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深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型 总被引:1,自引:1,他引:0
本文在分析FDSOIMOSFET特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型.模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移率下降、沟道调制、载流子速度饱和、漏致电导增强(DICE)和串联S/D电阻等.该模型最大的优越性在于线性区和饱和区电流可以用同一个简单的表达式描述,确保了电流及其高阶导数在饱和点连续.将模型模拟计算结果与实验结果进行了对比,当器件的沟道长度下降到深亚微米区域时,二者吻合得仍然很好 相似文献
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本文系统描述了全耗尽短沟道LDD/LDSSOIMOSFET器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽SOIMOSFET模型,文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应,及由于LDD/LDS区的存在对本征MOS器件电流特性的影响。 相似文献
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通过求解经修正的二维泊松方程,并考虑了主要的短沟效应和高场效应,得到一个描述短沟道MOSFET器件I-V特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚阈区在内的不同工作区域,对0.8μm和1.4μm器件的漏极电流特性能较好地描述,可应用于亚微米、深亚微米级MOSFET的电路模拟。 相似文献
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对溶亚微米器件,由于工作电压下降,要求重新确定LDD和常规MOSFET在VLSI中的作用。本文从基本器件数理方程发出,对深亚微米常规及LDD MOSFET的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟,指出了常规和LDD MOSFET各自的局限性,明确了在深亚微米VLSI中,LDD仍然起主要作用。 相似文献
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凹陷沟道SOI器件的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文较为详细地描述了凹陷沟道SOI器件的结构和工艺制造技术,采用凹陷沟道技术制备的SOI器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽SOI器件的性能.采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为70nm、源漏区硅膜厚度为160nm、有效沟道长度为0.15~4.0μm的高性能凹陷沟道SOIMOSFET,它与常规薄膜全耗尽SOIMOSFET相比,跨导及饱和漏电流分别提高了约40%. 相似文献
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本文根据所建浮体效应物理模型,研究了器件参数对SOIMOSFET浮体效应影响关系.研究结果表明,降低源漏掺杂浓度、减小体区少子寿命、采用优化的硅膜厚度、以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等,可以有效地抑制浮体效应,提高器件的源漏击穿电压,这些参数在工艺上可以对应采用LDD&LDS的MOS结构、准确控制的沟道缺陷工程以减小少子在SOI体区的复合寿命等,为从工艺设计上进一步改善SOIMOSFET的器件特性打下理论基础. 相似文献
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深亚微米MOSFET模型研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文中对在深亚微米MOSFET的器件模型研究基础上,提出了研究MOSFET模型值得注意的问题,并对如何建立深亚微米MOSFET模型作出了有益的探讨。 相似文献
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薄膜全耗尽SOI器件的二维数值模拟软件 总被引:1,自引:0,他引:1
开发了适合于薄膜亚微米、深亚微米SOI MOSFET的二维数值模拟软件LADES-IV-Z,该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生-复合作用,采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程,从而大大提高了计算效率和收敛性。此模拟软件可用于分析沟道长度为0.15-0.5μm、硅膜厚度为50-400nm的SOI器件的工作机理及其端特性。模拟结果与实验结果比较,两者吻合较好,说明该模拟软件 相似文献
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深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
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本文较为详细地介绍了能有效地改善SOS材料结晶质量的双固相外延DSPE工艺,给出了优化的工艺条件.通过比较用DSPE及普通SOS材料制作的CMOS/SOS器件和电路的特性可以看出,采用DSPE工艺能显著改善SOS材料的表面结晶质量,应用DSPE工艺在硅层厚度为350nm的SOS材料上成功地研制出了沟道长度为1μm的高性能CMOS/SOS器件和电路,其巾NMOSFET及PMOSFET的泄漏电流分别为2.5pA和1.5pA,19级CMOS/SOS环形振荡器的单级门延迟时间为320ps. 相似文献
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深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析 总被引:2,自引:2,他引:0
本文从二维模拟热载流子注入电流入手,讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米SOI/MOSFET’s热载流子效应的影响.模拟结果表明,对于不同的硅层厚度,沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用,有时甚至是决定性的作用.沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样,是影响薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应的重要因素,这也就解释了以往文献中,随着硅层减薄,沟道电场增大,热载流子效应反而减小的矛盾.模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内(60~100nm),器件热载流子效应 相似文献
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利用低温(77-295K)短沟NMOSFET准二维解析模型,研究了77-295K温区NMOSFET衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变,其值约为7.6nm;低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量,但由于碰撞电离减弱,使NMOSFET的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明,提出的衬底电流机制和模型适用于77-295K宽温区范围。 相似文献
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MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模 总被引:1,自引:1,他引:0
小尺寸MOS器件参量具有很强的分布效应,需要二维模型描述,本文从y截面流函数方程求解获得了MOS器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型,模型是横向场Er(y)和纵向场Ex(y)的函数,二维分布模型截有较充分的物理过程,可以基本反映电流密度的实际分布,模型可应用于与电流路径相关的MOS器件特性的研究,特别重要的应用领域是MOS热载流子可靠性电子学中的栅电流分布建模,选和深亚微米MOS器件的横向场 相似文献
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