在铁氧材料上镀铜厚膜工艺及其性能的研究

本文对在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能进行了研究，通过研究找出了在铁氧体材料上镀铜厚膜的工艺条件与膜的性能的关系，从而确定出在铁氧体材料上镀铜厚膜的最佳工艺条件。在铁氧体材料上镀铜厚膜是一个新工艺，它是提高铁氧体移相器的性能将起到促进作用，对铁氧体移相器的加工技术将产生巨大变革。本论文实验采用了磁控溅射的方法来制作铜厚膜，独立地改变实验参数，得出了随各种实验参数变化的实验曲线。     

钡铁氧体厚膜的制备工艺研究

采用丝网印刷方法来制备钡铁氧体(BaFe12O19)厚膜,研究了轧制时间和取向磁场强度对BaFe12O19厚膜样品的微观结构和磁性能的影响规律。结果表明,随着轧制时间的增加,所制BaFe12O19厚膜样品表面的气孔数量和大小都逐渐减小,且剩磁比和矫顽力均逐渐增加;随着取向磁场强度的增加,厚膜样品中晶粒的分布具有各向异性,且剩磁比和矫顽力均随取向磁场强度的增加而逐渐增加。     

Cu厚膜微带制作及其性能研究

本文进一步研究了新型的在大气气氛中烧结的贱金属(Cu)多层导电浆料,并采用干膜反光刻抛光微带工艺,将浆料推广应用到较高频率范围的微波集成电路。文中介绍了制作低通滤波器和混频器的实例。     

厚膜导带材料微波性能的研究

本文讨论了国产厚膜导体材料的微波性能。用国产Au浆料和Pd—Ag浆料,通过传统的厚膜工艺,在99％Al_2O_3陶瓷基片上制作了一组特性阻抗为50欧姆的微带线。用薄膜技术制作了几条和厚膜微带线一样的薄膜微带线。使用HP8410S网络分析仪测出了频率在2～12GHz范围内各条微带线的散射参数的幅度和相位。对微带线的损耗测量值和理论值进行了比较。用台阶测试仪测绘出了微带线中心导体的截面膜厚分布图。实验结果表明:在频率8GHz下,国产Au厚膜微带线的损耗和薄膜微带线的损耗几乎相等。另外,用国产Au浆料制作了一个3dB分支线定向耦合器,器件的性能良好。     

厚膜铜导体的工艺研究

丝网印刷铜浆料,用氮气保护烧成,用1mm×400mm蛇形线测方阻,0.3mm×20mm直线作可焊性试验。铜导体方阻为1.53mΩ/□,附着力>50N/4mm~2,可焊性<1s,抗焊料浸蚀性>30次,键合能力分别为0.1N、0.15N、0.063N。     

厚膜成膜工艺中的膜厚控制

厚膜成膜工艺中膜厚对成膜质量有重大的影响，本文探讨了膜厚的意义，影响膜厚的工艺因素及在实际工作中采取的控制措施。     

玻璃粉含量对钡铁氧体厚膜磁性能的影响

采用丝网印刷法制备了钡铁氧体厚膜,系统研究了玻璃粉含量对钡铁氧体厚膜磁性能的影响。结果表明,随着玻璃粉含量的增大,样品的致密度逐渐提高;饱和磁化强度、剩磁和矫顽力均呈现出先增大后减小的趋势;而剩磁比(Mr/Ms)单调上升。当玻璃粉含量增大到质量分数7%时,所制得样品的饱和磁化强度、剩磁和矫顽力均达到最大值,分别为151,76.6,310 kA/m。当玻璃粉含量为质量分数13%时,剩磁比达到0.615。     

空气中烧成铜厚膜导体浆料性能研究

在大气气氛中烧成的铜导电浆料,通过降低导电相粒子直径和改进工艺,摸索出了一套适合此材料的厚膜工艺技术,使此材料的性能有所提高。其主要指标是:方阻3～5mΩ,附着强度14N/mm~2,分辨率0.15mm,专用焊接良好。     

铁氧体隔离器薄膜电路制备工艺研究

文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。     

磁控溅射300 nm铜膜的电学性能研究

采用射频磁控溅射方法,在不同的基片温度Ts和偏压Us条件下淀积300 nm厚的Cu膜,用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、四点探针电阻测试仪,研究了薄膜的表面形貌和电阻率。结果表明:Cu膜的表面粗糙度和电阻率随工艺参数的改变而变化。随着Ts的升高,薄膜表面粗糙度Rrms与电阻率ρ均经历了先减小再增加的过程,在Ts<373 K时,表面扩散导致薄膜表面平滑,而当Ts>373 K时,晶粒长大诱导表面粗化;当Ts<673 K时,ρ随着Ts的增加而不断减小,但是,当Ts>673 K时,晶粒发生团聚而造成其几何形态和分布方式改变,进而导致ρ异常增加。随着Us的增加,Rrms呈现出先降低再增加的趋势,而ρ则逐渐递减。     

NiZn铁氧体对叠层型薄膜变压器传输特性的改善

展示了一种新型的基于硅IC工艺的叠层型螺旋薄膜变压器,通过分析铁氧体的特性和磁谱,设计了薄膜变压器结构和制造工艺。采用光刻技术制备形状相同且完全叠合的初级与次级线圈,提高线圈耦合效率。空心变压器两层线圈之间采用SiO2作为绝缘层;磁芯变压器的两层线圈之间采用射频磁控溅射NiZn铁氧体薄膜作为绝缘层。在10MHz～20GHz的频率范围内分别对空心和磁芯叠层型螺旋薄膜变压器进行了测试,测试结果表明:磁芯薄膜变压器的带宽和传输效率都大于空心薄膜变压器;铁氧体薄膜能大幅度提高薄膜变压器的传输效率;匝数比为10∶10的磁芯薄膜变压器传输效率在频率9.85GHz时达到78.0%的最大传输效率。     

磁控溅射二氧化硅薄膜的制备工艺

研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁控溅射可以在更低的温度下制作致密、均匀、重复性好的ＳｉＯ＿２膜。     

氧化锌铝透明导电膜

本文在对ZAO膜与ITO膜性能比较的基础上，综述了ZAO膜的应用前景、国内外研究现状和制备技术，给出了用直流反应磁控溅射法制备ZAO膜的最佳工艺参数和测得的光电性能。     

SED的磁控溅射法制作技术试验研究

介绍了表面传导电子发射显示(SED),采取了一种使用PdO膜和ZnO膜磁控溅射制作SED的方法,它具有发射均匀的优点。SED器件的电极厚度、导电膜材料、导电膜宽度对发射性能有很大影响,文中对这些参数进行了讨论。通过参数的优化,得到了稳定、均匀的电子发射。     

退火温度对Cu膜微结构与电阻率的影响

采用磁控溅射方法在玻璃衬底上淀积500 nm厚Cu膜,在不同温度下进行原位退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及四探针测试仪分析了薄膜微结构与电阻率.随着t增加,应变能与表面能的竞争导致Cu(220)取向晶粒组成不断增加;薄膜晶粒不断长大且其几何形态在t＞500 ℃时由柱状晶向等轴晶结构转变;当t＜500 ℃时,随着薄膜电阻率ρ与表面粗糙度Rrms显著减小,而t＞500 ℃时,Rrms呈现增加趋势,而ρ变化不明显.     

Effects of different precursors on Cu2ZnSnS4 thin film solar cells prepared by sputtering method

In this study, the impacts of different precursors on Cu₂ZnSnS₄ thin film solar cells were investigated. The two kinds of precursors of (Cu+Sn)/Zn and (Cu+Sn)/ZnS were deposited on Mo-coated soda lime glasses by magnetron sputtering. Cu₂ZnSnS₄ (CZTS) films based on different precursors were fabricated by soft annealing and following two-step sulfurization in sulphur vapour. The crystal structure, phase purity, surface morphology, composition and optical properties of CZTS films from different precursors were characterized by X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, scanning electron microscope (SEM), energy dispersive spectrometry (EDS) and UV–vis–NIR spectroscopy, respectively. As a result, the CZTS thin films with smooth surface and uniform compositional ratio distribution were obtained from the precursors of (Cu+Sn)/ZnS. The best conversion efficiency of the fabricated CZTS film solar cell based on (Cu+Sn)/ZnS precursors was 3.36%.     

薄膜基板中填充孔工艺的研究

在微波混合电路和多芯片模块中,填充孔相比于传统电镀通孔在解决微波接地、芯片散热和微组装工艺问题等方面具有很大优势.利用填充孔工艺使微波电路的设计更加灵活;由于填充孔消除了组装时通孔溢出导电胶或焊料过多的现象,提高了组装工艺效率.对薄膜基板上填充孔的制作工艺进行了深入研究,并对其电参数、散热性能和可靠性进行了测试和评估.最后,将采用填充孔工艺的薄膜基板应用于限幅低噪放和锁相源产品中,测试结果表明产品性能和散热效果均有明显提高.     

厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺探讨

随着电子产品技术含量的不断升级,对于厚膜混合集成电路的制造工艺提出了更高的要求,从而产生了孔金属化的制造工艺。文章主要阐述了孔金属化的原理和制造工艺,并结合多年的生产经验,对影响孔金属化制造的因素进行探讨和总结。