膜,对亚甲基蓝溶液进行光催化降解,研究了钛酸丁酯/水的摩尔比、涂膜层数、光照强度、染液初始质量浓度和薄膜重复使用次数对染料降解的影响.结果表明,钛酸丁酯/水的摩尔比1:200,涂膜层数3层,光照强度100W,亚甲基蓝初始质量浓度为2mg·L-1,降解率达到90.3%.薄膜重复使用5次后催化活性基本保持不变.制备的TiO2薄膜具有较高光催化活性,与基材有较好的结合性.     

高反射率Ag-Cu纳米膜玻璃的制备与表征

采用磁控溅射法在玻璃基片上制备纳米Ag薄膜,并在其上镀一层Cu膜作为附着层,利用U-4100分光光度计测量纳米膜玻璃对可见光(380～780nm)和太阳光(340～1 800nm)的反射率;用Auger电子能谱仪测量膜的成分;聚焦离子束和超级扫描电子显微镜测量双层膜中单层膜的厚度.结果表明:膜厚小于110m的银膜,反射率随膜厚增加而变大,当膜厚大于110nm时,其反射率趋于一定值,附着层Cu膜对膜玻璃反射率影响不大.另外,在膜厚一定的情况下,随着玻璃厚度的增加,膜玻璃反射率逐渐减小.膜玻璃对可见光的反射率可以达到97.85%,太阳光的反射率可以达到96.74%.采用聚焦离子束和超级扫描电子显微镜相结合的方法测量多层膜中单层膜的厚度,得到了较好的结果.