数字电视中载噪比(C/N)和调制误码率(MER)对BER的影响

为保证数字电视信号传输质量,须合理规划设计C/N和MER指标,确保BER指标符合要求.讨论数字电视系统中载噪比(C/N)和调制误码率(MER)对误码率(BER)的影响,分析QAM调制原理.     

数字电视QAM信号与星座图的测试分析

与模拟有线电视不同,广电数字电视网络中的噪声、畸变以及入侵干扰,都会对数字电视业务造成严重影响。影响服务质量的关键指标归结起来主要有MER（调制误差率）、BER（比特误码率）、C／N（载噪比）、Power Level（平均功率）、EVM、星座图等组成的射频和调制质量指标。为满足上述各项指标的测试,需要一个覆盖前端机房与线路维护的完整测试平台解决方案。本文主要从数字电视QAM测试和星座图测试方面进行分析。     

浅谈数字电视信号的测量

数字电视信号的测量参数有平均功率电平、误码率BER、调制误差率MER、星座图、突发噪声等,我们在用户端经常用到的是平均功率电平、误码率BER和调制误差率MER这三个测试指标。其中最能反映数字电视信号优劣的主要是误码率BER,而能保证合格误码率的是对系统进行正确的电平测量和调试。     

从一例数字电视马赛克故障说开去

随着数字电视技术的不断发展,对于有线网络公司运维人员,深入理解数字电视传输系统原理,掌握和理解好数字电视传输系统中各项指标十分重要。数字信号电平、数字信号信噪比(S/N)、载噪比(C/N)、调制误差率(MER)、比特误码率(BER)四大指标作为衡量数字电视传输系统常用指标,保证此四大指标运行在良好的范围内,方能有效的保证数字信号的传输质量。     

调制误差比（MER）在数字电视网传输中的变化

数字电视信号在传输的过程中,调制误差比（MER）、误码率（BER）、信噪比（S/N）、电平等是体现数字电视网络质量的几个重要指标,其中调制误差率能体现数字电视信号的整体质量,它包含各种噪声、载波泄漏、IQ幅度不平衡、IQ相位误差、相位噪声等所有类型的信号损伤。通过对数字电视网络分中心机房输入输出的信号测试,比较输入输出前后信号的变化情况,并分析出其中的原因。     

数字电视中调制差错率（MER）与比特误码率（BER）的关系

随着近年来数字电视技术的不断发展,掌握和理解好数字电视传输中的主要指标十分的重要。我们只有合理地规划和调整好调制误码率(MER)等重要指标,才能更好确保比特误码率(BER)指标保持在一个良好的范围内,从而有效保证数字电视信号的优质传输。     

广电城域网如何适应数字电视时代的发展 第六部分 有线数字电视参数的测试

一需要测试哪些参数有线数字电视系统需要测试的技术参数可分为两大类：（1）系统参数：（2）码流参数。主要的技术参数有数字电视频道功率（电平）、调制误差比（MER）、数字频道载噪比（CNR）和误码率（BER）。     

FRA/EDFA组合放大+DCF补偿的超长距离1550nm SCM光纤传输系统(下)

4 超长距离数字调制光纤CATV传输系统 4.1 数字调制光纤CATV传输系统的MER指标 在数字通信系统中,误码率BER是一个主要的指标,一般数字光纤传输系统的BER会达到10-12以下.     

数字电视指标分析及其关联

主要技术指标;数字频道输出电平、调制误差率(MER)、误码率(BER)、误差矢量幅度EVM、载噪比C/N、系统噪声余量(Noise margin)。     

FRA／EDFA组合放大＋DCFSF偿的超长距离1550nm SCM光纤传输系统（下）

4 超长距离数字调制光纤CATV传输系统 4．1 数字调制光纤CATV传输系统的MER指标 在数字通信系统中,误码率BER是一个主要的指标,一般数字光纤传输系统的BER会达到10^-12以下。对于DVB—C等数字CATV传输系统,采用BER作为指标是不合适的,因为加上纠错功能,     

(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能

通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0～0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。     

Theoretical studies of poly(para-phenylene vinylene) (PPV) and poly(para-phenylene) (PPP)

The electroluminescence from PPV and the blue light emission from PPP constitute exciting subjects of study. The band gap of these semiconducting polymers can be engineered in a wide range from red to ultraviolet by structural changes made on them. In the present work, we present a theoretical approach based on semiempirical and ab initio total energy and force calculations of PPV and PPP. We perform a conformational analysis in order to investigate the connection between their structural, optical and electronic properties. We use the large cell approach, in connection with the semiempirical quantum method Extended Hückel (BICON-CEDiT code) and the density functional theory (DFT) within the full-potential linearized augmented-plane-wave method (FPLAPW) as implemented in the computational code WIEN2k. Our results are compared to other calculations and to optical absorption measurements.     

纳米复合(Nd,Pr)FeTiBC永磁合金的结构与磁性能

采用熔体快淬法制备了纳米复合(Nd1-xPrx)9.4Fe75.6Ti4B10.5C0.5(x为0,0.2,0.4,0.6,0.8和1.0)合金薄带,研究了Pr对合金薄带结构与磁性能的影响规律。结果表明:Pr降低了合金薄带的晶化温度,使合金薄带晶粒变得粗大,不利于合金矫顽力的提高。Pr对合金薄带磁性能的影响不大,不同Nd和Pr比例的合金薄带在最佳热处理条件下,剩磁Br在0.86 T与0.90 T之间,内禀矫顽力Hcj在1 000 kA/m左右,最大磁能积(BH)max介于130 kJ/m3与136 kJ/m3之间。     

Miniband spectra of (AlAs)M(GaAs)N(111) superlattices

Semiconductors - Electron states in the conduction band of (111)-oriented (AlAs)M(GaAs)N superlattices (SLs) with M≥N and N&;lt;10 are considered. The properties of such SLs are mainly...     

单层超晶格Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP(110)及半导体合金Ga_(0.235)In_(0.765)P_(0.5)As_(0.5)的状态密度及介电常数(英文)

The DOS, JDOS and ε2(Ω) of monolayer superlattice Ga0.47ln0.53As/ InP(110) have been calculated by a tight-binding approach and compared with that of alloy Ga0.235ln0.765P0.5As0.5 which has the same stoi-chiometric composition as the monolayer superlattice. By using the techniques of the group theory we have obtained the expressions of momentum matrix elements between valence band states and conduction band states with four adjustable parameters. These parameters are determined by fitting the calculated values of ε2(Ω) with the experimental values for InP, GaAs and InAs. Our results show that the superlattice periodicity makes its DOS, JDOS and ε2(Ω) different from those of alloy in varying degree. Due to the folding of Brillouin zone, the JDOS of superlattice turns round in comparison with that of alloy. The momentum matrix elements have different effects for the superlattices and alloys.For the alloys, they can only change the amplitudes of peaks but not the positions of peaks; however, for the superlattices both amplitude and position can be changed.     

Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷的烧结及介电性能

采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。     

Electron-phonon interaction in short-period (GaAs) m (AlAs) n (001) superlattices

The deformation potentials of electron scattering at short-wavelength phonons for intervalley transitions in the conduction band of short-period (GaAs) _m (AlAs) _n (001) (m, n = 1, 2, 3) superlattices are determined by the electron density functional method. The dependences of the electron and phonon states and deformation potentials on the layer thickness in the superlattices are analyzed. The results of ab initio calculations are in good agreement with the data of empirical calculation of the deformation potentials integrated over phonons, but differ from data on the corresponding potentials for partial scattering channels because of approximations of the phenomenological model of interatomic binding.     

全球信息基础设施总体概念问题(上)

本文讨论了电信技术、网络形态和发展电信技术的指导思想,目的是从技术机理和工程应用方面说明GII网络形态的总体概念.     

sol-gel法制备Ba_(3.99)Sm_(9.34)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷

以柠檬酸为络合剂,通过sol-gel法制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54陶瓷前驱体;经1100℃预烧2h压片成型后,再在1300℃保温3h,即得到了烧结致密的陶瓷样品。与传统固相法相比,其烧结温度降低了50℃,且陶瓷晶粒细小,晶粒分布均匀,具有更加优良的微波介电性能:εr=79.56,Q·f=9636GHz(4.71GHz),τf=–1.23×10–6/℃。     

复合量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/(Ge_(0.3)Si_(0.7))_m-(Si)_m/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构

采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7／（Ge0.3Si0.7）m-（Si）m／Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格中子能带的形成,邻近能带间的互作用使通常单带模型下的包络函数方法不再能适用于复合量子阱的计算。计算结果也表明复合量子阱的电子束缚能级沿界面方向在kx＜0.1（2π/a）范围内基本上不随kx变化。