P2O5掺杂对高磁导率MnZn铁氧体性能的影响

为获得高磁导率MnZn铁氧体材料,研究了P2O5掺杂对MnZn铁氧体微观结构及电磁性能的影响.少量掺杂可使铁氧体晶粒尺寸增大,均匀性改善,起始磁导率提高.但若掺杂过量,晶粒中气孔率增加,起始磁导率下降,损耗也大为增加.在配方为(Zn0.454Mn0.493Fe2 0.053 )Fe23 O4的材料中,当P2O5掺杂量为0.10wt%时,起始磁导率可达10345.     

主成份对MnZn铁氧体材料相对损耗因数与磁滞常数的影响

利用均匀设计的实验方法,改变材料的主成份制备MnZn铁氧体材料.用回归分析的方法分别分析了主成份对起始磁导率μi、相对损耗因数tanδ/μi、磁滞常数ηB的影响.研究发现,材料的以上三个特性受二峰位置变化的影响较大,通过合理的主成份配比控制二峰的位置,可以优化材料的特性.     

Nb2O5掺杂对高频MnZn功率铁氧体微结构和性能的影响.

采用氧化物陶瓷工艺制备了高频MnZn功率铁氧体.从分析材料微观结构入手,研究了添加Nb2O5对MnZn铁氧体起始磁导率μi、电阻率ρ及高频功率损耗Pcv的影响,确定出适宜的Nb2O5添加量为(150～250)×10-6.     

V2O5掺杂对低温烧结MnZn功率铁氧体显微结构及性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备低温烧结MnZn功率铁氧体材料,研究V2O5掺杂对材料显微结构、烧结温度、烧结密度、收缩率、磁导率、饱和磁感应强度及功耗特性的影响.结果表明,随V2O5掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,收缩率增大,烧结密度、磁导率及饱和磁感应强度先增高后降低,功耗先降低后增高.配方采用MnCO3:38.85 mol％、ZnO:10.18 mol％、Fe2O3:50.97 mol％,基础添加Bi2O3:1 wt％并掺杂V2O5:0.5～0.7 wt％,可获得具有高饱和磁感应强度(Bs>380 mT,1.2 kA/m下测量)、低功耗(功率损耗Pcv<500 kW/m3(20℃,1 MHz,30 mT)、高磁导率(1000左右)的性能,显微结构致密,其烧结温度<950℃.     

Co2O3或/和V2O5掺杂对NiZn铁氧体磁性能的影响

一定量的V2O5掺杂有利于NiZn铁氧体烧结温度的降低，且在一定范围内起始磁导率升高；而Co2O3掺于Nizn铁氧体，起始磁导率降低，但损耗特性可得到改善。我们采用Co2O3-V2O5复合掺杂，发现选择适当的配比，在起始磁导率没有大的下降的情况下，烧结温度和损耗特性等其他磁特性可得到较好的改善。     

V2O5含量对Bi2O3-V2O5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制配了(Ni0.16Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了Bi2O3-V2O5复合添加对材料烧结特性和磁性能的影响.结果表明,复合添加bi2O3-V2O5能促进样品致密化、提高起始磁导率和品质因数.当添加0.3wt%Bi2O3、0.15wt%V2O5时,930℃烧结起始磁导率μi＞800、品质因数(94)、密度(5.12 g/cm3)都达到较大值,比同样配方只掺杂Bi2O3的NiCuZn材料明显提高.     

Dy2O3掺杂对MnZn铁氧体的结构及高频电磁特性的影响

采用固相反应法制备了Dy2O3掺杂MnZn铁氧体,分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)、LCR表以及B-H仪等对样品的结构和电磁性能进行表征.结果表明,在Dy2O3掺杂量为0～0.1 wt％,样品均为单相立方尖晶石结构;当Dy2O3掺杂量为0.05 wt％,样品呈现出较大的晶粒尺寸和密度,此时,具有最大的饱和磁化强度95.8 A·m2/kg和最小的矫顽力55.9 A/m;起始磁导率提高至845,相对于未掺杂样品增幅为32％,在1 MHz、50 mT、25℃的测试条件下,损耗降低幅度为20％;此外,利用等效电路模型对不同Dy2O3掺杂量样品进行了晶粒电阻和晶界电阻分离,并初步分析了Dy元素影响MnZn铁氧体涡流损耗的机制.     

V2O5含量对MoO3-V2O5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制备了(Ni0.16Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了MoO3-V2O5复合添加对材料烧结特性和磁性能的影响.结果表明,复合添加MoO3-V2O5能促进样品致密化、提高起始磁导率和降低功耗.当MoO3为0.15wt%、V2O5为0.15wt%时,930℃烧结起始磁导率(μi＞800)、功耗(305kW/m3)和密度(5.12 g/cm3)都达到较大值,比同样配方只掺杂MoO3的NiCuZn 材料明显提高.     

V_2O_5掺杂对低温烧结宽温NiCuZn铁氧体显微结构及性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备低温共烧铁氧体(LTCF)多层片式器件用NiCuZn铁氧体材料,研究了V_2O_5掺杂对材料微观结构、磁导率及其温度特性的影响。结果表明,随V_2O_5掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,磁导率先增大后降低;宽温NiCuZn铁氧体配方采用0.4wt%的V_2O_5掺杂,可使材料实现低温烧成(烧结温度900℃左右),并具有高磁导率(500左右)、致密的细晶粒显微结构,从而获得满足LTCF多层片式铁氧体器件高、低温应用环境(-55~+85℃)下磁性能要求的低温烧结NiCuZn铁氧体宽温材料。     

高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料TH13的开发

研究了预烧工艺对高磁导率MnZn铁氧体材料主要电磁性能的影响。结果表明,适宜的预烧温度可明显缓和该材料的磁导率与品质因数之间的矛盾,同时获得较高磁导率和较高的品质因数,即具有较低的比损耗因子和磁滞常数,同时其它参数也得到一定的改善。     

通讯变压器用高磁导率低损耗MnZn铁氧体 TH10材料的开发

介绍了一种=10000的高磁导率低损耗MnZn铁氧体TH10材料的性能特点及其烧结、掺杂技术.这种材料适用于低功率信号传输变压器(如ADSL 变压器),可以降低变压器谐波失真,提高传输速率.     

高温高Bs和低功耗MnZn铁氧体材料的研制

选用高纯原料,采用传统氧化物陶瓷工艺,复合添加纳米SiO2、普通CaCO3,制备MnZn铁氧体材料,实现了低ZnO、高密度,高温(100℃)Bs达到了450mT;通过二次添加TiO2杂质、调整Mn3O4含量控制Fe2 ,使K1→0,获得了较为平坦的Pcv~T曲线。根据铁氧体各温区固相反应的机理研究出烧结工艺与混合气氛的合理匹配技术并应用于材料研制。成功研制出了高温高Bs、低功耗MnZn铁氧体TP4F材料。     

高磁导率低失真软磁铁氧体材料TH10i的典型应用

TH10i是TDG新开发的高频高磁导率低失真软磁铁氧体材料,具有截止频率高和磁滞常数小的特点.其典型应用是高频共模电感和ADSL变压器.     

MoO3和CaCO3掺杂对MnZn铁氧体磁特性的影响

用普通陶瓷工艺制备了高磁导率MnZn铁氧体材料,研究了MoO3和CaCO3掺杂对材料的磁特性的影响。发现添加MoO3能够促进晶粒长大,从而提高材料的磁导率,但添加过量会增大铁氧体材料的气孔率。添加CaCO3使得晶界明显,晶粒均匀,起始磁导率增高,同时形成了高电阻的晶界层,降低了材料的比损耗因子。