非氧化物瓷与金属封接——陶瓷—金属封接技术的新进展

本文综述了非氧化物瓷与金属封接方法及国内外水平,对非氧化物瓷封接基础知识、影响封接成败的主要因素和解决方法作了详细的阐述,此外还对非氧化物瓷的性质及封接性能的测试方法也作了介绍。     

高可靠性的陶瓷—金属封接

随着新型陶瓷材料(包括结构陶瓷)的不断发展,对金属陶瓷封接的要求也在日益增长。应用最为普遍的封接方法是钼锰法,它可以在陶瓷与金属之间产生高可靠性封接。但是,钼锰法需要两个工艺步骤:先是陶瓷金属化,然后与金属进行封接。虽然,这种方法的周期长,金属化温度也很高(～1500℃),而且封接性能随工艺因素的变化十分敏感。所以,为了获得可靠的封接就必须对工艺加以严格控制,其结果又使这种方法的成本变得十分昂贵。     

高氧化铝瓷纯钼金属化

本文介绍95%Al_2O_3瓷纯钼金属化的实验结果,给出了最佳工艺条件,并讨论了金属化机理.     

当前俄罗斯陶瓷—金属封接实用技术

综述了当前俄罗斯陶瓷－金属封接实用技术,内容涉及到金属化配方,原材料的技术性能要求,金属化和电镀工艺,以及结构型式和参数等等。     

宝石—金属封接性能及机理初探

本文主要介绍宝石—Al_2O_3单晶同样可以采用烧结金属粉末法金属化,并获得优于多晶Al_2O_3瓷的金属化封接性能。同时还简要阐述了此种宝石活化钼锰法金属化机理。它与多晶Al_2O_3瓷靠玻璃相渗透到晶界中的单纯物理机理有着明显的不同,因此,它虽无晶界,但同样能获得高强度高气密的金属化封接。     

人造云母——活性金属封接

封接机理讨论人造云母活性金属封接的机理,目前尚无一个肯定的说法。因为人造云母和陶瓷都是硅酸盐,所以从本质上讲两者的活性金属封接机理当存在许多相似性。金属钛是元素周期表中第Ⅳ族元素,它的原子构造在其内部电子壳层未填满,所以它的活性大。它对氧化物、硅酸盐,有较大的亲     

影响陶瓷—金属封接强度的主要因素

一、前言 陶瓷-金属封接是微波半导体器件的主要封装形式,随着器件可靠性的不断提高,要求陶瓷-金属的封接强度越高越好。影响陶瓷-金属封接强度的因素很多,择其要者,有以下四点: (1)、陶瓷与金属化配方的适应性。 (2)、金属化工艺规范——金属化烧结温度和保温时间。 (3)、金属化涂膏层的厚度。 (4)、焊料量。 本文就上述四因素对陶瓷-金属封接强度的影响,作一些初浅的探讨。 二、实验 1、样品 为接近实际使用情况,采用图1所示的样     

陶瓷金属封接模具设计方法探讨

针对陶瓷金属封接模具设计的不同需要,从材料选择、配合公差以及辅助尺寸的确定等方面总结出几点经验和技巧,力求使模具设计更为合理,以保证封接质量.     

玻璃-金属封接的新方法

本文介紹一种利用高靜电場封接玻璃-金属的新技术,封接溫度比玻璃的軟化点一般低大約200～400℃。因为不需要中間材料,所以这种封接,如同在高于軟化点的溫度下进行的普通封接一样不受污染。在加上200～2000伏电压时,匹配很好的表面在大約一分钟之內便完成封接。封接是在空气、还原气体及惰性气体中进行的。巳同商售玻璃进行匹配封接的金属,有可伐、各种鈇-鎳合金及硅等。     

He-Ne激光管软金属封接研究

中小型内腔式He-Ne激光管,因结构紧凑,使用方便,价格便宜,光束质量好,(?)出可见光等优点,已获得了广泛应用。但目前,内腔式He-Ne管反射镜片的封接材料普遍采用环氧树脂加各种胺类固化剂,实践证明,这种材料不理想,影响激光管的使用寿命,尤其存放寿命较短。 由于He-Ne激光管的增益很小,对谐振腔的准直度要水也较高。目前管子都采用平凹型腔。按理论计算,腔的平行度偏差一般应小于14”,垂直度偏差应小于48”。这样(?)的容许偏差给激光管的管口加工带来不少麻烦,即使采用精度较高的专用激光车床加工,也常常达不到所要求的精度,或由     

21世纪陶瓷—金属封接技术展望（上）

综述了21世纪陶瓷－金属封接技术的展望,着重叙述了电子器件用高热导率材料,真空开关管的技术发展对该技术的需求,以及其生产技术的控制和质量保证。     

工艺条件对玻璃—金属封接件性能影响分析

研究了530℃退火时的保温时间、降温速率以及不同玻璃厚度与金属外壳径向厚度比对玻璃-金属封接件内部残余应力的影响,通过ANSYS软件进行分析优化并制作了样品。结果表明,当退火温度为530℃、保温40 min、然后以4℃/min降至室温,玻璃厚度与外壳径向厚度比为4时,测得封接件的残余应力较小,并得到质量较好的实物工件。     

铌与95％氧化铝瓷真空封接工艺试验

一、前言随着电真空器件的发展,越来越多的采用金属陶瓷结构。较有前途的电真空瓷主要有高氧化铝瓷、氧化铍瓷、兰宝石等数种。目前以95％氧化铝瓷用得较多。为了实现与95％氧化铝瓷的匹配封接,已试制成功铁-镍一钴系的《瓷封一号》合金,但它具有磁性,因此不能普遍使用。为了解决与95％氧化铝瓷无磁性匹配     

高强度室温金属化陶瓷-金属封接

陶瓷材料如氧化铝、铁氧体、石英、钛酸钡等均可以在室温下金属化,并具有高的封接强度和真空密封,这种方法称之为离子涂敷。然后金属化的部件就可以用一般真空管钎焊合金如银-铜共晶焊料钎焊在一起,并能承受500～600℃的热循环实验。直流辉光放电用于离子涂敷,要金属化的基片作为负极,金属化材料作为正极。用氩气在两个电极之间产生放电。基片首先用离子轰击进行清洗,然后不使放电熄灭就用电阻加热金属化材料使其蒸发成为等离子体。有些金属原子在电场的作用下电离、加速并沉积到基片上。沉积速率和通过能力同电镀接近。除上述离子涂敷之外,目前研制中的一种新工艺是把离子涂敷和化学蒸发相结合,下面将要详细叙述。     

玻璃金属封接工艺的金相研究

影响密封继电器使用的可靠性在于其气密性,而玻璃金属封接工艺是气密性的核心工艺。文章进行了一系列硅硼硬玻璃与4J29合金的封接试验,对各个关键封接工艺阶段的样品进行金相分析,得出一些获得气密封接的条件。在本试验条件下,4J29合金零件在1020℃真空条件下,保温10min～30min,再经过在650℃可控气氛中保温2．5min～5min后,与玻璃坯封接得到的底座,泄漏率95％以上能达到≤1×10^-4pa·cm^3．s^-1。此外,采用金相技术分析了玻璃合金封接界面的结合情况,并提出了提高玻璃金属封接气密性的途径。     

不锈钢陶瓷金属封接技术的应用

通过对新材料、新工艺、新结构的摸索应用,实现了不锈钢替代瓷封合金材料。同时采用多元焊料对不电镀不锈钢进行气密性焊接,避免了电镀质量对钎焊气密性的影响,从而实现了不锈钢与陶瓷的非匹配封接,解决了气密性和应力的技术难题,提高了产品的可靠性,广泛应用到了生产实践中。     

陶瓷-金属封接中的玻璃迁移

在烧结时把某些金属粘结到陶瓷上,这种粘结对电子器件中的各种陶瓷件是非常重要的。但对粘结机理的了解还是有限的。本文是一篇有关粘结机理的研究,并且解释了高氧化铝瓷和金属涂层的粘结机理。