非对称轻掺杂漏(LDD)MOSFET

提出并制作了一种仅有漏端轻掺杂区的MOSFET新结构──非对称LDD MOSFET。它与通常LDD MOSFET相比,抑制热载流子效应的能力相同,源漏串联电阻降低40％左右,线性区和饱和区的跨导分别增加50％和20％左右。用该器件制作的CMOS电路,其速度性能优于通常LDD MOSFET制作的同样电路。     

轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟

轻掺杂漏(LDD)MOSFET是一种已用在VLSI中的新型MOSFET结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以MOSFET,又适用于LDD MOSFET的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD MOSFET的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息.     

提升HVPMOS漏极击穿电压的工艺改进方法

文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能.分析了工艺改进提升漏极击穿电压的机制.     

SiO_2边墙技术及在LDD MOSFET中的应用

<正> 一、引言 在MOSFET研究发展中,轻掺杂漏(LDD)MOSFET和自对准MOSFET已越来越引人注目。这两种MOSFET制造中,边墙的形成是关键。如何精确控制边墙宽度是控制轻掺杂漏长度的基础,而控制边墙的高度和宽度则对自对准硅化钛MOSFET中的栅与漏—源区硅化钛电极的隔离十分重要。此外,边墙技术还可应用于形成亚微米栅以取代掩膜形成栅。本文介绍了一种形成一定高度和宽度的SiO_2边墙的方法。     

漏轻掺杂MOSFET的特性分析及其解析模型

制作了1μm沟道长度 LDD nMOSFET,其衬底电流较常规结构的 MOSFET降低了两个数量级,击穿电压提高了5伏.此外,还建立了包括热电子速度饱和和串联电阻在内的LDDMOSFET解析模型.     

6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿真研究

给出了一种新型SiC MOSFET-6H-SiC异质结源漏MOSFET。这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题,而且具有性能优良,开态电流大,侧墙工艺简单的特点。文中分析了该器件的电流输运机制,并通过器件仿真软件ISE TCAD模拟,给出了SiC异质结源漏MOSFET伏安特性以及其和相关器件结构和工艺参数的关系。     

抑制 SOIp- MOSFET中短沟道效应的 GeSi源 /漏结构

提出在 SOI p- MOSFET中采用 Ge Si源 /漏结构 ,以抑制短沟道效应 .研究了在源、漏或源与漏同时采用 Ge Si材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低 (DIBL)效应的影响 ,并讨论了 Ge含量及硅膜厚度变化对短沟道效应及相关器件性能的影响 .研究表明 Ge含量应在提高器件驱动电流及改善短沟道效应之间进行折中选择 .对得到的结果文中给出了相应的物理解释 .随着器件尺寸的不断缩小 ,Ge Si源 /漏结构不失为 p沟 MOS器件的一种良好选择     

Halo LDD结构多晶硅薄膜晶体管的模拟研究

提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区.并利用工艺和器件模拟软件对该Halo LDD P-Si TFT的电学特性进行了分析,并将其与常规结构、LDD结构和Halo结构进行了比较.发现Halo LDD结构的P-si TFT能有效地降低泄漏电流、抑制阈值电压漂移和Kink效应;减少因尺寸减小后所带来的一系列问题.     

采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压

采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路,门延迟为130ps.     

一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法

提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法,用于提取LDDn MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生.这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用.采用这种方法可以准确地确定界面陷阱在沟道区与漏区的产生,从而有利于更深入地研究LDD结构器件的退化机制.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

沟槽型MOSFET的发展

在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点：可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSOMOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。     

功率MOSFET参数测试仪的设计

功率MOSFET参数测试仪是用来测试功率MOSFET电特性参数的仪器设备（如阈值电压、跨导等）。以单片机为核心,介绍功率MOSFET参数测试仪的原理、设计及实现,设计了电特性参数测试的具体电路,编写了测试控制程序,通过对设计出的测试仪系统进行实验和调试,可以准确测量功率MOSFET的阈值电压、跨导、栅源漏电流、零栅压漏极电流及耐压。     

电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响

研究了外加电场对MOS器件电离辐射效应的影响.采用10 keV X射线对MOS器件在正/反电场偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOS器件辐射前后阈值电压的漂移量.实验结果表明,正偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量远大于反偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量.基于一维连续性方程,在考虑电子-空穴对的复合/逃逸率、电子及空穴的捕获横截面与外加电场关系的基础上,模拟了辐射诱生栅氧化层内陷阱电荷与辐射总剂量之间的关系,分析了陷阱电荷对MOS器件阈值电压的影响,仿真结果与实验数据吻合良好.     

MOSFET 1/f噪声的相关积分分析方法

文章将相关积分方法用于MOSFET 1/f噪声分析,发现器件的1/f噪声与RTS叠加模型产生的1/f噪声相关积分极其相似.通过对MOSFET噪声物理模型的分析和讨论,证明n-MOSFET的1/f噪声以载流子数涨落模型为主,p-MOSFET的1/f噪声以迁移率涨落模型为主结论的正确性.研究表明,相关积分方法可用于鉴别电子器件测量噪声所属的模型类型.     

MC34151MC33151MC34152MC33152高速双,OSFET驱动器集成电路

本文介绍了MC34151／MC33151／MC34152／MC33152系列双路单片高速MOSFET驱动器,文中不但讨论了该系列MOSFET驱器的引脚排列、各引脚的名称、功能、用法、主要设计特点和参数限制,而且剖析了它们的内部结构和工作原理,进而探讨了它们的应用技术。     

利用低端栅极驱动器IC进行系统开发

利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计,但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力,以最大限度地减小电源尺寸和提高效率.如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器,驱动器周围需要哪些补偿元件,以及如何确定热性能等是设计时要注意的方面.     

浅析MOSFET高速驱动器电路设计

通过对MOSFET转换过程的分析，得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项，得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。     

MOSFET衬底电流模型及参数提取

在短沟道MOSFET器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟MOSFET实测结果比较接近,可应用于VLSI／ULSI可靠性模拟与监测研究和亚微米CMOS电路设计。     

镍硅化物工艺新进展

随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100 nm,传统自对准硅化物材料,如TiSi_2和CoSi_2,由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽效应等特点,已不能满足纳米尺寸器件对硅化物材料的要求,显现出其作为自对准硅化物材料的局限性.NiSi与传统自对准硅化物材料相比,不但具有硅化物形成工艺的低硅耗和低形成热预算,而且具有低电阻率,又不存在线宽效应.所以,NiSi作为纳米尺寸器件最有希望的自对准硅化物材料得到广泛的关注和研究.综合介绍了镍硅化物特性,一硅化镍薄膜形成工艺及其工艺控制问题.