Co2Ag98颗粒膜中磁光克尔效应的增强

通过Ar离子束溅射仪制备了Co     

磁光法拉第和克尔效应原理及其测量

介绍了磁光法拉第效应、克尔效应原理及有关的测量方法。     

Co34Cu66颗粒膜的磁光性质研究

详细研究了Ｃｏ３４Ｃｕ６６颗粒膜在不同退火温度下的磁光性质．结果表明：未退火时在测量的能量范围内,位于３．８ｅＶ处有一θｋ峰．随着退火温度的升高,θｋ有不同程度的增加,当退火温度高于２００℃时,可以观察到在２．１ｅＶ附近出现一个θｋ的增强峰．其中２．１ｅＶ处的峰来源于Ｃｕ的带间跃迁,３．８ｅＶ处的峰来源于Ｃｏ．面内和极向Ｋｅｒｒ回线的测量表明：经退火后Ｃｏ颗粒变成平行于膜面的盘状     

Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究

研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱.退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系.     

GaAs衬底上Mn／Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应

利用超高真空电子束蒸发技术GaAs(100）上生长Mn/Sb多层膜,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律,退火前Mn/Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性,其易磁化轴在膜面内,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成,未能观测到纵向（H//平面）克尔效应,经350℃、20min退火的样品显示了最大饱和磁化强度Ms和最小矫顽力Hc,X射线衍射测量表明膜为MnSb单晶并具有均匀的铁磁特性,能观测到显著的要有向和纵向磁光克尔效应,其随磁场变化表现出相应于磁化强度的磁带行为。     

NixSiO2（1—x）颗粒膜的光学和磁光特性研究

用磁控溅射法制备了一系列NixSiO2(1-x)样品,并对部分样品作快速退火处理,室温下采用椭圆偏振光谱仪和磁光谱仪分别为1．5－4．5eV的光子能量区了样品的复介常数谱和极向复磁光克尔谱,研究了这种金属－绝缘体型颗粒膜的化学和磁光性质,发现调整适合的金属含量或对样品作退火处理,可以观察到复介电常数的实部从正到负的连续变化,而且在一定光子能量区,其值为零;介电张量的非对角元和光学常数对其磁光克尔角的增强起重要作用。     

大克尔角磁光材料测试系统试验研究

磁光存储系统中,存储信息的介质——磁光材料膜的读/写性能直接影响了系统信噪比和信号质量,直接擦写等性能指标,因此,研制和开发高性能磁光材料是改善系统性能的直接手段.本文介绍了一个磁光材料读/写性能测试系统以及利用该装置对大克尔角磁光材料MnBiAl样品进行的静态读/写试验,测试结果可以为分析和改进这种新型磁光材料的读/写性能及其实用性提供有益的数据.     

聚焦磁光克尔效应研究坡莫合金图形阵列中的局部磁性

利用聚焦磁光克尔效应(MOKE)研究了不同形状单元组成的坡莫合金图形化阵列的单个单元磁化过程,研究发现单元的形状对单元磁性有很大影响,主要是单元的退磁场和形状有很大关联。研究还发现矩形阵列单个单元的磁滞回线不但与其矩形比有关,与单元间隔和在阵列中的阵列位置也有关。矩形单元易磁化方向沿着其长边方向,而短边方向为难磁化方向,其形状磁各向异性随矩形比而增大。当阵列单元之间的间隔大于单元尺寸时,在阵列中单元的位置对磁性影响相对较少,基本与单个单元的磁性相同。当单元之间的间隔接近单元尺寸时,不同位置的单元的磁性表现出磁各向异性不同,表明单元间的磁相互作用对磁性产生影响。     

磁光记录新材料

介绍了磁光记录的物理原理和最新技术。非晶态稀土-过渡金属合金膜的发现加速了磁光记录的发展，在高密度多层膜记录中，由于他的宽温热磁特性，他记录的热磁斑直径仅数十纳米。为读出这么小的斑点，还必须加快发展更新的读出技术。     

双光束磁光读出系统的偏振态分析

磁光存贮中信号读出的原理是磁光克尔效应。本文利用琼斯矩阵分析了双光束磁光存贮中信号读出系统偏振态的传输情况，并推导出读出信号的表达式；文中还分析了如何选取与读出信号的有关的光学元件的参数。     

Cr—Ag颗粒膜的尺寸效应对光学效应的影响

采用离子束共溅射的方法分别制备了一系列CrxAg1-x(x=19,28,36)样品，经1h的真空退火，通过X射线衍射和原子力显微镜和光学测量，研究了它们在不同退火温度下的结构，表面形貌和光学性质，结果表明其光学性质与颗粒尺寸密切相关。     

Mn／Sb多层膜的磁性和磁光特性

用超高真空蒸发技术在GaAs(100)和玻璃衬底上生长不同厚度Mn／Sb多层膜，并经短时间热退火(～1，20min)．磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性．当多层膜厚度从700l增至1600A时，饱和强度增加了近一倍，极向和纵向克尔角也增加了，但不到一倍．这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度，但不是简单的正比于厚度的关系．增加Mn／Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角．X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn／Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长，对较厚的多层薄膜，热退火的时间可很短(约1min)．     

磁性液体复合体的磁光效应

制备了含强磁性Ｆｅ３Ｏ４的纯磁性液体胶体和掺入聚苯乙烯小球的磁性液体复合胶体样品,系统测量了样品的双折射效应的线二向色性,并对测量结果进行了比较分析,认为磁性液体复合体非磁性小球的不同排列影响了它的磁光特性。     

磁光记录薄膜磁光特性参数测量的外推方法

本文采用自制的一种磁光特性测试仪器和Romberg外推算法,对于SONY公司的一种640M直接重写磁光盘,在245－350K温度范围内,获得它完整的磁光温度特性,包括克尔角与温度的关系曲线和矫元力与温度的关系曲线,其结果与理论模型仿真的结果一致。     

FeAg颗粒膜近红外光学性质的实验研究

研究了FeAg颗粒膜的光学性质.发现当Fe含量较低时,其介函数谱可以近似的用Drude模型描述,同时电子散射弛豫能量是Fe含量的线性函数,利用该性质经定标后可以确定贵金属中的杂质含量.这种方法具有简单易行、测量速度快,无损检测等优点.实验结果还表明,在近红外区,FeAg颗粒膜的介电函数谱并不能用有效介质模型很好的描述.     

电解液中Cu2+浓度对CuInS2薄膜的影响

采用硫化Cu-In-S预制层方法制备出CuInS2、CuIn11S17及两相混合共存的薄膜,其中Cu-In-S预制层通过在含有不同Cu2+浓度的电解液中电化学沉积制得.通过对薄膜的XRD、SEM及EDS的表征,发现当In3+ 和S2O32-浓度不变时,Cu2+浓度的改变对薄膜的性质有很大的影响.在最优的Cu2+浓度下,制备出了单一的、具有理想化学计量比的、禁带宽度为1.5eV的CuInS2薄膜.这种薄膜在后续工作中有望被用作太阳能电池的吸收层.     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的磁光开关效应

在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。