基于G-M制冷机的低温温度计标定系统

基于G-M制冷机设计搭建了一套低温温度计自动标定系统,该标定系统通过温控仪和PLC编程完成自动化控温、数据的记录处理以及数据输出等一体化的标定流程.将经过国外标定的硅二极管半导体温度计作为标准温度计,利用比较分度的方法对PN结温度计进行了标定.在获得温度特性曲线的同时进行了误差分析,发现该系统不仅可以在4.2～100 ...     

实验室热电阻温度计标定方法研究

热电阻温度计以其众多的优点在温度测量中得到了广泛的应用,在要求的精度较高时或者应用的条件改变时就需要对热电阻进行重新标定.文章提出了一种实验室可行的热电阻温度计常温下标定方法,介绍了实验原理、所需的实验设备及实验步骤,数据分析结果表明该标定方法比较可靠.     

一种窄带辐射温度计智能标定及检定系统

文章描述了由串行电可改写擦除存储器（ＥＰＲＯＭ）、ＲＳ－２３２通讯口和个人计算机（ＰＣ）组成的窄带辐射温度计标定检定系统。系统除了能够在标定过程中自动完成仪器的标定,给出听输出误差分布、提高仪器的速度以外,在检定时还可以通过修改检定参数很容易地修正仪器的各种源移量,使被检测仪器无需作入动或调整即可重新使用。     

1 K以下绝热去磁温度计标定平台的研究

量子技术中的很多研究需要在极低温（<1 K）环境下进行。温度测量是这些研究的基本环节。极低温温度计在使用前必须进行标定。然而1 K以下温区的温度计和温度计标定几乎被国外少数几家公司垄断,价格昂贵、周期长、维护成本高,极大限制了1 K以下温区研究的开展。为此在自行研制的绝热去磁制冷机基础上搭建了1 K以下温度计的标定平台,并在该平台上标定了自制的氧化钌温度计（温度范围770 mK～6.7 K）。实验结果表明该温度计标定平台可以进行1 K以下温度计的标定。     

一种分度红外温度计的新方法

本文提出了一种与真温有关的分度红外温度计的新方法，该方法把温度计对准材料样品而不是黑体进行分度，其特点是避免了光谱发射率的修正和不要求温度计探测器的光谱响应度的数据，因而具有浪大的实用价值，此方法对于工业测温中的重复测量特别有效．     

低温下微机高精度热电偶温度计标定系统

组建了一套低温下高精度热电偶自动标定系统。该系统结构简单，方便可靠，控温精度为０．０１Ｋ。     

一种红外温度计的分度新技术

提出了一种与真温有关的分度红外温度计的新方法。该方法把温度计对准材料样品而不是黑体进行分度，其特点是避免了光谱发射率的修正和不要求温度计探测器的光谱响应度的数据，因而具有很大的实用价值。此方法对于工业测温中的重复测量特别有效。     

温度测量系统自动化标定技术研究与应用

在计量标定工作中 ,自动化标定技术的应用将提高标定的效率与可靠性。本文介绍了温度测量系统自动化标定的相关技术和部分成果。     

8~14μm辐射温度计标定公式误差分析北大核心CSCD

插值公式法是红外辐射温度计标定的一种常用方法。为选择使用8~14 μm波段辐射温度计的标定公式,采用MATLAB仿真的方法,基于8~14 μm矩形光谱响应假设进行定量分析,模拟了几种常用的标定公式在8~14 μm波段、-50~1 000 ℃的标定过程,根据仿真结果,比较了几种标定公式的准确度,并分析了标定温度点的选择对标定结果的影响,最终确定了该波段最适用的标定公式和标定点。     

中性束注入器真空系统设计

中性束注入器（NBI）真空系统的性能对束传输效率以及整个束线内相关部件的使用寿命与使用安全影响极大。本文结合中性束注入器对真空系统的要求，对真空室的结构选择及气源分布进行了分析并对各气源的气量大小进行了计算。为NBI设计了一套以4．2K液氦低温冷凝泵为真空主抽泵并配以涡轮分子泵机组的抽气系统，采用此真空系统的NBI系统具有良好的真空性能。     

中性束注入系统热测靶设计

介绍了中性束注入系统热测靶的测量原理,提出了热测靶的设计方案,并对测量误差进行了分析,介绍了中性束注入系统束线上束流功率和功率密度分布的测量方法,对中性束注入系统也作了简单介绍.     

Design and development of a helium injection system to improve external leakage detection during liquid nitrogen immersion tests

The testing of assemblies for use in cryogenic systems commonly includes evaluation at or near operating (therefore cryogenic) temperature. Typical assemblies include valves and pumps for use in liquid oxygen-liquid hydrogen rocket engines. One frequently specified method of cryogenic external leakage testing requires the assembly, pressurized with gaseous helium (GHe), be immersed in a bath of liquid nitrogen (LN₂) and allowed to thermally stabilize. Component interfaces are then visually inspected for leakage (bubbles). Unfortunately the liquid nitrogen will be boiling under normal, bench-top, test conditions. This boiling tends to mask even significant leakage.One little known and perhaps under-utilized property of helium is the seemingly counter-intuitive thermodynamic property that when ambient temperature helium is bubbled through boiling LN₂ at a temperature of −195.8 °C, the temperature of the liquid nitrogen will reduce.This paper reports on the design and testing of a novel proof-of-concept helium injection control system confirming that it is possible to reduce the temperature of an LN₂ bath below boiling point through the controlled injection of ambient temperature gaseous helium and then to efficiently maintain a reduced helium flow rate to maintain a stabilized liquid temperature, enabling clear visual observation of components immersed within the LN₂. Helium saturation testing is performed and injection system sizing is discussed.     

Effects of neutral particle beam on nano-crystalline silicon thin films, with application to thin film transistor backplane for flexible active matrix organic light emitting diodes

A novel deposition process for nano-crystalline silicon (nc-Si) thin films was developed using neutral beam assisted chemical vapor deposition (NBaCVD) technology for the application of the thin film transistor (TFT) backplane of flexible active matrix organic light emitting diode (AMOLED). During the formation of a nc-Si thin film, the energetic particles enhance nano-sized crystalline rather microcrystalline Si in thin films. Neutral Particle Beam (NPB) affects the crystallinity in two ways: (1) NPB energy enhances nano-crystallinity through kinetic energy transfer & chemical annealing, and (2) heavier NPB (such as Ar) induces damage & amorphization through energetic particle impinging. Nc-Si thin film properties effectively can be changed by the reflector bias. As increase of NPB energy limits growing the crystalline, the performance of TFT supports this NPB behavior. The results of nc-Si TFT by NBaCVD demonstrate the technical potentials of neutral beam based processes for achieving high stability and reduced leakage in TFT backplanes for AMOLEDs.