SrAl2O4 ：Eu2+和SrAl2O4 ：Eu2+，Dy3+长余辉和热释光谱

对比研究了SrAl2O4:Eu2+和SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的余辉特性和热释光谱,并探讨了Dy3+的掺杂对SrAl2O4:Eu2+陷阱能级的影响。XRD晶相分析表明: Eu2+和Dy3+的掺杂并没有改变SrAl2O4的晶体结构。发光分析表明：Dy3+的掺杂没有改变SrAl2O4:Eu2+的光致发光光谱和发光中心。热释光谱对比分析结果显示：Eu2+的掺杂在SrAl2O4的禁带中引入了两个深度不同的陷阱能级;Dy3+的掺杂并不改变原来陷阱能级的深度,却能够显著地增加原来浅陷阱能级的密度,从而改善了SrAl2O4:Eu2+的余辉特性。不同等待时间的热释光谱曲线显示：在室温下,不同陷阱能级衰减规律的差异以及陷阱能级间存在的电子转移,可能造成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料复杂的余辉衰减规律。     

长余辉材料SrAl2O4∶Eu2+ ,Dy3+的制备及发光性能研究

采用高温固相法,在碳粉还原条件下制备了发光亮度高、余辉时间长的SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,对其发光性能进行了研究.发光粉体经碳粉还原后的发射光谱表明,其发射主峰位于509 nm左右;余辉衰减曲线证明其余辉衰减过程存在快速衰减和慢衰减两个过程,该发光粉体的余辉时间能持续20 h以上.此外还考察了烧结温度、稀土掺杂量和助熔剂含量对此发光粉体发光性能的影响.     

长余辉材料SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋的制备及发光性能研究

采用高温固相法，在碳粉还原条件下制备了发光亮度高、余辉时间长的SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋长余辉发光材料，对其发光性能进行了研究。发光粉体经碳粉还原后的发射光谱表明，其发射主峰位于509nm左右；余辉衰减曲线证明其余辉衰减过程存在快速衰减和慢衰减两个过程，该发光粉体的余辉时间能持续20h以上。此外还考察了烧结温度、稀土掺杂量和助熔剂含量对此发光粉体发光性能的影响。     

纳米晶ZrO2-Al2O3:Dy3+的制备及发光性质的研究

为了研究纳米晶ZrO2-Al2O3:Dy3+的晶相变化、发光特性及ZrO2-Al2O3与Dy3+之间是否有能量传递,采用化学共沉淀法制备了纳米晶ZrO2-Al2O3:Dy3+复合粉体。用X射线衍射图对粉体进行表征。随着煅烧温度的增加,粉末的晶相发生变化。通过对粉体晶相的分析可知,ZrO2和Al2O3在1100℃至1200℃时固溶,在1300℃时有一小部分固溶。用353nm的波长激发基质,从发射光谱中看到Dy3+丰富的发射能级,其发射光谱的主发射峰在483nm和583nm处,以483nm为激发波长得到激发光谱。结果表明,由于激发光谱中包含了来自于对基质的吸收,基质ZrO2-Al2O3和Dy3+之间存在能量传递。     

还原气氛对Sr_(1.94-x)Ba_xMgSi_2O_7:Eu_(0.01)~(2+),Dy_(0.05)~(3+)长余辉材料发光性能的影响

用高温固相反应法,分别在H2和CO还原气氛中制备了Sr1.94-x Bax MgSi2O7:Eu2+0.01,Dy3+0.05长余辉材料;研究了不同还原气氛对该系列荧光粉发光及余辉性能的影响。研究结果表明,随着Ba2+浓度的增加,荧光粉的晶体结构发生了改变,从而导致发射光谱和余辉光谱的峰位也发生了变化;CO还原气氛下所制备荧光粉的纯度要高于H2还原气氛下制备的样品,CO还原气氛下所制备荧光粉的余辉的初始亮度和衰减都明显优于H2还原条件下所制备的样品,说明CO还原条件下更容易形成具有合适浓度和深度陷阱的纯相荧光粉,有助于提高样品的余辉性能。     

Si~(4+)掺杂对Gd_(1.6)WO_6:Eu_(0.4)~(3+)荧光粉发光特性的影响

采用高温固相法合成了不同Si 4+掺杂比例的Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉,分析了Si 4+掺杂对Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉晶格结构的影响,研究了不同Si 4+掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线。结果发现:Si 4+的掺杂改变了基质的结构,使得激活剂离子Eu3+周围的晶体场改变,从而改变了荧光粉的发光效率,当Si 4+的掺杂浓度达到0.4mol时,晶体对称性最差,粉体发光强度最大。根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数和无辐射跃迁几率,结果表明适量的Si 4+掺杂可以抑制无辐射跃迁,提高发光强度。计算结果与实验结果相符。     

Eu~(3+),Tb~(3+)共掺杂NaY(MoO_4)_2材料的制备及发光性能研究

采用水热法制备出NaY(MoO4)2:Eu3+,Tb3+下转换发光材料。通过X射线粉末衍射、红外光谱、荧光激发和发射光谱对其进行表征。讨论了不同反应温度及Eu3+掺杂浓度对NaY(MoO4)2:Eu3+,Tb3+的晶体结构和发光性能的影响,得到水热温度为180℃及Eu3+浓度为摩尔分数0.7%时,样品具有最佳的发光效果。在395nm光激发下,观察到了591nm处橙光发射峰以及616nm处强红光发射峰,分别对应于Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁。并研究了NaY(MoO4)2:Eu3+,Tb3+材料中Tb3+对Eu3+的敏化作用及能量传递过程。     

Eu3+,Li+共掺杂ZnO薄膜结构与发光性质的研究

为了研究Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜结构与发光性质,采用脉冲激光沉积方法在P型单晶Si（111）衬底上制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜,其中,Eu3+作为发光中心,而Li+作为低价电荷的补偿离子和发光敏化剂。分别对样品进行了X射线衍射谱测试和光致发光谱分析。得出的数据中X射线衍射谱显示,Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,X射线衍射谱中除ZnO晶向以外没有出现其它结晶峰;Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜的光致发光谱与ZnO纯晶体薄膜的发射光谱基本相似,但是掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰却出现红移现象,峰值位于382nm处,且发光峰也不尖锐。当以395nm的激发光照射样品时,在光致发光光谱中观察到了稀土Eu3+在594nm,613nm附近的特征发光峰。结果表明,掺杂元素Eu3+,Li+均已进入到ZnO晶格中,形成了以Eu3+为发光中心的ZnO纤锌矿结构。     

基于PLD法制备ZnO:Eu3+,Li+薄膜的发光性质研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(111)衬底上生长了Eu3+、Li+共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)谱测试和光致发光(PL)谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的影响。XRD谱测试表明,样品具有很好的C轴择优取向。PL谱研究表明,当用325nm光激发样品时,样品的发射光谱仅由ZnO基质的紫外发射和蓝光发射组成,并没有发现稀土Eu3+的特征发光峰;样品的蓝光发射源于电子从Zn填隙形成的浅施主能级到Zn空位形成的浅受主能级跃迁;和真空中退火的样品相比,O2中制备的样品的蓝光发射减弱,紫外发光增强。用395nm的光激发时,退火前样品分别在594nm和613nm处存在两个明显的Eu3+特征发光峰,退火后的样品仅发现Eu3+位于594nm的特征发光峰,这表明,退火处理不利于稀土离子的特征发射,但O2中退火的样品ZnO基质红绿波段发射光谱明显增强。     

Y3MgAl3SiO12:Dy 3+,Eu 3+荧光粉的能量传递与暖白光实现

采用高温固相法合成了Dy ³⁺、Eu ³⁺共掺杂Y₃MgAl₃SiO₁₂石榴石型荧光粉。采用XRD、荧光光谱仪等仪器对样品的结构以及光谱特性进行表征,探究了Dy ³⁺/Eu ³⁺在Y₃MgAl₃SiO₁₂基质结构中的光谱特征以及离子间的能量传递机制。在367 nm近紫外光激发下,Y₃MgAl₃SiO₁₂:Dy ³⁺,Eu ³⁺的发射光谱包含Dy ³⁺的6F9/2到6H15/2和6H13/2的电子跃迁特征发射(487 nm蓝光和592 nm黄光)和Eu ³⁺的5D0 7F2 and 5D0 7F4特征发射峰(616 nm和710 nm红光)。在400~500 nm范围内Dy ³⁺发射谱与Eu ³⁺激发谱重叠,表明Dy ³⁺与Eu ³⁺之间存在着能量传递,能量传递的机理为电四极-电四极相互作用。该荧光粉通过调整Dy ³⁺和Eu ³⁺的掺杂浓度比封装近紫外LED芯片,可以实现单基质暖白光LED照明。