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烧结温度对掺Mn的NiZn铁氧体磁性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了烧结温度对掺杂6wt% MnCO3的Ni0.24Zn0.6Fe1.98O4铁氧体磁性能的影响.实验发现,在1220℃烧结时,此配方NiZn铁氧体能达到较好性能,其起始磁导率及品质因数均高,介电常数高频衰减减小,且材料的微观结构较好,晶粒平均粒径较大,晶粒中气孔少. 相似文献
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采用陶瓷工艺制备低温烧结Ni Zn软磁铁氧体材料,研究了掺杂Co_2O_3、Cu O、Bi_2O_3、V_2O_5、Si O_2等对材料烧结温度及主要磁性能如磁导率、功耗等的影响。结果表明,Bi2O3对降低材料烧结温度有益但对功耗改善无益,Si O2对功耗改善有益但效果不明显,而组合添加0.15mol%Co2O3、9.0mol%Cu O、0.40~0.50wt%V2O5不仅可达到大幅度降低材料功率损耗,改善功耗特性,而且可保证材料低温烧结和其它优良磁性能,并获得具有低温烧结(烧结温度900℃左右)、低功耗(功率损耗Pcv≤300k W/m3(20℃,1MHz,30m T))、适于LTCF工艺和片式功率器件应用的Ni Zn功率铁氧体材料。 相似文献
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使用同一配方制备得到的锰锌铁氧体坯件分别在1360℃、1330℃、1300℃下采用平衡气氛法烧结,制备得到致密的锰锌铁氧体磁环。SEM结果表明,降低烧结温度有效地减小了晶粒尺寸,消除了晶粒内部气孔,改善了晶粒均匀程度,使晶界更为清晰。电磁性能测试表明,在三种温度烧结得到的锰锌铁氧体材料的起始磁导率μi没有显著差异;饱和磁感应强度Bs随烧结温度降低有小幅上升;总功率损耗随烧结温度的降低而下降;并且在1300℃烧结的铁氧体材料的功率损耗(100k Hz/200m T,100℃)很低,约为255k W/m~3。通过损耗分离证实,总功率损耗的改善主要是涡流损耗大幅降低所致。 相似文献
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采用传统陶瓷工艺制备MgZn软磁铁氧体材料,分析了Cu、Mn替代以及微量掺杂对材料性能的影响。实验结果表明适量Cu、Mn取代Mg可提高材料的分子磁矩,从而提高饱和磁化强度,同时增强超交换作用,通过微量Bi2O3、V2O5掺杂可改善材料显微结构,减少材料气孔,提高致密性,使材料具有高饱和磁通密度Bs、高磁导率μi、高居里温度TC、高绝缘电阻ρ等优良性能,并使材料具有良好的直流叠加特性,从而满足大功率电感元件的性能要求。实验表明Mg0.21Mn0.12Cu0.15Zn0.52Fe2O4为主配方添加0.2%Bi2O3、0.1%V2O5材料性能最好。 相似文献
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NiZn铁氧体靶材及薄膜的磁性能和微观结构 总被引:3,自引:1,他引:2
首先采用固相反应法制备NixZn1-xFe2O4铁氧体靶材(x=0.2~0.8),研究了Ni取代量对靶材性能的影响;并选用Ni0.5Zn0.5Fe2O4靶材,采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了NiZn铁氧体薄膜.靶材样品的分析结果表明,随Ni含量增加,样品的X射线衍射峰向高角方向移动,晶格常数和平均晶粒尺寸都单调减小;当x=0.5~0.6时,NixZn1-xFe2O4铁氧体饱和磁感应强度Bs较高,矫顽力Hc较小.薄膜样品的分析结果表明,制备的薄膜经800℃退火后,呈尖晶石结构,并沿(400)方向择尤取向;薄膜的饱和磁化强度Ms和面内矫顽力Hc分别为310kA/m和8.833kA/m. 相似文献
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