不同基体上化学气相沉积钽

讨论了过程参数对沉积动力学、涂层的过渡层、形貌、结构和晶体生长的影响,并阐述了沉积动力学与涂层形貌、显微结构,性质间的关系。     

化学气相沉积制备SiC涂层—Ⅱ.动力学研究

对Ｈ２－ＭＴＳ体系化学气相沉积制备ＳｉＣ涂层进行了实验研究。结果表明，热力学计算能够对Ｈ２－ＭＴＳ体系单相ＳｉＣ的沉积进行很好的预报。动力学实验显示：在８００￣１０００℃之间，沉积过程由化学动力学控制，此时ＭＴＳ热解为一级反应，反应活化能为１９９ｋＪ／ｍｏｌ，而在１０００￣１１５０℃之间沉积过程由扩散控制。ＸＲＤ结果显示制备的是β－ＳｉＣ，形态为球形，涂层的生长可以用三维形核生长模型来描述。     

钽在集成电路中的应用

介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜（金属钽，碳化钽，氮化钽，硅化钽，氮化硅化钽，氮化碳化钽）作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层，介绍了钽溅射靶的技术要求，加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法。     

钢基体中碳与铁对化学气相沉积TiN动力学的影响

研究了在碳含量不同搂钢基体上化学气相沉积ＴｉＮ的沉积速率,研究结果表明,随着钢中碳含量的提高,沉积速率呈线性增长,涂层硬度也随碳含量的增加而提高。基于铁的触媒作用,推导出ＴｉＮ的沉积速率方程为Ｖ＝ｈ１＋Ｋ１０×ｘ（Ｃ）;对于碳含量较高的Ｃｒ１２ＭｏＶ钢和碳含量较低的２０钢基体,测得ＴｉＮ沉积表面过程表观活化能分别为１６５．１１ｋＪ／ｍｏｌ和１２０．３８ｋＪ／ｍｏｌ。钢中合金元素对ＴｉＮ沉积速率的影     

化学气相沉积技术与材料制备

概述化学气相沉积技术是一般原理与技术，总结化学气相沉积技术在材料制备方面的发展与应用状况，着重介绍化学气相沉积技术在制备贵金属薄膜和涂层领域的最新进展。     

用低压化学气相沉积法形成钼膜

一种用氢还原五氯化钼膜的低化学气相沉积仪被开发。这种仪器可以使每组25片晶片薄膜厚度的均匀性在±5％以内,并且钼膜不被氧化。研究者发现,与常压下相比,在低压时,可在一个较高的温度下,钼的沉积速率受表面反应的制约,并与表面反应部分氢气分压的3/2成正比。     

高频等离子体化学气相沉积法制氮化硅的化学平衡计算

基于Ｇｉｂｂｓ自由能最小原理，开发了热力学通用程序，分析了以Ａｒ为载气，ＳｉＣｌ４和ＮＨ３为原料，在高频等离子体化学气相沉积反应器中制备Ｓｉ３Ｎ４超细粉的化学热力学过程，得到了在典型条件下系统的主要组成，分析了温度，反应物浓度对平衡组成的影响。通过热力学模拟，发现当ＳｉＣｌ４进料口在前，ＮＨ３进料口在后，且两个进料口均在高频等离子体尾焰处时，经脱ＮＨ４Ｃｌ的产物中氮含量较高，而反应物ＮＨ３与ＳｉＣ     

钢铁表面化学气相沉积TiN的过渡层

研究了3种钢铁样品表面在化学气相沉积TiN时的过渡层、研究中发现Ti与N可以通过TiN涂层与铁形成过渡层,而钢中原有的C也可在气相沉积时向外扩散至TiN涂层中。在TiN沉积过程中,由于N在γ-Fe中的扩散速率远高于Ti,所以纯铁样品的过渡层包括x-Fe+Fe₂Ti+Fe₂N+TiN与x-Fe+Fe₂N两个分层。     

气相还原制备超细微铌和钽粉末

在氩气气氛中，在950℃条件下用氢气还原相应的气态氯化物分别制取了铌和钽的超细微粉末。X射线衍射（XRD）分析结果表明，对于五氯化铌还原产物为金属铌与铌氢化物的混合物，对于五氯化钽还原产物则为金属钽；透射电子显微镜（TEM）分析显示，粉末产物颗粒细小且分布比较均匀，粉末产物的粒径在30～40nm之间。     

化学气相沉积钽的动力学

应用绝对反应速度理论和统计力学到化学气相沉积(CVD)钽上,建立了反应速度模型。实验表明,测定值与计算值间吻合较好。证实了用绝对反应速度理论建立的速度模型的正确性,而且证实了化学气相沉积钽的速度控制环节为表面化学反应。     

化学气相沉积制备粉体材料的原理及研究进展

采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,简称CVD)不仅可以制备金属粉未,也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料.该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料,通过化学气相反应合成所需粉末,因其制备的粉末纯度高,比表而积大,结晶度高,粒径分御均匀、可控,在粉体材料制备方面的应用日趋广泛.该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程.CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤.按照加热方式不同,CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等,用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点,选择合适的气源,开发更为安全、环保的生产工艺,以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证.     

化学气相沉积TiN热力学研究

本文详细分析了TiCl_4-H_2-N_2系化学气相沉积TiN的化学过程及其热力学。计算结果表明:TiN的形成历程是TiCl_4进入体系的初期首先是气相还原反应,当TiCl_4量达到一定程度时还原产物输运到基体表面主要进行的是固气界面沉积TiN的反应。     

化学气相沉积制备SiC涂层：I.热力学研究

对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究，考察了Ｈ２－ＭＴＳ，Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ，Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ，Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系，着重研空了温度、压力、载气量和图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用。     

CH4化学气相渗透沉积提高焦炭热性质研究

热解炭化学气相渗透沉积具有填充和修整焦炭气孔的功能,利用甲烷高温裂解生成的热解炭在焦炭内外表面渗透沉积可达到提高焦炭热性质的目的。试验结果显示,经过渗透沉积的焦炭抗CO4反应能力大幅提高,CRI和CSR明显改善,分别从31．04％降低到20．28％和从63．24％提高到77．69％。此外,试验还发现,反应的最佳条件为甲烷混合气的体积分数为47％,在51L／h的流量和1000℃的温度下反应6h。     

金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上制备了铱薄膜.研究了铱的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铱的加热温度和运载气体(Ar)流速等沉积参数的关系.铱薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程:沉积速率与绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750℃时,铱的沉积速率达到最大值,基体温度对薄膜质量有显著影响;随着以乙酰阿酮铱加热温度的升高,铱的沉积速率直线增加;而Ar流速的增大则显著减小铱的沉积速率.     

化学气相沉积ZrO_2涂层的表面微观形貌演变

采用ZrCl4-CO2-H2-Ar体系,在不同温度或氢气流量条件下采用常压化学气相沉积法(APCVD)通过不同沉积流程在C/C样品表面制备ZrO2涂层。用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析涂层的物相组成和形貌特征。结果表明:随沉积温度升高,ZrO2涂层表面形貌由小颗粒堆积态向大尺寸多晶转变;氢气流量为0时,只在局部区域出现了少量ZrO2,当氢气流量为400mL/min时,ZrO2涂层晶粒尺寸较大且晶体学平面特征最明显;在氢气流量为800mL/min时沉积出现了副产物ZrC与C;在氢气流量为1600mL/min时,出现沉积副产物ZrC;连续沉积时,得到的ZrO2涂层为山峰状形貌。