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一种高增益低失调高速运算放大器 总被引:2,自引:2,他引:0
研制了一种具有高增益和低失调的高速运算放大器,介绍了其电路结构及工艺条件等方面所进行的优化设计。将设计结果在微机上进行了Tspice模拟验证,研制出的运算放大器满足设计指标,获得了预期的结果。 相似文献
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文章设计了一种1.8-VRail-to-RailCMOS运算放大器。采用电平移位控制的互补差分输入级,实现了Rail-to-Rail的共模输入范围;由偏置在AB类的电流驱动的共源放大器构成输出级;为了能够处理宽的电平范围和得到足够的放大倍数,使用折叠式共源共栅结构作为前级放大。用CadenceSpectre仿真器,1.8V单电源供电,TSMC0.25-混合信号模型仿真,直流增益为80.18dB,相位裕度为65°,功耗336W。整个电路结构简单紧凑,适合于低电压应用。 相似文献
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介绍了一种基于双极工艺的高速宽带运算放大器的设计,从电路结构方面详细论述了电路的宽带设计、高速设计等设计思路,将该电路通过计算机模拟,给出了仿真和测试结果.经过投片验证,设计出的运算放大器满足预期指标,取得了比较满意的结果.该电路在视频放大器、有源滤波器、高速数据转换器等电子系统中有着广泛的应用前景. 相似文献
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介绍了一种高性能Foldcd-Cascode运放的电路结构,它具有先进的偏置电源结构以调节输出动态幅度、动态开关电容反馈电路用于控制运放输出端的稳定性、合理地关断电路以降低电路非工作时的功耗等特点.运用HSPICE对电路进行了模拟,并给出了结果. 相似文献
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提出了一种低功耗、高增益、可驱动大容性负载的三级运算放大器。通过采用共源共栅密勒补偿技术和工作在亚阈值区域的跨导提升运算放大器,以低的功耗成本显著减小了补偿电容。通过将负载有关的非主极点推向更高的频率,达到了改善带宽和稳定性的目的。该运算放大器采用UMC 28 nm HLP CMOS工艺进行设计和验证。结果表明,当驱动高达10 nF的容性负载时,总补偿电容仅为440 fF。在1.05 V电源电压下,该运算放大器消耗52 μA 的电流,单位增益带宽为4.84 MHz,增益大于100 dB。 相似文献
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采用微功耗对数放大单元研制出一种低功耗大动态和负载能力强的连续检波对数放大器。该器件可在±9V,±12V和±15V电源工作;其工作频率达50MHz以上、输入动态范围达85dB、输出视频幅度大、静态嗓声电平小于150mV、静态功耗500mW。可广泛应用于雷达、导航和通讯等领域。介绍了电路的工作原理和设计思想,给出了电路的测试结果。 相似文献
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针对现代处理器低压大电流电源模块中用有源下调电压控制(Active Droop Control)实现自适应电压定位(AVP:Adaptive Voltage Position)的需要,提出了一种误差放大器(EA)的设计。通过对运算放大器结构的改进,利用增设的输入端建立反应负载电流变化的动态基准,方便地实现了输出电压随负载的变化,即下调电压控制。SpectreS仿真结果表明,该放大器除具有上述特点外,亦能很好满足PWM控制器中运放的低失调、高增益带宽要求。该误差放大器配合相应的电流检测放大器(CSA),已用于一款多相同步Buck控制器芯片的设计,并在1.5μm BCD工艺下实现。系统仿真结果显示,芯片性能符合设计要求,已成功实现有源下调电压控制。 相似文献
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一种新型毫米波功率放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
针对现有合成方式的不足,提出了一种新型结构四路波导分支耦合器,具有驻波好、隔离度高和结构紧凑等优点。介绍了波导—微带探针过渡结构和波导T型结的原理及设计方法,对无源网络进行了建模仿真,通过优化达到了功放设计所需的性能指标。对有源电路的装配工艺进行了简要介绍。基于4个16 W功放模块和四路功率分配/合成网络,设计了一种50 W毫米波固态功率放大器,在所需频段实现了大于50 W的输出功率,整机效率高于18%。 相似文献
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由于器件尺寸越来越小,器件之间的失配越来越严重,由器件失配引起的失调电压对灵敏放大器性能的影响越来越大。针对此情况,根据灵敏放大器的工作原理,提出了一种具有失调电压自调整的灵敏放大器,通过增加校准支路来平衡灵敏放大器两边的放电速度,从而降低失调电压,减小其对灵敏放大器性能的影响。基于SMIC 65 nm CMOS工艺的后仿真结果显示,在电源电压1.2 V、TT工艺角、室温条件下,相比于传统的灵敏放大器,该新型灵敏放大器的失调电压的标准偏差降低了61.9%,SRAM的读关键路径延迟降低了25%。 相似文献
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Medina M.A.Y. Schreurs D. Nauwelaers B. 《Microwave and Wireless Components Letters, IEEE》2008,18(3):206-208
In this research work, an alternative methodology to design radio frequency (RF) class-E amplifier is proposed and verified. The conventional design procedure starts with a switch idealization of the device and extraction of the output capacitance based on S parameter measurements. Since these ideal conditions lead to non-optimal values at microwave frequencies, an optimization procedure on these values, using a non-linear model of the device, has to be applied in order to obtain higher performance. Unlike this legacy procedure, the proposed method starts the design of the RF class E power amplifier with the non-linear model directly to determine a more representative value of the equivalent capacitance, and thereby considering all the non-ideal and non-linear features of the device. 相似文献