激光化学气相沉积(连载之三)

本讲座介绍了激光化学气相沉积的基本原理,较详细地讲述了制备金属薄膜、金刚石薄膜、类金刚石薄膜、氢化非晶硅薄膜、化合物半导体薄膜及绝缘体薄膜等所用的激光器、工艺参数以及薄膜的性能.     

激光化学气相沉积(连载之二)

介绍了激光化学气相沉积的基本原理,较详细地讲述了制备金属薄膜、金刚石薄膜、类金刚石薄膜、氢化非晶硅薄膜、化合物半导体薄膜及绝缘体薄膜等所用的激光器、工艺参数以及薄膜的性能.     

激光化学气相沉积(LCVD)制取TiN薄膜

研究了在W18Cr4V高速钢基体上，用CO2连续激光诱导化学气相沉积TiN薄膜的工艺方法。激光功能600W，在H2、N2、TiCl4反应系统中沉积出TiN薄膜，薄膜的颜色呈金黄色，显微硬度为2500HV。     

化学气相沉积

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是利用化学反应由气相生长固体物质的方法。一般把反应物是气体而生成物之一是固体的反应称为CVD反应。通常CVD要利用高温或其它激活方法,依靠化学反应制取所需要的薄厚膜。     

铂族金属化学气相沉积

化学气相沉积（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ,ＣＶＤ）技术可用在高熔点金属如Ｍｏ、Ｒｅ、Ｗ等表面制备结合力好的铂族金属涂层。用ＣＶＤ法可得到具有微细晶粒的致密金属（无针孔）涂层,可制成大形状和形状复杂的制品,也可用于合金涂层的制备。本文介绍了该项技术的国外发展概况,并以高温抗氧化铱涂层（可耐受２０００℃高温）为代表,叙述了铂族金属涂层的特点以及该项技术在制备涂层过程中的基本步骤     

低温化学气相沉积TiN及其应用

本文主要介绍一种化学气相沉积氮化钛涂层的新方法，该涂层是采用亚氯化钛和氨在低压和４５０℃－６５０℃的条件下获得的，在沉积室中反应形成的。此法获得的ＴｉＮ涂层有良好的表面结合力以及抗蚀和耐腐性能，文中除对其工序与涂层性能予以介绍外还着热处重说明它在塑料工业模具听应用。     

化学气相沉积技术发展趋势

综述了化学气相沉积技术制备薄膜材料的基本原理与工艺,分析了化学气相沉积技术的发展趋势,并展望其应用前景。     

化学气相沉积

利用气态物质在固态工件表面进行化学反应、生成固态沉积层的过程,称为化学气相沉积（Chemical VaporDeposition,CVD）。化学气相沉积有3个要点：①涂层的形成是通过气相化学反应完成的;②涂层的形核及长大是在基体表面进行的;     

等离子体化学气相沉积超硬薄膜

本文简述了PCVD技术的原理、特性、设备。并对其制备的TiN、TiC、Ti(C_xN_y)超硬膜进行了显微硬度和化学成份等分析,最后介绍了该项技术在冷挤压冲头上的应用实例。     

一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法（专利号：95111978．8）

一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法，最低沉积温度为250℃，其特征在于选用波长在308nm的XeCl准分子激光作激光源，过程如下：将欲沉积衬底放在高导热率材料的工作台上，用XeCl准分子激光辐照衬底欲沉积金刚石膜区，并在预抽真空的反应室中通入能吸收该激光波长的碳氢化合物反应气(含汽化液体或固体)和氢气。     

化学气相沉积钨锭工艺研究

以WF6和H2为原料，粉末冶金钨板为基体，采用热丝开管气流化学气相沉积试验装置，成功地制备出可变形钨锭。试验分析表明：钨锭纯度可达99．9％以上，密度大于19．0g／cm^3，硬度为400-500HV，具有良好的加工塑性。研究了钨锭在轧制变形后组织性能变化，以及影响其热轧性能的因素。     

等离子体化学气相沉积TiN膜的研究

采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬度、氯含量等进行了测定和分析,部分样品进行了二次离子质谱(SIMS)、Auger谱(AES)和X光光电子谱(ESCA)等分析.试验表明:在不同基材上沉积的TiN膜,只要沉积参数相同,膜的结构和性能都相同.在沉积温度500℃左右,TiN膜的生长方式有一转变,即可能是由层生长转变为岛状生长.直流PCVD法生成的TiN膜,其N:Ti≈1:1,有强的(200)织构,膜与基体间有较宽的共混区,因而结合强度高和耐磨性好,适于用作耐磨镀层.     

铂薄膜化学气相沉积动力学规律探讨

以乙酰丙酮铂为沉积源物质，采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）法在Mo基体上制备了Pt薄膜，研究了Pt薄膜的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铂的加热温度和运载气体（氩气）流速等沉积参数的关系。Pt的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程：沉积速率与绝对温度的倒数呈现抛物线关系，当温度为550℃时，Pt的沉积速率达到最大值，随着乙酰丙酮铂加热温度的升高，Pt的沉积速率直线增加，而氩气流速的增大则显著减少Pt的沉积速率，SEM波谱成分分析表明，Pt薄膜中含有少量的氧。     

可用化学气相沉积方法来低压沉积立方氮化硼（c—BN）吗？

自从1982年发现金刚石低压沉积方法以来，人们寻求一种用于c-BN合成的类似方法变得尤为重要。近年来，许多研究者们取得了很大的成功，但是，其中许多人在分析BN涂层的特征方面的工作并不理想。然而，由S.Matsumot和W.Zhang撰写的新论文阐述了使用直流等离子体喷涂的c-BN沉积方法和利用各种分析方法进行的特征描述。为了研究是否可以用一种纯化学气相沉积方法来沉积c-BN这个问题，我们用一个简单的无等离子体活化装置的CVD反应器做了实验。沉积了各种BN涂层并对其进行了特征描述。X－射线衍射、IR－光谱分光仪和SIMS表明沉积了含有c-BN的BN涂层。然而，到目前为止，用TEM方法仍不能最终证实c-BN晶体的存在。     

基于激光诱导化学液相沉积的快速成型方法

对当前常用的RP工艺,如立体光刻、分层实体制造、熔融挤压成型、选区激光烧结等的原理、工艺和优缺点进行了简单评述,认为上述工艺均存在一些固有缺陷,距离企业的需求(如金属模具直接成型等)还有比较大的差距。在介绍激光诱导化学液相沉积(LCLD)技术的基础上,本文提出了一种基于该技术的新型快速成型方法,给出了其成型系统原理图,并详细介绍了系统的工作过程。分析表明,该种RP系统能够较好地弥补现有系统的不足之处,具有极其广阔的应用前景。