Y_2O_3:Eu~(3+)红色荧光粉的水热合成及性能研究

利用水热法合成了Y2O3:Eu3+荧光粉,并对所制得的样品进行了XRD、SEM以及荧光光谱等表征。荧光测试结果表明,Eu3+掺杂浓度为5%时制备的Y2O3:Eu3+荧光粉荧光强度最好。其最大发射峰位于612 nm,对应于Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁,最大激发波长为240 nm对应于从O2-的2p轨道到Eu3+的4f轨道的电荷转移跃迁。通过对比,发现采用水热法制备的荧光粉要比固相法发光性能更强。     

铌酸钙锶铋的制备及其发光性能的研究

采用高温固相法制备荧光材料CaSrNb2O6：Bi3＋,其中Bi3＋的最佳掺杂浓度是0.2%,Sr2＋的最佳掺杂浓度为0.8%,样品的最宜煅烧温度为1300℃,最佳保温时间为1.5 h,用XRD,SEM以及荧光光谱等手段对所合成的荧光粉进行了表征。结果表明,样品在近紫外光315 nm激发下,产生位于350～600 nm的宽带发射峰。     

硼酸镁微波水热合成、表征及发光性能

以六水合硝酸镁、硼砂、氨水为原料,在微波水热条件下制备硼酸镁基质,经X射线衍射(XRD)、热重-差热分析(TG-DTA)、红外光谱分析(IR)及扫描电镜(SEM)分析表明硼酸镁基质的组成为7MgO·2B_2O_3·7H_2O,形貌为纳米薄片团簇而成的球状花。通过稀土铽(Tb~(3+))掺杂,先微波水热合成硼酸镁荧光粉前躯体7MgO·2B_2O_3·7H_2O:Tb3+,再经焙烧得硼酸镁荧光粉3MgO·B_2O_3:Tb~(3+)。实验表明,前驱体中Tb3+适宜掺杂量为1%(硝酸铽加入量为硝酸镁物质的量的1%),较佳的焙烧温度为650℃;在波长为246 nm激发光下,荧光粉以541 nm绿光发射为主,对应5D4—7F5特征跃迁。当Tb3+掺杂量增大时,由于发生浓度淬灭效应而使荧光粉发光减弱。     

掺铕钼酸钆发光材料的制备及性质研究

以氧化钆(Gd₂O₃)、氧化铕(Eu₂O₃)、钼酸铵(H₈Mo N₂O₄)、柠檬酸(C₆H₈O₇)为原料,采用超声波辅助溶胶-凝胶法成功制备了Gd₂(Mo O₄)₃:Eu³⁺荧光粉发光材料。讨论了Eu离子掺杂浓度和前驱体是否煅烧对荧光材料性能的影响,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱仪(LS)对材料进行表征和分析。结果表明：在403 nm最优激发波长激发下,材料的发射峰位于470～530nm之间,Eu离子掺杂浓度及是否煅烧都会对材料的形貌和发光性能产生影响。     

镓掺杂钒酸钇的制备及其发光性能

采用高温固相法合成钒基荧光材料YVO4:Ga3+,其最佳掺杂浓度是2%,最宜煅烧温度为1100℃。用XRD,SEM以及荧光光谱等手段对所合成的荧光粉进行了表征,结果表明,样品在近紫外光254nm激发下,产生位于350～700nm的宽带发射峰。其中,镓离子浓度逐渐增加到2%时,样品的荧光发射主峰由440nm平移到470nm。     

白光LED用Ca0.5-yWO4∶Eu3+0.25,Li+0.25,Sm3+y红色荧光粉的合成及发光特性

采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca0.71WO4∶Sm3+0.04,Li+0.25和Ca0.5-yWO4∶Eu3+0.25,Li+0.25,Sm3+y(y=0.00,0.02,0.04,0.06),通过X射线衍射(XRD)、荧光分光光度计以及稳态/瞬态荧光光谱仪研究了荧光粉样品的物相、Sm3+的掺杂量对荧光粉发光性能以及荧光寿命的影响.XRD分析表明,合成的样品均为白钨矿结构.荧光光谱表明,所合成的系列荧光粉均可以被近紫外光(393 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,其发射主峰位于615nm处,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁.发光衰减曲线表明,Sm3+的掺杂对荧光粉Ca0.5WO4∶Eu3+0.25,Li+0.25荧光寿命没有影响.实验结果表明,在系列Ca0.5-yWO4∶Eu3+0.25,Li+0.25,Sm3+y荧光粉中Sm3+的最佳掺杂量为4％(摩尔分数).     

Tb3+掺杂钼酸盐玻璃陶瓷的制备及发光性能表征

采用熔融-晶化法制备了Tb3+掺杂的CaMoO4为主晶相的透明钼酸盐玻璃陶瓷。利用DSC、XRD、SEM确定了该体系玻璃样品的最佳热处理制度：715℃保温2.5 h;随着热处理时间的增加,玻璃陶瓷中的晶粒尺寸逐渐变大;利用UV-Vis-NIR得到样品玻璃陶瓷在可见光区的透过率可达80%;并利用荧光光谱讨论了在相同热处理条件下,不同Tb3+掺杂浓度对玻璃陶瓷样品发光性能的影响,研究表明Tb3+掺杂浓度为7.0mol%时样品的荧光强度最大。     

BaWO4:Eu3+/Tb3+荧光粉的制备及其发光性能的研究

采用共沉淀法制备了Eu3+、Tb3+单掺或双掺的BaWO4荧光粉,探究了Eu3+的掺杂浓度、退火温度及Eu3+和Tb3+掺杂摩尔比对荧光粉发光性能的影响.实验结果表明,当反应温度为500℃、退火时间为2h、Eu3+掺杂浓度为5 mol％时,荧光粉发光强度最强.XRD结果表明,样品为立方晶系的BaWO4相.在掺杂Eu3+...     

Sr3B2O6∶Dy3+荧光粉的合成与发光性质

采用高温固相法合成了Dy3+掺杂的Sr3B2O6荧光粉,利用XRD、激发发射光谱以及色度坐标图等研究所制备荧光粉的相纯度、发光性能以及色度坐标位置。XRD测试表明在950℃下煅烧6 h制备的样品结构最佳,激发光谱表明在280～480 nm有一系列的激发峰,于350 nm处出现最强的吸收,发射光谱表明在477 nm和573 nm处分别有蓝光发射峰和黄光发射峰两部分,此系列荧光粉发光均呈白色,这种材料有潜力作为全色显示材料应用于三基色荧光灯中。     

La2O2SO4∶Eu3+的制备与发光性能研究

以La2O3、Eu2 O3和H2SO4为原料,NH3·H2O为沉淀剂,采用共沉淀法合成了La2O2SO4∶Eu3+荧光粉.结果表明pH值对前驱体及其煅烧产物的物相组成有很大影响,适合的pH值为10.该pH值合成的前驱体La2(OH)4SO4·2H2O在空气气氛下400℃煅烧2h能转化为团絮状的单相La2 O2 SO4粉体.在280 nm的紫外光激发下,La2O2SO4∶Eu3+荧光粉呈现红光发射,主发射峰位于620 nm,归属于Eu3离子的5 D0→7 F2跃迁,Eu3+离子的淬灭浓度为10mol％,并且随着煅烧温度的升高,该荧光粉的发光强度增加.     

燃烧法合成掺铕硼酸镧钙荧光粉及其发光性能研究

采用燃烧法合成Eu：La2CaB10O19荧光体,用XRD、SEM并研究了所得荧光粉的形态、粒度和物相,用荧光分光光度计测定了荧光粉的发光性能并与高温固相法制备的粉体对比。结果表明Eu：La2CaB10O19荧光体的晶体结构属于单斜晶系结构。燃烧后所得的前驱体样品在800℃下烧结1.5 h便具有很好的晶相,制备产物粒度在300 nm左右,在395 nm激发下的发射强度跟高温固相法制备的Eu：La2CaB10O19强度接近。     

Eu~(3+)掺杂Gd_2(WO_4)_3荧光材料的合成及性能研究

以钨酸钠溶液和稀土硝酸盐溶液为原料,采用水热法合成技术制备前驱体颗粒,经后续900℃煅烧能够获得结晶性良好、分散性良好的Gd2-xEux(WO4)3荧光颗粒,在此基础上,采用XRD、PLE/PL对材料的合成及荧光性能等进行一系列表征。分析结果表明:Eu3+的掺杂并未改变钨酸钆的结构,在246 nm W-O电荷迁移带(CTB)的激发下,Gd2-xEux(WO4)3荧光粉于617 nm(Eu3+的5D0→7F2)处呈现优异的红光发射,并得到Gd2(WO4)3:Eu3+的猝灭浓度为30at%,与理论计算值一致。     

稀土离子掺杂的氯硼酸锶发光材料的合成及光谱性质

通过高温固相法制备了Sr2B5O9Cl:XEu2+:(0.05-X)Eu3+:YTb3+荧光体,讨论了煅烧温度及掺杂稀土离子Eu3+和Tb3+的浓度对荧光体的发光性能的影响。结果表明,Eu3+和Tb3+的最佳掺入量分别为5%和9%,最佳制备温度是900℃,稀土离子Eu2+、Eu3+和Tb3+掺杂的硼酸锶具有良好的发光性能。     

稀土离子掺杂的氯硼酸锶发光材料的合成及光谱性质

通过高温固相法制备了Sr2B5O9Cl:XEu2+:(0.05-X)Eu3+:YTb3+荧光体,讨论了煅烧温度及掺杂稀土离子Eu3+和Tb3+的浓度对荧光体的发光性能的影响。结果表明,Eu3+和Tb3+的最佳掺入量分别为5%和9%,最佳制备温度是900℃,稀土离子Eu2+、Eu3+和Tb3+掺杂的硼酸锶具有良好的发光性能。     

微波水热法合成Eu~(3+)掺杂GaN材料

采用氧化镓(Ga2O3)为主要原料,以氧化铕(Eu2O3)为掺杂剂,在微波水热条件下合成了亚微米级前驱体。然后经高温氨化合成纤锌矿结构GaN:Eu3+。X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计分别对样品的结构、形貌及光致发光进行了表征。分析结果得出,GaN:Eu3+纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好。GaN:Eu3+纳米粉呈长径比约为8∶1的棒状(直径约600nm,长约5μm);光致发光(PL)显示合成产物GaN:Eu3+发光性能较未掺杂时有较大改善,说明微量稀土掺杂可以提高GaN的发光性能。     

溶胶凝胶法制备的Y3Al5O12:Tb3+,Ce3+的光学性能及能量传递研究

用溶胶凝胶法制备了一系列不同掺杂浓度的Y3Al5O1 2(YAG):Tb3+,Ce3+荧光粉,对其物相、光学性能和能量传递进行了研究.多晶粉末X-射线衍射结果表明,所有样品均为YAG晶相,没有其它杂相.当样品在Tb3+的特征激发峰273 nm激发时,除了Tb3+的特征发射外,还观察到位于467 nm的YAG基质的电荷迁...     

WLED用单基质硅酸盐荧光粉的制备及性能研究

采用溶液-燃烧法制备了Ca2MgSi2O7白光LED用荧光粉,探讨了溶液-燃烧法制备样品的工艺参数并分别对单掺Eu3+和三掺Eu3+,Ce3+,Tb3+在不同浓度下的荧光性能进行分析。通过同等条件下荧光光谱的对比分析发现单掺Eu3+离子,掺杂浓度为金属离子浓度的1%时荧光强度最强;三掺Eu3+,Ce3+,Tb3+的物质的量比为1∶1.5∶1时样品荧光强度最强。     

共沉淀法制备Al2O3:Eu红色荧光粉及其发光性能研究

用碳酸氢铵和氨水混合溶液作为复合沉淀剂制备了Al2O3：Eu红色荧光粉体。采用X射线衍射（XED）对粉体制备过程中的相变进行了研究。通过荧光分光光度计分析了Eu掺杂浓度和煅烧温度对Al2O3：Eu粉体发光性能的影响。研究结果表明：采用共沉淀法制备工艺，经过1050℃煅烧4h，可以得到发光强度高的荧光粉体。Eu^3＋离子的最佳掺杂浓度为1mol％，在波长为254nm紫外光激发下，最强的发射波长出现在614nm附近。     

微乳液法合成Y_2SiO_5∶Eu~(3+)及其发光性质研究

采用微乳液法合成了Y_2SiO_5∶Eu~(3+)系列荧光粉。利用XRD、扫描电镜(SEM)、光电子能谱(EDS)、荧光光谱、色坐标等研究了所制备荧光粉的结构、形貌和发光性能。光电子能谱数据验证了合成样品的离子掺杂量。荧光光谱测试表明,Y_2SiO_5∶Eu~(3+)监测光谱呈现200nm~300nm的宽带吸收峰和Eu3+的系列吸收峰。在253nm紫外光激发下,Y_2SiO_5∶Eu~(3+)材料的发射光谱为一个多峰谱,主峰分别为5D0→7F1(591nm)、5D0→7F2(616nm)的发光峰。当Eu3+掺杂物质的量大于24%时,出现了浓度猝灭现象。通过色坐标图可知,当Eu3+掺杂量为24%时,荧光粉的色坐标(0.503,0.366)与标准的红光色坐标接近,表明Y_2SiO_5∶Eu~(3+)是很好的近紫外光激发下的红色荧光粉。     

Sr1-xEuxMoO4粉体的共沉淀合成及其发光性能

以Na2MoO4溶液为沉淀剂,采用共沉淀法制备了前驱体,在空气中经850～950℃煅烧,合成了Sr1-xEuxMoO4 粉体.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱仪对样品的结构、形貌及发光性能进行了表征.探讨了其合成工艺条件,确定了最佳烧结温度850℃,烧结时间为3h,并确定了当x=0.30时样品的相对发光亮度达到最大值.红色荧光粉的激发峰分别位于394,464 nm,发射光谱中在591 nm和617 nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于617 nm左右,与Eu3+的SD0→7F2跃迁对应,可用于LED,提高其显色指数.