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半导体探测器的优异性能使其应用得到迅速发展。对面垒型探测器整流机理的研究结果表明,探测器的性能好坏与其表面态有着密切关系。有人研究过,在真空状态下,金与n型硅表面经特定工艺制成的探测器,是没有整流特性的,但若让空气进入真空系统,则探测器具有整流特性。然而,在空气中暴露之后,已经产生整流特性的探测器,如重新把它置入真空系统之下,反向电流又会增加,整流特性则变差。因此,可认为空气中氧对探 相似文献
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金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度. 相似文献
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通过测量19keV电子束轰击厚碳靶产生的韧致辐射能谱,在低能区(>1keV)对Si(Li)探测器进行了探测效率刻度。厚碳靶的理论韧致辐射能谱由Monte-Carlo程序PENELOPE计算,并用241Am标准放射源确定出效率刻度曲线的绝对值。采用本工作的刻度方法确定的效率刻度曲线误差主要来源于用标准放射源绝对化的误差,约为5%。将所得初步实验结果与理论计算值进行了比较,并采用最小二乘法对探测器各厚度参数进行了拟合,除Au接触层厚度外,拟合的各厚度值与探测器生产商提供的数据较为吻合。 相似文献
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采用激光椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪和电学方法等手段对面垒探测器中的Au-Si界面进行了研究。实验结果表明,在Au-Si之间存在一层数纳米厚的薄氧化层,它的成分和结构与制作工艺有关,通常是不完全氧化膜,它的存在对探测器性能有重大作用。 相似文献
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Si(Li)半导体探测器对低能X射线具有能量分辨率好、探测效率高、输出脉冲正比于入射光子能量等特点,故已日益引起人们的兴趣。为使Si(Li)探测器有更高的能量分辨率,制造者正努力研究工作在低温的探测器和前置放大器。一般的Si探测器都有一个耗尽层范围,这个耗尽层是对射线灵敏的部分,它的厚度ω可表示为ω=0.3(ρν)~(1/2),这里ρ是使用的P型材料的电阻率,ν,是加到探测器上的反向偏压,由前式可知,用10000Ω/cm的材料,加200V偏压,也只能得到0.4mm厚的耗尽层,这种厚度对测量X射线显然是太薄了,即使是 相似文献
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W. Maenhaut H. Raemdonck 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms》1984,1(1):123-136
Two methods for obtaining thin target PIXE Kα calibration factors were compared. The first (relative or experimental) method relied on two different sets of accurate thin film standards, while the second (absolute or theoretical) method involved the use of fundamental physical parameters and an experimental investigation of the Si(Li) detector's detection efficiency. Several critical facets of the calibration procedures are discussed or were carefully investigated. These include the incident beam energy determination, beam current integration, accuracy of thin film standards, solid angle and window thicknesses (Be, Au, Si) of the Si(Li) detector, net Kα peak area determination and tail-to-peak ratio as a function of X-ray energy, fluorescence yields and ionization cross sections. The experimental and theoretical calibration factors finally obtained showed excellent agreement, the average difference being only ~3.5%. 相似文献
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通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究 总被引:1,自引:1,他引:0
重点研讨通过改变探测器偏压,进而改变探测器的PN结(有效探测灵敏区)厚度,实验对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用。实验测量了3MeV质子和6.05MeVα粒子在金硅面垒探测器Si(Au)中的能损与探测器偏压关系曲线。同时利用刻度过的探测器鉴别氚离子束轰击氚钛(TiDx)靶发射的带电粒子能谱。在很强的本底情况下通过调节探测器偏压(灵敏区厚度)实现了对能量相近的不同带电粒子的有效鉴别和测 相似文献
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S. Nishinomiya K. Katagiri T. Niinou J. Kaneko H. Fukuda J. Hasegawa M. Ogawa Y. Oguri 《Progress in Nuclear Energy》2008,50(2-6):606-610
We tested an experimental setup for measurement of non-linear stopping of low-energy heavy ions in non-ideal plasmas. In this setup, we used a silicon surface-barrier charged-particle detector (SSBD), which could measure the energy of single ions. For synchronization between the plasma production and the injection of single projectiles, a fast beam kicker was installed in front of the plasma target. In order to test this setup, we used a laser-produced polyethylene plasma target instead of a shock-driven plasma device, which is under R&D process. Results of a preliminary energy loss measurement for low-speed heavy ions in the laser plasma are reported. Performance on the time resolution evaluated by using a carbon-foil target is also presented. 相似文献
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用超薄窗Si(Li)探测器测量低能X射线,将传统的PIXE谱测量范围推广到如Si、Al、Na等低原子序数元素。还对超薄窗Si(Li)探测器的具体应用作了描述。 相似文献