实现晶体管革命性突破——英特尔宣布22nm芯片采用全新3D结构

5月4日,英特尔公司美国加州总部宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来,3D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特尔将推出被称为三栅极(Tri-Gate)的革命性3D晶体管设计(英特尔曾在2002年首次披露),并将批量投产研发代号IvyBridge的22nm英特尔芯片。     

3D堆叠芯片硅通孔容错设计

3D堆叠芯片采用硅通孔（Through-Silicon Vias,TSVs）技术垂直连接多个裸晶（die）,具有较高的芯片性能和较低的互连损耗,引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加,一个TSV小故障都可能导致成本的大幅度增加和芯片良率的大幅度降低。TSV的密度与故障的发生概率有着密切的关系,TSV密度较大时,其发生故障的概率就会增大。为了减少故障产生的概率,提高良率,提出一种以密度为导向的TSV容错结构,首先将TSV平面分成多个密度区间,密度较大区间的信号TSV被分配较多的修复TSV,但同时此区间上设计尽量少的修复TSV,以减少此区间内总的TSV密度。理论分析和实验结果均表明该方法可以有效地减少故障发生的概率,并对故障TSV进行修补,同时具有较小的硬件代价。     

硅-蓝宝石压力传感器芯片调整电阻的设计

介绍了硅-蓝宝石压力传感器芯片外延硅层上调整电阻的设计和应用,通过设计调整电阻来实现芯片的电桥平衡,达到了调整其输出特性、改善传感器性能、提高芯片适用性的目的。     

工业新常态:迈向智能移动平台 数字化设计领域的移动APP

在过去的一年里,中国工业经历了严峻的考验,规模以上工业增加值增幅继续回落,PPI指数连续33个月负增长,工业企业利润增幅下滑,下行压力显著。反观国际领域,德国提出了工业4.0计划,掀起新一轮的工业革命,美国凭借模式创新、技术创新和资本优势继续称霸全球,欧盟则因循"下一代制造业发展战略",日本的"精益制造"持续在汽车、机器人和精密仪器等领域扩大产品技术优势。