一种用于SRAM快速仿真的模型

根据静态随机存储器(SRAM)电路及版图的设计特点,提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型.该模型仿真快速准确,能克服Spice仿真软件对大容量SRAM版图后仿真速度较慢的缺点,在很大程度上缩短了设计周期.同时,它的仿真结果同Synopsys公司的Nanosim软件仿真结果相比偏差小于5%.该模型在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用;芯片采用的是中芯国际0.18μm CMOS工艺.流片验证了该模型对于大容量的SRAM设计是准确而有效的.     

一种用于SRAM快速仿真的模型

根据静态随机存储器（SRAM）电路及版图的设计特点,提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型．该模型仿真快速准确,能克服Spice仿真软件对大容量SRAM版图后仿真速度较慢的缺点,在很大程度上缩短了设计周期．同时,它的仿真结果同Synopsys公司的Nanosim软件仿真结果相比偏差小于5％．该模型在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用;芯片采用的是中芯国际0.18μm CMOS工艺．流片验证了该模型对于大容量的SRAM设计是准确而有效的．     

层次版图连接关系提取

本文提出了一种新的层次版图连接关系提取算法,其利用投影法和版图倒序树(Inverse Layout Tree,简记为ILT)构建同一原始图形在不同层次单元之间的关联,并在基于边的扫描线算法的基础上利用组合器的方法建立版图数据的正确连接.此算法能够极好的保持版图中原有的层次,在此算法基础上进行的层次网表提取能够使层次LVS得到最大程度的支持;同时,算法具有很高的效率,只需占用很少的资源.目前,九天EDA系列工具中的层次版图验证工具已经采用此算法.     

基于一种新的遗传算法的天线方向图综合技术

给出了一种基于实数编码遗传算法的天线方向图综合方法.在遗传算法模型中采用了向下、向上外推和非一致杂交算子等交叉技术,并结合内插、交换等多种技术形成综合交叉方式.该算法克服了已有算法早熟、对初始群体依赖性等缺陷的同时,较大幅度地提高了算法的收敛速度和可靠性;通过在目标函数中加入零陷方差项克服了现有算法零陷不均衡的缺陷.计算机仿真结果表明,与现有算法相比,该方法用于天线方向图综合具有收敛速度快、零陷均衡、可靠等优势.     

一种新的大容量SRAM编译器设计

介绍了一种大容量的SRAM编译器设计技术。根据SRAM容量和结构,提出了新的建模方案,并建立更优化的时序和功耗模型。同时,根据大容量SRAM在面积和性能上的需求,选择不同的译码器和拼接结构,采用合适的IP核进行拼接,并从结构上实现。对512 kb和1 Mb的SRAM进行了流片测试,测试结果表明,该方案对于大容量的SRAM编译器设计是有效的。     

一种高性能星载综合电子系统设计

针对传统卫星系统间接口关系复杂、通用能力较弱的问题,文中将传统分系统、单机产品替换为标准模块,从而组成了星载综合电子系统。通过VPX模块化设计,各个模块接口标准化,提高了系统适用性和可扩展性;通过高低速双总线设计,极大地提高了星上数据传输效率;高速总线设计为时间触发以太网(TTE),极大地提高了星上数据传输速率和实时性。实验结果表明,采用文中设计方案的综合电子具有接口简单、通信速度快、可靠性高的特点。该系统已在某卫星综合电子中成功应用,效果良好,对星载综合电子设计具有重要的指导和参考意义。     

一种基于CMOS工艺的电平转换芯片

基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺设计了一种电平转换芯片.整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6 μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS 工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1mm×1mm,并参与...     

一种高抗辐射的SOI电脉冲时间间隔测定电路

研制出一种高抗辐射的 SOICMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。在阐述其工作原理的基础上 ,进行了抗辐射设计与版图设计。通过实验分析找到了向 SOI材料的 Si O2 埋层注入 F+ 离子的优化注入条件 ,有效地抑制 SOI CMOS器件的阈值电压的漂移 ,提高了电路的抗辐射性能。采用注入 F+离子 SOICMOS工艺投片后测试结果表明 :该电路与同类体硅电路相比 ,具有高速、低功耗、测量精度高以及优良的抗辐射性能     

一种基于频率响应屏蔽技术的FIR滤波器设计新方法

提出了一种设计高效窄过渡带宽FIR滤波器的新方法。该方法以传统的频率响应屏蔽(FRM)方法为基础,通过选择特定的原型滤波器来降低合成的数字FIR滤波器的复杂度。本文研究了该方法的原理、实现结构和设计方法,并通过设计实例证明了此方法的有效性。     

基于断言的SRAM控制器功能验证

传统的基于约束的随机矢量生成验证技术在验证过程中存在难于定位bug的缺点,从而增加了验证时间。文中将断言技术和随机矢量验证方法相结合形成基于断言的验证方法,通过在设计实现中加入断言,实时监控设计特性,使设计bug更加容易定位,从而缩短验证过程。以SRAM控制器为例,实验结果表明整个验证时间缩短40%以上,加快了设计验证进度。     

基于SystemVerilog的SRAM控制器IP核验证

随着硬件设计复杂度的提高,设计的后期验证在设计生命周期中占据的比重也越来越大。能否对设计进行全面有效的验证,是验证人员所面临的主要问题。采用SystemVerilog语言对SRAM控制器IP核搭建验证环境,并结合SVA断言技术对其实行监控,得出代码及功能覆盖率数据。通过与传统的验证方法对比分析可知,基于SystemVerilog的验证方法更加全面有效,提高了验证质量。     

一种降低高性能SRAM过大位线漏电流的方法

随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势。高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生。特别是当位线上积累的漏电流已经超过SRAM的工作电流时,传统方法将趋于失效。提出位线自截断技术来消除过大漏电流对SRAM的不利影响。采用SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一款SRAM,通过仿真测试,验证了该方法的正确性。     

一种新型的调Q技术

一种新型的、简单的调Q技术已在Nd∶YAG激光系统中被研究成功。该系统使用非线性镜结构实现调Q。这种新型的调Q技术简单、稳定,且半宽度较宽。该系统获得的结果为:输出能量10mJ,脉冲宽度为50ns,模式为TEM_(00)。     

新型的制造技术─—快速成型制造技术

快速成型制造技术是国际上新开发的一项高科技成果。它集成了现代数控技术、CAD／CAM技术、激光技术和新型材料科学于一体，突破了传统的机械加工方法，不需要模具或专用工具，能快速、准确、方便地加工出形状复杂、精度高的零件。文中介绍了目前国际上快速成型方法及应用方向，并较详细介绍了其中较成熟的快速光成型原理及相关技术。     

一种基于重组DNA技术的密码方案

DNA密码体制的设计、分析和应用在国际上尚处于探索性研究中.本文提出了一种基于重组DNA技术的密码体制方案;设计了新密码体制的加/解密方法以及DNA序列的数字编码方法;分析了新密码体制的保密强度.本文工作具有一定的原始创新性.     

基于ILT的版图自动层次构造算法

在超大规模集成电路设计中，随着版图规模的急速增大，采用层次(hierarchieal)版图验证的方法成为提高计算效率的关键。版图中存在大量重复单元的阵列，单元边界问题处理策略的选择．是决定版图层次验证工具效率的一个关键。文章采用了基于版图倒序树(ILT)的自动构造皈图层次的算法，使扁平的版图形成多个层次，利用新增单元版图规模的压缩达到加速处理边界问题的效果，提高了版图层次验证工具的效率。