纳米氧化铁粉体的溶胶-凝胶法制备

以硫酸亚铁为原料,柠檬酸为螯合剂,通过溶胶-凝胶法制备Fe2O3纳米粒子,采用X-射线衍射(XRD)和差重-热重(TG-DTA)分析研究了Fe2O3晶相的形成过程,用扫描电镜(SEM)对所制得粉体的表面形貌进行了分析.结果表明,煅烧温度应高于520 ℃,所制备纳米粉体为α-Fe2O3,为球形颗粒,Fe2O3粉体粒度随煅烧温度的升高而增大,煅烧温度为600 ℃时,可获得30 nm的α-Fe2O3颗粒,粉体颗粒大小均匀,分散性好.     

微波辅助溶胶-凝胶法合成YMnO3纳米粉体

采用微波辅助溶胶-凝胶法制备了YMnO3纳米粉体,利用FTIR和TG-DSC对凝胶的组成及热分解过程进行分析,并通过XRD、FSEM、TEM和磁性能测试对制得的纳米粉体进行表征。结果表明:与传统的溶胶-凝胶法相比,该研究中采用的微波辅助溶胶-凝胶法可以在较短的制备时间内、较低的煅烧温度下得到单相的YMnO3粉体,且粉体颗粒细小,尺寸分布较均匀,平均粒径小于100 nm。磁性能研究结果表明制得的YMnO3纳米粉体在室温下表现为顺磁性特征。     

微波烧结制备钛酸锶钡红外探测器材料

以乙酸盐为原料,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为稳定剂,采用sol-gel法制备了Mn掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)凝胶,分析了凝胶的热演化过程,分别用传统烧结和微波烧结技术制备BST纳米粉体。与传统烧结相比,900℃微波烧结0.5h即可合成纯钙钛矿相BST粉体,相同烧结温度下所需时间缩短3/4,有效控制晶粒长大,粉体粒径约60nm。采用该粉体制备的BST厚膜材料,εm>1000,tanδ<0.02,弥散指数降低,是制备大阵列非制冷红外焦平面阵列(UFPA)的优选材料。     

尿素共沉淀法制备Nd:YAG纳米粉体

采用共沉淀方法,以Nd2O3、Y2O3和Al(NO3)3?9H2O为起始原料,以尿素为沉淀剂,制备Nd:YAG纳米粉体,制备的粉体经XRD、TG-DTA、FESEM以及激光散射等测试手段对其结构和形貌进行测试研究。XRD表明,前驱体在900℃煅烧3小时出现了YAG相和YAM中间相,在1000℃及其以上煅烧3小时后已完全转变成YAG相,且随着煅烧温度升高,衍射峰逐步增强,900-1200℃煅烧的Nd:YAG晶格常数值从1.2012nm变化到1.1994nm,颗粒度从31nm变化到96nm,激光粒度仪也给出了类似的变化趋势。TG-DTA结果表明当前驱体加热到1200℃时,粉体总重量损失约为43%。对前驱体进行了水洗和乙醇洗两种洗涤,比较发现乙醇洗涤更有利于Nd:YAG纳米粉体的分散,这些实验结果可为制备优良YAG透明陶瓷粉体提供参考。     

低温溶剂热法一步制备氧化铟纳米粉体

以硝酸铟为原料,尿素为沉淀剂,将反应物溶于乙二醇,放入聚四氟乙烯内衬的反应釜中于200℃反应,采用溶剂热法一步制得In2O3纳米粉体。研究了反应时间和温度对粉体的结构、表面形貌和粒度的影响,并初步探讨了反应机理。结果表明:所制粉体为类球形,平均粒径约为25 nm。制备过程无需高温煅烧、操作简单,所得产物纯度高、粒度均匀、分散性好。     

柔版显示器件用TiO2粉体的制备与性能

以硫酸钛为原料,通过Pechini溶胶-凝胶法制备柔版显示器件用TiO2粉体。SEM和AFM结果表明,以去离子水和无水乙醇混合液为溶剂制备的TiO2粉体为完整的实心球形颗粒,颗粒表面非常光滑,分散性比较好,粒径约为300nm。XRD与TG-DTA结果显示,制得的Pechini凝胶经过煅烧,在500℃时开始出现锐钛矿相TiO2,800℃由锐钛矿相向金红石相转变,900℃转变完全。     

纳米钛酸锶钡粉体的熔盐法制备

以TiO2、BaCO3和Sr(NO3)2为原料,KNO3和KOH为熔剂,利用熔盐法分别在650,750℃下,制备了钛酸锶钡(BaxSr1–xTiO3,简称BST)纳米粉体。研究了不同温度和不同熔盐的配比条件下BST粉体的生长特征。结果表明,熔盐配比和温度的影响显著。当ζ(KNO3∶KOH)为15∶1时,在750℃下反应3h可形成单一相的BST纳米粉体,晶粒度为42nm;当其为9∶1时,在650℃下反应5h便可形成单一相的BST粉体,晶粒度为89nm。     

Pr系ZnO压敏陶瓷的sol-gel法制备及电性能研究

以Zn(N03)2和NaOH为原料,采用sol-gel法制备了Pr系ZnO压敏陶瓷.研究了所制压敏粉体和压敏陶瓷的性能.结果表明:干凝胶在700℃下煅烧2 h,得到球状Pr系ZnO粉体颗粒,平均粒径为200 nm.1 220℃烧结制备的Pr系ZnO压敏陶瓷性能优异:晶粒大小约为3.2μm,压敏电压为910 V/mm,非...     

pH值对共沉淀法制备ZnNb_2O_6粉体性能的影响

以Zn(NO3)2溶液和Nb2O5凝胶为原料,氨水为沉淀剂,采用化学共沉淀法成功合成ZnNb2O6微波介质陶瓷粉体。利用差热分析(DTA)研究了共沉淀前驱体的分解过程,利用XRD跟踪粉体的相演变,TEM对粉体的形貌进行观察,研究了反应pH、煅烧温度对ZnNb2O6粉体物相、粒度的影响。研究发现,煅烧温度在800℃时可合成物相单一的ZnNb2O6,随着溶液pH值的增大,合成的ZnNb2O6粉体晶粒尺寸明显减小。在pH=10,800℃时可合成棒状的,平均粒径尺寸约为100nm的ZnNb2O6粉体。     

用改进的Pechini法制备钇铝石榴石纳米晶粉体

采用改进的Pechini法,使用硝酸化合物作为反应物,柠檬酸氨为螯合剂,聚丙烯酰胺为聚合剂,N-N'亚甲基双丙烯酰胺为网络剂,溶入丙酮的偶氮二异丁腈为引发剂,制得钇铝石榴石(YAG)纳米晶粉体,使用差热分析,XRD,SEM对YAG纳米晶粉体进行分析;相比于其他的方法而言,用改进的Pechini法制备得到的YAG纳米晶粉体结晶完整,物相较纯,形成温度较低(880℃),颗粒大小较好(10nm～30hm).     

烧结制度对BeO陶瓷性能的影响

本文分别采用一次烧成与二次烧成两种烧成方式,利用现有的氧化铍造粒料,制作标准的测试件在不同的烧成温度下烧结成瓷。对不同烧结方式、烧结温度的陶瓷产品的热导率（25,100℃）、体积密度、平均晶粒度进行检测,研究不同烧结制度对氧化铍陶瓷热导率、体积密度、平均晶粒度的影响。     

Secondary emission of beryllia on beryllium

Thin layers of beryllia (BeO) were formed on beryllium (Be) substrates by oxygen-ion bombardment, heating beryllium in air, and by sputtering BeO. The secondary yield (from both secondary and backscattered electrons) was measured relative to BeO thickness and the contaminants present. The carbon content substantially reduces the yield and an expression was introduced to estimate the effect of other low-yield participants. The voltage for highest yield increased with BeO thickness, the yield versus voltage curves were also shown to be dependent on BeO thickness and exhibited sharp maxima. At greater thicknesses, surface voltage charging was suspected but investigation showed that this was not the case     

脱油沥青溶剂热合成碳包覆纳米金属颗粒

以脱油沥青（DOA）为碳源,二茂铁和两性共聚物P123（P123）分别为催化剂和表面活性剂,在甲苯溶剂中于450℃下反应4h,合成碳包覆纳米金属颗粒（CEMNPs）。用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜和X射线衍射对所得产物进行了表征和分析。结果表明：合成了具有核壳结构的碳包覆纳米Fe3O4颗粒,其直径分布在100～300nm之间。研究机理表明产物是在二茂铁的催化作用及表面活性剂P123的组装作用下形成的。     

纳米铜粉的制备——从PCB碱性蚀刻废液回收方法研究

利用碱性蚀刻废液通过化学还原的方法制备纳米铜粉。在碱性条件下用NaBH4作还原剂;表面分散剂和保护剂用聚乙烯比咯烷酮（PVP）、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）;研究结果表明,用碱性蚀刻废液制备纳米铜最佳的条件为：反应温度60℃,反应时间60min,PVP与CTAB的用量为1：5,制备出来的纳米铜粉为单质铜,颗粒粒径在100nm以内。     

稀土掺杂对99氧化铍陶瓷性能的影响

对99BeO分别掺入16种稀土氧化物,系统地研究不同稀土氧化物掺杂对99BeO陶瓷热导率和密度的影响,研究发现：掺入0．1％和0．5％的Tb4O7能够提升BeO陶瓷的热导率,分别达到288w／（m·K）和295W／（m·K）。掺入CeO2,Nd2O3能够提升99BeO陶瓷的密度,在1630℃时烧结时达到2．939和2．927g／cm^3。     

多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon,PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition,PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示,制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长,较高的生长温度下,衍射峰强度较大。SEM结果表明,250℃生长的Z...     

9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴

采用Suzuki偶联反应制备了9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴ATF。热分析结果显示ATF具有良好的热稳定性,其热分解温度为430℃,玻璃化转变温度高达155℃。芘在芴9位的非共轭取代并没有改变共轭三联芴的高效率蓝光发射特点,但ATF的HOMO能级得以明显提高,这意味着空穴注入性能有明显的提高。ATF既可以采用真空蒸镀,又可以采用溶液旋涂的方法制备电致发光器件,旋涂器件（ITO/PEDOT：PSS（40nm）／ATF（100nm）／Ba／Al）的启动电压为7V,最大外量子效率为0．62。     

BeO陶瓷基片表面平整化改性工艺研究

采用在BeO陶瓷基片表面被覆玻璃釉的方法实现基片表面的平整化改性,并利用台阶测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等手段研究不同烧结制度对被釉基片表面粗糙度的影响。实验结果表明,相较于抛光处理的BeO陶瓷基片的轮廓平均偏差和算数均方根偏差值分别为62.8nm和141.9nm,被釉平整化改性的BeO陶瓷基片的参数值可分别降至18.2nm和24.9nm,可实现高效率、低成本的BeO陶瓷基片平整化改性。     

Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能

采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管.在氧气氛350℃低温沉积、原位530℃快速退火工艺条件下,获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电薄膜.PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线,其剩余极化和矫顽场分别为13μC／cm2和48kV／cm.从C-V和I-V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象,记忆窗口约1.1V,＋4V偏压下电流密度为3.9×10－6A／cm2.