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Si3N4/MoSi2陶瓷的制备工艺与组织研究 总被引:4,自引:1,他引:3
研究了Si3N4/MoSi2复合陶瓷材料的特殊制备工艺及其显微结构的变化。用XRD、SEM、EDXS及气孔率测试仪,对每一制备步骤中发生的显微结构变化进行了分析。 相似文献
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用 Mo粉、Si粉通过二步法反应制得 Si3N4/Mo Si2 复合材料 ,并用 X射线衍射和扫描电镜、抗折仪等方法对材料进行了显微结构和机械性能的测定。研究表明 ,复合材料的机械性能 ,特别是高温机械性能比 Si3N4材料有显著的提高 相似文献
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ZnO压电薄膜及其SAW滤波器的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了晶化良好的(002)取向的ZnO薄膜,用XRD、SEM表征薄膜的取向和显微结构.在ZnO薄膜上利用剥离技术制备了波长40 μm的AI叉指电极,电极厚度约为200nm,并利用矢量网络分析仪测量了ZnO薄膜声表面波特性,结果显示:声表面波中心频率为146.8MHz,声表面波在ZnO薄膜上的传播速度为5 872m/s. 相似文献
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金属/陶瓷复合材料的原位合成及其结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以铝镁合金、高纯石英棒为原料,采用原位合成法在1473K氮气氛下保温2h制备了Al(Si)/AlN/MgAl2O4复合材料。采用XRD、SEM和EDX等方法分析了所得材料的相组成与显微结构。结果表明:复合材料的物相为MgAl2O4、Al-Si、AlN、Mg2Si和Si;在铝与SiO2界面上形成的Al2O3与基体合金中的镁反应生成块状的MgAl2O4尖晶石晶体,在复合材料内部发现均匀分布的AlN晶须,部分氧、铝、镁、铁形成化合物与硅一起均匀弥散分布于复合材料中。 相似文献
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CSCVI法快速制备C纤维增韧SiC基复合材料及其微观结构 总被引:1,自引:0,他引:1
采用一种改进的 CVI工艺 (CSCVI法 )制备连续炭纤维增韧 Si C基复合材料 ,使预制体的编织与 Si C基体的沉积同步复合进行。在不同的工艺条件下 ,制备了 C/Si C复合材料 ,观察了其微观结构。结果表明 :CSCVI- C/Si C中的残留孔隙很小且明显小于 ICVI- C/Si C中的残留孔隙 ;CSCVI具有快速制备孔隙率低、体积密度较高的 C/Si C复合材料的能力 ;纤维束缠绕转轴的线速度直接影响到 C/Si C的显气孔率、纤维束间 Si C基体墙的厚度和 C/Si C复合材料的最终体积密度。 相似文献
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采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27.5nm的W/Si多层膜,使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力,采用W、Si共溅射技术制备WxSi1-x膜层替换W膜层,制备出WxSi1-x/Si多层膜,与W/Si多层膜的应力特性进行了比较研究。结果表明,W/Si多层膜为较大的压应力,测量值为-476.86 MPa,WxSi1-x/Si周期多层膜为较小的压应力,测量值为-102.84MPa。因此采用共溅射制备WxSi1-x代替W可以显著改善多层膜的应力特性。 相似文献
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以钼、硅、钨粉为原料,利用无压烧结原位合成技术制备了不同成分的WSi2/MoSi2复合材料,研究了原位生成的WSi2含量对该复合材料显微结构和力学性能的影响。结果表明:制备的复合材料中除含有以固溶形式存在的WSi2、MoSi2相以外,还有微量的(MoyW1-y)5Si3相;复合材料的力学性能较纯MoSi2的有大幅度提高,其中含20%WSi2复合材料的性能最好,1 000℃的抗弯强度和室温断裂韧度分别为367.3 MPa和7.87 MPa.m1/2;复合材料的强化机制为第二相颗粒强化和固溶强化,韧化机制为第二相颗粒增韧和裂纹偏转。 相似文献
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采用化学气相沉积(CVD)渗硅处理工艺连续制备6.5%Si高硅钢,具有优质的软磁性能,通过理论研究化学反应并且用简单的试验设备做进一步的探讨.根据试验的结果对连续制备6.5%Si高硅钢的CVD工艺构造提出全面、有效的建议,实现制备6.5%Si高硅钢系统. 相似文献
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为提高高硅铝合金电子封装材料的使用性能,对Al-12Si与Al-30Si合金粉末进行300℃空气氧化,热挤压制备出Al2O3与SiO2增强的弥散强化型铝硅复合材料,通过光学显微镜及电子万能试验机对材料显微组织、抗拉强度、抗弯强度及拉伸断口形貌进行了分析.结果表明:合金粉末经高温空气氧化后,Al-12Si晶粒长大不明显,而Al-30Si晶粒发生了明显长大;Al-30Si复合材料的抗拉强度及抗弯强度均明显高于Al-12Si,且均随氧化时间延长而提高,粉末氧化32h后,Al-30Si材料抗拉强度与抗弯强度高达291 MPa与378 MPa,比未氧化的分别提高了33.5%与32.2%;材料的断裂方式随着氧化时间延长而变化,由单纯的韧性断裂逐渐向韧性与脆性共存的混合断裂转变. 相似文献
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基于Al—Si合金熔体的冶金级硅纯化新工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高冶金级硅的纯度,本文研究了Al对去除冶金级硅中金属杂质的作用。结果表明,以工业Si和工业Al为原料,通过Al-Si合金化和酸浸除杂相结合制备Si材料,将Al-Si合金破碎成一定尺寸的颗粒,然后采用氢氧化钠溶液、氢氟酸和盐酸溶液顺序腐蚀去除Al和其他杂质,最终获得纯度为99.91%的Si颗粒。结合扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)以及X射线荧光光谱(XRF)等分析手段,对腐蚀前后材料的微观结构和杂质含量的变化进行研究,初步探讨了冶金级Si经过Al-Si合金熔炼更有利于除杂的原理。 相似文献
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等离子喷涂纳米Al_2O_3-13%TiO_2陶瓷涂层的组织结构与抗冲蚀性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用等离子喷涂方法分别制备了常规和纳米Al2O3-13%TiO2陶瓷涂层,用扫描电子显微镜分析了涂层的显微结构,并对涂层进行了抗冲蚀试验。结果表明:常规陶瓷涂层具有典型的片层状结构,但纳米陶瓷涂层片层状结构并不十分明显,且涂层裂纹数量明显减少;纳米陶瓷涂层中的显微结构的变化改善了涂层的韧性和结合性能;在冲蚀过程中,常规陶瓷涂层表面剥落严重,而纳米陶瓷涂层的冲蚀质量损失较小,抗冲蚀性能比常规陶瓷涂层提高了30%左右。 相似文献
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绝缘性陶瓷电火花加工原理和辅助电极膜制备探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了绝缘性陶瓷电火花加工原理,研究了绝缘性陶瓷材料Si3N4的电火花加工用辅助电极膜的制备方法,提出了3种较为成功的辅助电极膜的制备过程和工艺条件,制备的辅助电极膜成功地用于绝缘性陶瓷材料Si3N4的电火花加工中。 相似文献
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Sialon复相陶瓷的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
通过材料组分设计,采用GPS与HP烧结工艺,制备α'-β'-Sialon与β'-Sialon-12H两种复相陶瓷。从显微结构观察,长柱状β晶体和纤维状12H(AIN多型体)显示了原位自补强作用。介绍了这两种复相陶瓷的制备和显微结构及力学性能之间的关系。 相似文献
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硅对原位反应自生Mg_2Si/ZM5复合材料热处理态的组织和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在真空感应炉中氩气保护下制备材料,用OM,SEM,EDAX及拉伸试验,探讨硅对原位反应自生Mg2Si /ZM5复合材料T6热处理后显微组织和性能的影响规律。结果表明,反应添加物Si在ZM5合金中形成了高熔点、高硬度的Mg2Si强化相,时效处理可促进(Mg17Al12)相沿晶内连续析出,明显地提高了材料的室温与高温强度,如含1.5%Si的复合材料经T6处理后室温屈服强度提高幅度为28.7%,高温抗拉强度与屈服强度提高幅度分别为9.3%、14.0%;此外Mg2Si相的形貌随着硅含量的不同而变化,如含Si 0.5%为时,主要形成细小短棒状或片状共晶Mg2Si相,Si>1%时,则出现了粗大块状或汉字状初生Mg2Si相和片状或短棒状的共晶Mg2Si相;Mg2Si相是一种脆性相,使得该材料呈现出解理断裂,降低了材料的塑性。 相似文献