CPU芯片封装技术的发展演变

本主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变，以及未来的芯片封装技术。同时，从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进，协调发展密不可分的关系。     

芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了芯片封装技术的发展演变及未来的芯片封装技术，从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进，协调发展密不可分的关系。     

CPU芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变，以及未来的芯片封装技术。从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进，协调发展密不可分的关系。     

芯片封装技术的发展趋势

本文介绍了几种新型芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。从中可以看出IC芯片与微电子封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。     

IC封装技术的发展

IC的发展中,封装技术的发展也是非常重要的。芯片的封装在集成电路中是不可缺少的。本文主要综述了集成电路封装的现状,包括现阶段较广泛应用的DIP封装、PLCC塑料有引脚片式载体封装和QFP/PFP方形扁平式/扁组件式封装;现阶段较先进的BGA球栅阵列式封装、CSP芯片尺寸封装和MCM多芯片模块系统封装等技术。同时,对国内外封装技术做了比较,并阐述了我国封装技术相对落后的原因。最后,介绍了集成电路封装技术的发展趋势。     

微电子封装技术的进展

微电子器件首先应封装和组装成子系统。封装与组装技术已成为制约高性能电子系统的关键之一，并不断寻找新工艺、新技术。本文介绍了其总体发展概况、并对芯片封装，电路板丝装与多芯片组件封装等三种基本类型进行阐述。     

富士通开发成功封装新技术,可在2mm的厚度中层叠任意8枚芯片

<正> 富士通日前成功地开发出了可以层叠多枚任意尺寸芯片的新型SIP(System-in-a-Package)封装技术。在2mm的厚度中可内置8个芯片。而该公司此前的封装层叠芯片技术,只能在1.4mm～1.6mm的厚度中嵌入4枚芯片。而且,很难内置相同面积的芯片。因为为了进行引线焊接(Wire Bonding),需要暴露     

CPU芯片封装技术的发展演变

本主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变，以及未来的芯片封装技术。同时，从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进，协调发展密不可分的关系。     

多芯片组件（MCM）技术综述

为了适应目前电路组装高密度要求，微电子封装技术的发展正日新月异，各种新技术、新工艺层出不穷。最新出现的CSP（芯片尺寸封装）更是使裸芯片尺寸与封装尺寸基本相近，这样在相同封装尺寸时可有更多的I／O数，使电路组装密度大幅度提高。但是人们在应用中也发现。无论采用何种封装技术后的裸芯片，在封装后裸芯片的性能总是比未封装的要差一些。     

TSOP叠层芯片封装的介绍

叠层芯片封装技术,简称3D,是指在不改变封装体外型尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点,2006年以来3D技术逐渐成为主流。随着NAND快闪存储器市场的高速增长及3D技术的兴起,加之TSOP封装成本低、柔韧性强,所以TSOP封装得以重新焕发生机。     

CSP引发内存封装技术的革命

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念，它的出现促进内存芯片的发展和革新，并将成为未来高性能内存的最佳选择：     

MEMS封装技术研究进展

介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。     

三星电子推出超薄16芯片堆叠封装

三星电子正在宣扬一种先进的封装技术，该技术能把16块芯片彼此堆叠在一起，而高度只有1．4毫米（如果可以称其为高度的话）。目前还没有把这么多的芯片堆叠在一起封装的任何直接需求，但三星电子的研究人员相信这个方法可以用来把现在常规的多芯片封装（MCP）变得更薄一点。     

CSP引发内存封装技术的革命

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念，它的出现促进内存芯片的发展和革新，并将成为未来高性能内存的最佳选择。     

有机封装基板的芯片埋置技术研究进展

有机封装基板为IC提供支持、保护和电互联,是IC封装最关键的材料之一。系统级、微型化和低成本是IC封装的趋势,将有源、无源元件埋入封装基板,可以充分利用基板内部空间,释放更多表面空间,是减小系统封装体积的重要途径,因此有机封装基板的芯片埋置技术发展迅速。主要介绍有机封装基板的埋置技术发展过程,归纳了有机基板芯片埋置工艺路线类型,着重介绍了近十年不同的芯片埋置技术方案及其应用领域。在此基础上,对有机封装基板的埋置技术研究前景进行了展望。     

多芯片组件（MCM）封装技术

多芯片组件（ＭＣＭ）封装技术是当今世界范围内最新的特殊的封装技术。本文就此技术所涉及的多种技术，其中包括多密度衬底工艺技术、芯片粘贴技术、布局和布线ＣＡＤ技术以及ＭＣＭ的电学分析和测试技术等问题进行了讨论并作扼要介绍。     

新世纪电子器件封装技术展望

扼要分析了电子器件封装技术迅速发展的成因，预测了电子封装新技术的发展方向，深入阐述了引脚布置方式的突破，BGA技术的发展，BGA和倒装芯片结合的优势，CSP产业化的关键，在晶圆片上进行CSP封装的新工艺，以及倒装芯片和CSP封装的综合比校。     

满足互连要求的无铅化工艺和材料

在走向无铅化的道路上，为了能够满足倒装芯片和晶圆级封装、SMT以及波峰焊接的需要，要求对各种各样的材料和工艺方案进行研究。为了能够满足电路板上的倒装芯片和芯片规模封装技术，需要采用合适的工艺技术和材料。采用模板印刷和电镀晶圆凸点工艺，可以实现这一目标。     

高密度封装进展之二——半导体封装技术的发展趋势

本文从超小型封装、超多端子封装、多芯片封装等几个方向介绍了半导体封装技术的发展趋势     

适合于印刷工艺的IndiumTacflux676助焊剂在倒装芯片装配过程中的应用

倒装芯片是一种无弓1脚结构的芯片互联技术,它起源于60年代,由IBM率先研发,具体原理是在I／O板上沉积焊料凸点,然后将芯片翻转加热利用熔融的焊料凸点与基板相结合,此技术代替了常规的打线接合,在封装技术的应用范围日益广泛,己逐步成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式,特别是它可以采用类似SMT技术（印刷）的手段来加工生产效率将有大幅的提升,因此倒装芯片封装技术将是高密度芯片封装的最终方向。