自动电镀线拉片速率对引线框架镀层微观结构和钎焊性的影响

在自动电镀线上对铜基引线框架表面电镀铜镀层,并以Sn–Pb合金进行钎焊试验.采用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)考察了镀层和焊接截面的显微结构及元素分布,研究了拉片速率对镀层微观形貌、Sn–Pb合金的润湿行为以及焊接截面元素分布的影响.结果表明,拉片速率越大,铜的沉积时间越短,电镀层的致密性越差,对Sn–Pb合金的钎焊性也越差.以8 m/min拉片速率形成的铜镀层表面平整、致密,钎焊后的Cu/Sn界面连接完整,具有较好的微观结构和焊料润湿效果.     

基体表面性质对引线框架上无铅镀锡层的影响

研究了铜基引线框架基体表面性质对镀锡层的影响.扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析结果表明:镀层外观由其结晶结构决定.采用X射线光电子能谱(XPS)研究了铜基引线框架表面性质的影响.结果表明:引线框架表面铜的氧化状态对于最终所得镀锡层的性质有很大影响,当引线框架表面存在大量的CuO时,得到的镀锡层易于出现发黑等...     

屏蔽板补偿作用改进引线框架镀层厚度均匀性

基于统计学理论建立了镀层厚度均匀性评估的方法并分析了电镀工艺中对其产生影响的因素。最终发现,通过调整电镀槽中屏蔽板的上下位置,使引线框架形成上薄下厚和上厚下薄的两种分布的镀层厚度,这两种镀层厚度叠加在一起改善镀层整体的厚度分布,从而提高了新型引线框架表面电镀层厚度的均匀性,同时降低了镀层厚度超出规格限的风险。     

电镀钯电解液

概述了含有可溶性钯盐、四元化合物、吡啶类化合物和缓冲剂等组成的电镀钯电解液,可以获得均匀致密平滑的光亮钯镀层,可以抑制钯镀层表面的氧化,从而获得焊接特性优良的钯镀层,适用于IC(集成电路)引线架、印制板和连接器等电子部件的可焊性表面精饰。     

铝合金无氰电刷镀铜/银及其性能

采用无氰体系镀液先后在铝合金基体表面电刷镀Cu和Ag,分析了Cu/Ag镀层的外观、微观形貌、厚度、显微硬度、电导率和结合力。结果表明,电刷镀所得Cu/Ag为乳白色,表面平整,微观上呈花椰菜结构,结合力良好,其中Ag层厚度为50μm,显微硬度为112.4 HV,电导率为16.915 MS/m。     

超声辅助对铜表面无氰电镀银的影响

采用由硝酸银15 g/L、烟酸50 g/L、乙酸铵40 g/L、碳酸钾40 g/L和氢氧化钾15 g/L组成的镀液(pH=9)在铜基体表面电镀Ag。对比了无超声辅助和超声辅助电镀所得Ag镀层的表面形貌、晶相结构、结合强度、抗变色能力和耐腐蚀性能，并研究了超声功率对沉积速率和Ag镀层抗拉强度的影响。结果表明：在超声波辅助下，Ag镀层变得更加细致，晶面择优取向由(311)转变为(220)，结合力、抗变色能力和耐腐蚀能力均有所提高。随着超声功率增大，沉积速率和Ag镀层的抗拉强度均先增大后减小，在90 W时均达到最大，分别为9.5μm/h和260 MPa。     

添加剂对锡–银–铜共沉积的影响

通过测定循环伏安曲线、镀层表面形貌和X射线衍射谱图,研究了单一的烷基糖苷(APG)或APG+槲皮素的组合添加剂对Sn–Ag–Cu三元合金共沉积的影响。镀液的基础组成和工艺条件为:Sn(CH3SO3)20.18 mol/L,Ag2O 0.006 mol/L,Cu(CH3SO3)20.001 2 mol/L,硫脲0.06 mol/L,羧乙基乙二胺三乙酸(HEDTA)1.0 mol/L,pH 5.0,温度25°C,电流密度6.6 mA/cm2,时间30 min。结果表明,镀液中APG或APG+槲皮素的存在使锡离子的扩散系数减小,Sn–Ag–Cu三元合金的共沉积过程受阻。镀液中加入1.00 g/L APG或1.00 g/L APG+0.05 g/L槲皮素后,Sn–Ag–Cu镀层外观改善,镀层结晶细致、均匀,晶面择优取向由Sn(211)转变为Sn(200)。因此,APG或APG与少量槲皮素的组合适合用作Sn–Ag–Cu共沉积的添加剂。     

电镀锡铈合金溶液浑浊问题的研究

电子、电器产品焊接点不良(虚焊或假焊)就可能影响机器的可靠性,甚至使整个机器不能工作。因而,对元器件引线的镀层要求有良好的焊接性,防腐性和经济性。在国外,这是一项重要的研究课题。近来,我国在这方面亦有所进展,国营746厂的《半导体器件引线电镀锡铈合金技术》一文,就是在这方面的探索,通     

引线框架铜带显微组织对电镀镍层性能的影响

采用具有不同显微组织的引线框架用C19400铜合金为基材进行电镀Ni,采用扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜(OM)、粗糙度测量仪等分析了铜合金的显微组织对Ni镀层形貌、厚度和表面粗糙度的影响。结果表明:镀层厚度随铜材中变形组织的增加而减小,退火态(O态)基材表面Ni镀层厚度达到了6.11μm,剧烈变形(SH态)基材表面Ni镀层厚度仅为3.73μm。Ni镀层会“复制”铜基材的表面形貌,变形量较大的基材电镀Ni后粗糙度的增幅小于变形量较小的基材。电镀时应结合基体材料的显微组织来调整工艺参数,以获得性能较优的镀层。     

硼砂对电镀铜-镍合金耐蚀性的影响

在Cu–Ni合金电镀液(由NiSO₄·6H₂O 174 g/L、CuSO₄·5H₂O 16 g/L、Na₃C₆H₅O₇·2H₂O 87 g/L和CH₃COONa 10 g/L组成)中添加0～5 g/L硼砂(Na₂B₄O₇·10H₂O)，对比了硼砂质量浓度不同时铜基材上所得Cu–Ni合金镀层的外观、厚度和表面形貌。通过电化学阻抗谱(EIS)和Tafel曲线测试研究了硼砂质量浓度对电镀Cu–Ni合金耐蚀性的影响。结果表明，镀液中添加1～5 g/L硼砂对沉积速率影响不大，但能够提高Cu–Ni合金镀层的均匀性、致密性和平整性，进而改善其耐蚀性。随电镀液中硼砂质量浓度增大，Cu–Ni合金镀层的耐蚀性先改善后变差。当硼砂质量浓度为3 g/L时，Cu–Ni合金镀层的表面形貌最佳，耐蚀性最好。     

pH对锡-银-铜三元合金共沉积的影响

以HEDTA(N-β-羟乙基乙二胺三乙酸)为主配位剂,通过极化曲线测量、电感耦合等离子体发射光谱、表面形貌分析和X射线衍射谱分析等研究了pH对Sn-Ag-Cu三元合金共沉积的影响。镀液组成及工艺参数为:Sn(CH3SO3)2110g/L,Ag2O0.0811g/L,Cu(CH3SO3)20.876g/L,HEDTA278.3g/L,硫脲4.6g/L,烷基糖苷1g/L,温度25°C,电流密度10mA/cm2。结果表明,随pH增大,Sn-Ag-Cu的沉积电位负移。pH为3.22～7.74时,Sn-Ag-Cu合金镀层结晶细致、表面平整。Sn-Ag-Cu合金镀层由Sn、Ag3Sn和Cu6Sn5组成,其结晶取向随pH改变而变。HEDTA体系电沉积Sn-Ag-Cu合金镀层的适宜pH为3.00～6.00,最优范围是5.00～6.00。     

无氰镀银层水性硅溶胶封闭工艺及镀层结构与耐蚀性

[目的]镀银层往往存在孔隙,使其耐蚀性无法满足苛刻的海洋环境应用要求,因此有必要对其进行封闭处理。[方法]采用水性硅溶胶对5,5-二甲基乙内酰脲(DMH)体系无氰镀银层进行封闭,通过正交试验优化封闭处理的工艺条件。借助扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)及电化学阻抗谱(EIS)测试分析了封闭后Ag镀层的微观结构、化学组成及耐蚀性。考察了1Cr18Ni9Ti不锈钢和GH2132合金表面Ag镀层经硅溶胶封闭后的耐酸性盐雾性能。[结果]较佳的封闭液组成和工艺条件为：丙烯酸树脂100 g/L,中性硅溶胶26 g/L,表面活性剂1 g/L,室温,时间60 s。在该条件下封闭后,Ag镀层表面疏水性和耐蚀性提高;Ag镀层的微观表面形貌未发生改变,封闭剂仅渗入镀层孔隙,而未在表面形成连续的膜。1Cr18Ni9Ti不锈钢和GH2132高温合金经“无氰镀银+水性硅溶胶封闭”处理后可以通过192 h的酸性盐雾试验。[结论]采用水性硅溶胶封闭处理可显著提高无氰镀银层的耐蚀性,对航空零部件的发展具有重要意义。     

铜粗化QFN引线框架的量产制备方法

介绍一种铜粗化QFN(方形扁平无引脚封装)引线框架(Lead Frame)的量产制备方法。由于越来越多的半导体集成电路(IC)芯片应用端客户要求集成电路芯片的可靠性达到MSL1(湿气敏感性等级一级)的要求,芯片封装厂对引线框架的要求也越来越高。为了满足集成电路芯片可靠性MSL1的要求,我司开发了一种新型QFN引线框架,通过在铜合金表面电镀一层粗化的铜层,达到引线框架表面粗化的效果,增强引线框架与封装环氧树脂(EMC)之间的结合力,从而提高集成电路芯片的可靠性,并实现量产化。     

添加聚四氟乙烯对化学沉积复合镀层性能的影响

在化学镀Cu(Ni)-P合金镀液中添加碳化硅和聚四氟乙烯制得Cu(Ni)-P-SiC-PTFE复合镀层.研究了碳化硅、聚四氟乙烯的添加量对镀层沉积速度、硬度、磨损及减摩性能的影响.结果表明:碳化硅和聚四氟乙烯的加入能提高Cu(Ni)-P合金镀层的沉积速度、硬度、耐磨及减摩性.     

影响引线框架镀锡的塑封胶渣的去除

正微电子产品电镀锡时,必须把封装工序在引线框架上产生的胶渣清除干净,否则在电镀过程中会造成露铜,镀层发花,焊接性能不好等缺陷,影响微电子产品电性能参数的漂移。除塑封胶渣是微电子镀锡中重要的工序。胶渣的形成是在塑封工序中,引线框架与塑封模具之间有缝隙,由于环氧树脂模塑料须在加温加压下固化,注进的压力过大,合模的压力过小,环氧模塑料从缝隙中与模     

TC4合金表面Cu/micro-WC复合镀层和Cu/nano-WC复合镀层的性能

在TC4合金表面分别制备了Cu/micro-WC复合镀层和Cu/nano-WC复合镀层。比较了两种复合镀层的表面形貌、化学成分和显微硬度,同时分析了两种复合镀层的摩擦特性。结果表明:两种复合镀层都由Cu、W、C元素组成,显微硬度都明显低于TC4合金的显微硬度;摩擦试验前后,两种复合镀层表面轮廓曲线的形态都存在明显的不同;与Cu/micro-WC复合镀层相比,Cu/nano-WC复合镀层的表面形貌较好,W元素的质量分数较高,耐磨性较强。     

铝合金表面催化活性对化学镀镍-铜-磷合金镀层化学组成及耐腐蚀性能的影响

以浸锌–闪镀法和预植法分别对铝合金基体进行前处理,然后再化学镀Ni–Cu–P合金。通过扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和电化学测量等技术对其进行表征,探讨了两种前处理工艺对化学镀Ni–Cu–P合金镀层表面形貌、化学组成和阳极极化曲线的影响。结果表明,与浸锌–闪镀法相比,预植法工艺简单,得到的镀层与基体结合良好;两种镀层的Ni含量相近,均为68%,但预植法所得镀层的Cu含量比浸锌–闪镀法增加近7个百分点,P含量则下降6个百分点;预植法所得镀层的腐蚀电流密度为3.8μA/cm2,远小于浸锌–闪镀法所得镀层的13.2μA/cm2。预植法处理后得到的化学镀Ni–Cu–P合金镀层具有更好的耐腐蚀性能。     

纯锡镀层锡须生长机理及聚氯代对二甲苯膜抑制效果研究

以无铅器件及无铅引线框架为研究对象,采用扫描电镜、能谱分析了纯锡镀层锡须生长机理。采用化学气相沉积(CVD)法在样品表面镀聚氯代对二甲苯(PC)膜,研究了PC膜对锡须生长的抑制效果。结果表明:Cu/Sn界面处金属间化合物(IMC)易于向Sn晶界处生长,使得原位体积增加44.8%,因此界面处会产生较大压应力。此压应力会随着镀层/基体界面IMC层的不规则形成而增大。在压应力的作用下,Sn被挤出,从而形成锡须。PC膜对锡须的生长具有明显的抑制作用,且随着PC膜厚度的增大,锡须生长变慢,孕育期更长。5μm厚的PC膜能有效抑制锡须生长。     

梯度电流密度下电沉积制备铜-镍-钼合金电极及其性能研究

采用梯度电沉积法制备铜基Cu–Ni–Mo合金电极,电流密度参数为:10 mA/cm^2×5 min+30 mA/cm^2×40 min+50 mA/cm^2×5 min。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了Cu–Ni–Mo合金镀层的表面形貌、元素组成、相结构和各元素的化学价态,并通过线性扫描伏安曲线(LSV)、电化学阻抗谱(EIS)和计时电流法对比了Cu–Ni和Cu–Ni–Mo合金电极在1 mol/L KOH溶液中的析氢性能和稳定性。结果表明,所得Cu–Ni–Mo合金镀层是呈花椰菜多孔形貌的非晶态结构。与Cu–Ni合金电极相比,Cu–Ni–Mo合金电极具有更大的比表面积,可为析氢反应提供更多活性位点,表现出更好的析氢性能,稳定性也更好。     

碱性高耐蚀Zn—Fe合金电镀工艺研究

STUDYOFBASICHIGHCORROSIONRESISTANCEZn－FeALLOYELECTROPLATINGTECHNOLOGYZhouHan1前言近十几年来，国外对Zn－Fe合金电镀进行了广泛的研究，而且大量的成果已应用于生产实践，例如美国G叮等研究的Zn－Fe镀覆技术已获得商业应用[1]。目前该技术在国内处于研究开发阶段。与传统的纯锌锭层相比，Zn－Fe合金镀层的活性大大低于纯锌镀层，10um厚的Zn－Fe合金镀层经过120℃，1h热处理。840h盐雾实验后，镀层表面无腐蚀[2]；而且Zn－Fe合金镀层具有更好的防护性和上漆性，优良的加工性能和可焊接性[3]。另一方…