极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

SOI MOSFET的跨导

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的跨导＝Ｔｒａｎｔｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｃｏｌｉｎｇｅ，Ｊ．Ｐ∥ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．Ｌｅｔｔ．－１９８５．６（１１）．－５７３～５７４用背栅偏压作...     

薄膜n沟SOIFET断路期间异常电压的过冲

薄膜ｎ沟ＳＯＩＦＥＴ断路期间异常电压的过冲＝Ａｎｏｍａｌｏｕｓｖｏｌｔａｇｅｏｖｅｒｓｈｏｏｔｄｕｒｉｎｇｔｕｒｎ－ｏｆｆｏｆｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｎ－ｃｈａｎｎｅｌＳＯＩＭＯＳＦＥＴ’ｓ［刊，英］／Ｓｈａｈｉｄｉ，Ｇ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎ...     

在Si衬底上生长高跨导p型Ge沟MODFET

在Ｓｉ衬底上生长高跨导ｐ型Ｇｅ沟ＭＯＤＦＥＴ＝ｐ－ＴｙｐｅＧｅ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＤＦＥＴ’ｓｗｉｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［刊，英］／Ｋｏｎｉｇ，Ｕ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ...     

耗尽态SIMOX MOS晶体管的低频噪声

耗尽态ＳＩＭＯＸＭＯＳ晶体管的低频噪声＝Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｉｎｄｅｐｌｅｔｉｏｎ－ｍｏｄｅＳＩＭＯＸＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｅｌｅｗａ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．－１９９１．３８（２）．－３...     

THE OUTPUT OPTICAL FIELD INTENSITY DISTRIBUTION FORMED BY AN OPTICAL FIBER END

ＴＨＥＯＵＴＰＵＴＯＰＴＩＣＡＬＦＩＥＬＤＩＮＴＥＮＳＩＴＹＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮＦＯＲＭＥＤＢＹＡＮＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲＥＮＤ￥ＹＵＡＮＬｉ－Ｂｏ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＨａｒｂｉｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ...     

用选择氧化物沉淀的7次掩模CMOS工艺

用选择氧化物沉淀的７次掩模ＣＭＯＳ工艺＝Ａ７－ｍａｓｋＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈｓｅｌｅｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｈｏｒｉｕｅｈｉ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，１９９３．４０（８），－１４５５～～...     

适用于短沟道MOSFET亚阈值沟道长度调制的简单二维模型

适用于短沟道ＭＯＳＦＥＴ亚阈值沟道长度调制的简单二维模型＝Ａｓｉｍｐｌｅｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｍｏｄｅｌｆｏｒｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｈａｎｎｅｌ－ｌｅｎｇｔｈｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｉｎｓｈｏｒｔ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｇ...     

用SPICE模拟薄膜SOI／CMOS集成电路

用ＳＰＩＣＥ模拟薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ集成电路＝ＴＦＳＯＩ／ＣＭＯＳＩＣｓｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｕｓｉｎｇｓｐｉｃｅ［会，英］／ＸｉＸｕｅｍｅｉ…∥ＴｈｅＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＴｈｉｒｄＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＳｏｌｉ...     

薄膜SOI／CMOS器件结构的设计考虑

薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...     

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。     

解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

在SIMOX结构中辐照诱生ESR有源缺陷

在ＳＩＭＯＸ结构中辐照诱生ＥＳＲ有源缺陷＝Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄＥＳＲａｃｔｉｖｅｄｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊．英］／Ｓｔｅｓｍａｎ，Ａ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．－１９９０．３７（６）．－２０...     

特服业务综合排队器TECOM—60的功能及其软件实现

特服业务综合排队器ＴＥＣＯＭ—６０的功能及其软件实现王准，陈英ＴＥＬＥＣＯＭ－６０ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＳｐｅｃｉａｌＳｅｒｖｉｃｅｓＱｕｅｕｅＥｑｕｉｐｍｅｎｔ：ＦｕｎｃｔｉｏｎｓａｎｄＳｏｆｔｗａｒｅＩｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎ￥ＷａｎｇＺｈｕｎ；...     

CMOS电流型运算放大器

ＣＭＯＳ电流型运算放大器＝ＡＣＭＯＳｃｕｒｒｅｎｔ－ｍｏｄｅｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌａｍｐｌｉｆｉｅｒ［刊．英］Ｋａｕｌｂｅｒｇ．Ｔ．ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３．２８（７）．－８４９～８５２叙述了全差分输入、差分输出...     

NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

SIMOX掩埋氧化物中与时间相关的电子和空穴陷阱

ＳＩＭＯＸ掩埋氧化物中与时间相关的电子和空穴陷阱＝Ｔｉｍｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔｈｏｌｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｐｐｉｎｇｅｆｆｅｃｔｉｎＳＩＭＯＸｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｂｏｅｓｃｈ．Ｈ．Ｅ．Ｊｒ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．ｓｃ...     

6H－SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是第一只６Ｈ－ＳｉＣ掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ。     

MOSFFT栅极驱动发生器

ＭＯＳＦＦＴ栅极驱动发生器印度Ｃｅｎｔｒｅ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ＴｅｌｍａｔｉｃｓＶ．Ｌａｋｓｈｍｉｎａｒａｙａｎａｎ毫无疑问，功率ＭＯＳＦＥＴ正在日益普及，但是，由于它需要栅极驱动电压，因而人们可能对其某些优点持否定态度。在ＭＯＳＦＥＴ从...     

适于嵌入应用的一种25MS／s8位CMOSA／D转换器

适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...