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结型场效应晶体管(简称J-FET)具有低噪声、高输入阻抗以及高截止频率、高输出阻抗的特点。把它做进模拟集成电路里,用于输入级、动态负载和恒流源,可以提高电路的性能。但是,在模拟集成电路里,外延层厚度、扩散深度被双极型晶体管要求所固定。因此,采用一般平面J-FET存在以下二方面的限制: 第一,对J-FET参数的控制,在工艺上比较困难。第二,通常只能把P沟J-FET做进双极型集成电路里,要制造内含N沟低阈值电压的J-FET则是十分困难的。为此,采用了这种新的J-FET结构。它与一般平面的J-FET结构主要不同处是具有V形槽沟道区。顶控制栅沿着V形槽边壁。由于沟道区非 相似文献
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《电子设计技术》2005,12(9):133-133
凌特公司(Linear Technology)推出一系列具有像双极型放大器那样低的电压噪声的新型CMOS放大器。LTC6241双路和LTC6242四路放大器在0.1Hz至10Hz区域具有550nV p-p低噪声,其电压噪声比现有CMOS放大器少3倍。LTC6241和LTC6242具有1pA偏置电流和低于125uV的输入失调电压。偏压漂移保证低于2.5uV/℃,而124dB的高电压增益保持系统误差达到最小。在每个放大器最大2.2mA的低电源电流上18MHz的增益带宽和10V/μs的转换率使这些放大器可以用于多种信号处理应用。此外,仅为3pF的低输入电容使这些放大器非常适用于高源阻抗应用。LTC6241双路放大器用低至2.8V和高达12V(HV版本)的电源电压工作。 相似文献
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光纤通信系统中,前置放大器用于检测光电探测器输出的微弱电流,40Gb/s光通信系统对前置放大器的基本指标要求为带宽、跨阻增益和等效输入噪声电流。南京电子器件研究所在国内首次利用0.2μm的GaAs低噪声PHEMT工艺成功地研制了前置放大器芯片,单管栅宽为60μm,放大器的静态工作点为5V/60mA。测试结果显示:前置放大器3dB带宽超过40GHz,跨阻增益为46dBQ, 相似文献