La2/3(Ca,Ba)1/3MnO3系统的顺磁共振研究

报道了对La2/3Ca1/3MnO3和La2/3Ba1/3MnO3 同温度下的电子顺磁共振（EPR）实验研究，当温度高于某一特征温度Tmin时，共振线宽随温度降低而线性变窄；当温度低于Tmin时，共振线宽表现出反常展宽。基于“瓶颈（bottleneck)”自旋－晶格弛豫模型我们对这种行为进行了讨论，并且指出A位离子平均半径强烈影响着自旋－晶格交换作用和自旋－自旋相互作用的强弱。     

La0.7Ca0.3MnO3多晶样品中的相分离研究

采用固相反应法制备了La0.7Ca0.3MnO3多晶样品并借助X射线衍射,零场下的电阻测量以及电子顺磁共振技术对样品的结构、电子输运和磁性质进行了研究.实验结果表明,在居里温度TC附近,电子顺磁共振(ESR)谱线出现异常,谱线表现出明显的不对称,共振场随着温度的降低向低温方向移动.我们发现在居里温度TC以下用两个洛仑兹峰对ESR谱线可以进行较好的拟合,从而有力地证明了在相转变温度TC附近存在铁磁与顺磁相的共存.     

La0.5Ca0.5MnO3中Ca位上Ba掺杂效应研究

用固态反应法制备了具有单相结构的La_0.5Ca_0.5-xBa_xMnO₃系列样品,其结构随Ba含量增加由立方晶系转变为典型的正交晶系．零场下输运性质实验表明,在较低掺杂量时,系统在整个温区显示半导体型导电特征,而当掺杂量超过0.14时,系统发生由半导体到金属的转变,且转变的温度随掺杂量增加而移向高温瑞．基于对实验结果的分析,就Ca位上Ba掺杂所起的作用进行了初步探讨．     

(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3)Fex/3)O3体系磁电阻行为的研究

通过系统地测量（La_2/3Ca_1/3）（Mn_{（3-x）／3}Fe_x／3）O₃（x＝0、0.1、0．2、0．3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应．作者认为由于Fe的替代,引起体系中Mn³⁺／Mn⁴⁺比率及磁矩的变化,加之外场对磁有序结构的调制作用,从而影响了Mn³⁺－O^－Mn⁴⁺的双交换作用,最终导致磁电阻行为发生变化．     

La0.5Ca0.5MnO3中Ca位上Ba掺杂效应研究

用固态反应法制备了具有单相的Ｌａ０．５Ｃａ０．５－ｘＢａｘＭｎＯ３系列样品,其结构随Ｂａ含量增加由立方晶系转变为典型的正交晶系。零场下运输性质实验表明,在较低掺杂量时,系统在整个温区显示半导体型导电特征,而当掺杂量超过０．１４时,系统发生由半导体到金属的转变,且转变的温度随掺杂量增加而移向高温端,基于对实验结果的分析,就Ｃａ位上Ｂａ的掺杂所起的作用进行了初步探讨。     

Ba缺位型稀土氧化物La0.65BaxMnO3的磁电特性分析

制备了Ba缺位型稀土氧化物La0.65BaxMnO3材料,发现随着Ba缺位量在La0.65BaxMnO3中的增加,材料由高晶体对称性向低晶体对称性转移.x＞0.30时材料保持立方晶体结构,当x≤0.25时材料呈现菱方晶体结构.在La0.65BaxMnO3中,随Ba成分x从0.35减少到0.33,居里温度有一个小峰,室温电阻率有一小谷;随x进一步减小(x≤0.30),居里温度随之下降,室温电阻率上升.极化子电阻模型分析表明在La0.65BaxMnO3中,电子活动能力(x=0.35)＞电子活动能力(x=0.25)＞电子活动能力(x=0.20).这与室温电阻率的Ba成分依赖关系吻合.我们还基于迪尼模型计算了La0.65BaxMnO3中电阻随温度的变化关系曲线.计算结果与实验数据符合的较好.计算结果还表明:晶格效应、电-声作用、载流子-晶格(缺陷)耦合作用在解释稀土锰基氧化物材料中的电输运现象方面必须予以考虑.     

La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究

利用脉冲激光沉积的方法在Si（100）氧化成SiO₂的基片上制备了(La_2/3Sr_1/3MnO₃)_x/(ZnO)_1-x混合物薄膜,研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明,除了衬底SiO₂的衍射峰以外,分别出现了La_2/3Sr_1/3MnO₃（101）的衍射峰和ZnO（002）的衍射峰,且它们形成了两相共存体系. 实验表明：x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性,而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下,x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明,在La_2/3Sr_1/3MnO₃和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层,且产生了界面缺陷态.     

双掺杂稀土锰氧化物La2/3(Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3薄膜的输运特性

采用射频磁控溅射法制备了Ca、Sr双掺杂La2/3(Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3(LCSMO)薄膜。电阻率-温度特性表明,薄膜在387K时发生铁磁金属相-顺磁非导体相相变。同时测试了薄膜在180,230和280K温度下的伏安特性．表明所制备的薄膜具有自阻效应,并分析了产生该现象的原因。     

La0.67Ba0.33MnO3中Cu掺杂对电特性和室温磁电阻的影响

在溶胶-凝胶法制备的La0.47Ba0.38MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)／／(CuO),(x=0．01～0．1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现．随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0．01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关。实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高．当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8．4％。比未掺杂的LBMO提高了50％。低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题。     

La0.67Ba0.33MnO3中Ag的掺杂效应

在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33 MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)／(Ag2O)x／2(x=0～0．35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率。当掺Ag量为x=0．25时,样品的电阻率达到最低值。同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强。微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强。     

Tilting Mode Relaxation and Oxygen Isotope Effect in La2?xSrxCuO4 Studied by Electron Paramagnetic Resonance

The electron paramegnetic resonance (EPR) of Mn²⁺ doped into La_2–x Sr _x CuO₄ was used to probe the copper spin relaxation via the bottleneck effect for oxygen isotope (¹⁶O and ¹⁸O)–substituted samples. It was found that the EPR linewidth is larger for the ¹⁸O isotope samples than for the ¹⁶O samples. For x = 0.03, the linewidth for the ¹⁸O sample is larger than for ¹⁶O sample by a factor of 2. The isotope effect is pronounced at low temperatures and decreases with increasing Sr concentration. This effect is quantitatively explained by the Cu²⁺ S = 1/2 spin relaxation to the lattice via Dzyaloshinski terms coupled linearly to the local Q ₄/Q ₅ tilting modes of the CuO₆ octahedra as proposed by Kochelaev et al. [1] The Q ₄/Q ₅ modes are coupled sterically to the Q ₂ Jahn–Teller modes considered to be relevant for the (bi)-polaron formation and thus for the high-temperature superconductivity (HTSC).     

Electron Paramagnetic Resonance of Tb3+ Ions in YBa2Cu3O6

The first observation of electron paramagnetic resonance (EPR) of Tb³⁺ doped into YBa₂Cu₃O₆ is reported. EPR is used to determine the local symmetry of the rare-earth ion and to study the effect of suppression of high-T _c superconductivity by doping. The distance between the lowest singlets of Tb³⁺ ion 7.1 GHz 0.24 cm^–1 and g-factor g 17.9 have been estimated from measurements. Both these parameters are in a good agreement with the corresponding calculated values. No evidence of Tb⁴⁺ ions was found.     

MnCO3/MnO2共掺杂对（Ba,La,Ca）TiO3基陶瓷材料介电性能的影响

采用水热法制备了Ba0.7La0.2Ca0.1TiO3陶瓷材料,研究了MnCO3/MnO2共掺杂对陶瓷材料介电性能的影响及相关的影响规律。随着nMnCO3/nMnO2的增加,材料的介电常数开始增大随后减小,而介电损耗先减小再增大后开始波动,击穿场强先增大后减小。当nMnCO3/nMnO2为3∶1时介电常数最大,得到了介电常数(εr)为4661,介质损耗(tanδ)为0.0165,击穿场强(Eb)为12.58kV/mm,绝缘电阻(R)为3.7×1013Ω的高介电低损耗陶瓷粉体材料。最后探讨了MnCO3/MnO2共掺杂改性的有关机理。     

(La0.9Bi0.1)2/3Ca1/3MnO3磁性和电输运性质研究

利用固相反应法制备了(La0.9Bi0.1)2/3Ca1/3MnO3样品,研究了它的导电特性和磁性.在电阻和磁化测量中观察到热滞现象. 在电阻-温度(R-T)曲线中出现了两个峰,当施加5T外场时,电阻中的热滞现象被抑制,只观察到一个峰.磁化(M-T)曲线表明,在居里温度(Tc)以下发生了顺磁-铁磁(PM-FM)相变. 样品不同寻常的M-T行为能够很好地解释测量到的R-T曲线.     

Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La的影响

用Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La使材料的居里温度单调下降，掺Dy使材料的相变温度单调下降，峰值电阻率迅速增大，磁电阻比急剧增大，掺入13％（原子分数）的Dy可使材料的最大磁电阻比增大近40倍，而掺Yb对磁电阻的影响要小得多，用自旋团簇理论可以解释庞磁电阻的形成。     

Electron Spin Resonance in Pr0.65Ca0.35MnO3

The magnetic behavior of the distorted perovskite manganese, Pr_0.65Ca_0.35MnO₃ was studied by X-band electron spin resonance for powder samples. We observed the onset of the charge-ordered state at T _CO215 K, the antiferromagnetic transition with the peak of the ESR linewidth, H _p–p at T _AF180 K and the canted antiferromagnetic transition at T _CAF125 K associated with the abrupt increase of both the effective magnetization and H _p–p . Below 90 K, the absorption intensity profile becomes weakened with decreasing temperature suggesting the existence of some kind of magnetic disorder below 90 K, which is responsible for a part of evidence of the existence of the spin-glass state as has been proposed by Yoshizawa et al., Phys. Rev. B 52, 1689 (1996).