真空电弧沉积多元膜复合靶成分离析效应的研究

用Ti/Mo ,Ti/W和Ti/Me(Me为Fe Cr Al合金 )复合靶采用真空电弧技术沉积了多元膜 ,并对成分离析效应及组织和性能进行了研究。结果表明 ,工作弧电流和阴极镶嵌体的弧斑平均电流对成分离析效应影响程度较大 ,Ti/Me复合靶存在一个无成分离析效应的平衡点。多元膜结构主要为组元原子固溶于Ti2 N中的结构形式 ,并具有较高的显微硬度     

真空阴极电弧沉积碳氮膜的研究

以氮气为反应气体,用真空阴极电弧沉积法沉积了CNx膜,并利用金相显微镜、Auger电子谱仪、FTIR及XRD对其进了分析.结果表明真空阴极电弧沉积法可以制备含N量高、具有C≡N键和C-N键并含有晶态C3N4的CNx膜.     

真空阴极电弧沉积碳氮膜的研究

以氮气为反应气体，用真空阴极电弧沉积法沉积了CNx膜，并利用金相显微镜，Auger电子谱仪，FTIR及XRD对其进了分析，结果表明，真空阴极电弧沉积法可以制备含N量高，具有C＝N键和C－N键并含有晶态C3N4的CNx膜。     

阴极电弧沉积多元合金膜层的织构及其形成

采用阴极电弧沉积方法，制备了与靶材成分基本相同的多元合金Ｉｎｃｏｎｅｌ６２５膜层。用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＥＭ研究了不同入射角下所获膜层中的织构分布及其成因。     

真空电弧离子镀膜方法沉积类金刚石膜在PMMA树脂义齿表面的应用

采用电弧离子镀膜方法,以高纯石墨为碳离子源在PMMA树脂义齿表面沉积类金刚石膜.应用xps谱和Raman谱对膜层的结构进行了理论分析,对镀膜样品进行了抗磨性能实验、病理实验和临床实验.结果表明为了提高样品的膜基结合强度,必须在DLC膜与基材之间增镀一层钛氧化物作为过渡层,必须严格控制工作电压、工作室的真空度和气氛配比.     

真空电弧沉积技术中的弧源设计

讨论了真空电弧沉积中弧源设计的有关问题 ,如电弧运行模式、电弧极性、点火方式、电弧的约束方式以及宏观粒子抑制方式等。分析表明 ,合理选择电弧运行模式和电弧极性 ,以满足涂料粒子蒸发与离化的要求 ;选择合适的弧源结构 ,加强对电弧的约束与烧蚀的控制 ,或用过滤弧源 ,以抑制宏观粒子对涂层的污染 ,是成功设计弧源的关键     

真空电弧沉积技术中的弧源设计

讨论了真空电弧沉积中弧源设计的有关问题，如电弧运行模式、电弧极性、点火方式、电弧的约束方式以及宏观粒子抑制方式等。分析表明，分析表明，合理选择电弧运行模式和电弧极性，以满足涂料粒子蒸发与离化的要求；选择合理的弧源结构，加强对电弧的约束与烧蚀的控制，或用过滤弧源，以抑制宏观粒子对涂层的污染，是成功设计弧源的关键。     

厚度对真空电弧制备传感器用非晶ta-C膜性能的影响

采用双弯曲磁过滤阴极真空电弧沉积方法在传感器用P型单晶硅上制备ta-C膜,并通过实验测试的手段研究厚度对其组织及性能的影响。研究结果表明:逐渐延长沉积时间后,沉积速率始终保持1.6 nm/min的稳定状态。分别运用椭偏仪和光度计测定ta-C膜的厚度结果基本一致,差值小于2 nm。随着膜厚的增加,sp³C比例发生了减小,原先的sp³结构逐渐转变为sp²结构。当膜厚增大后,ta-C膜内形成了更高比例的sp³C。当膜厚增大后,G峰发生了低位移动,此时膜内的sp³C比例发生了降低。当膜厚增大后,ta-C膜色散值和残余压应力发生了不断减小,表明膜获得了更小的拓扑无序度。不同厚度的涂层粗糙度基本接近,都在0.6 nm以内。膜表面呈现光滑的连续分布形态,粗糙度保持基本恒定。     

阴极电弧沉积TiN薄膜研究

对真空阴极电弧沉积TiN装饰膜的沉积工艺和膜层性能的关系进行了研究。结果表明:适当选择N_2分压和负偏压对于改善基体表面离子轰击清洗效果、减少液滴分布、保证膜层颜色和提高膜层耐蚀性至关重要。另外,X射线织构分析表明:(220)织构随负偏压加大而增加,而(111)织构则随N_2分压增大而增加,这可由离子轰击诱导织构效应解释。     

阴极电弧沉积多元合金膜层的织构及其形成

采用阴极电弧沉积方法，制备了与靶材成分基本相同的多元合金Inconel625膜层[1]。用XRD，SEM，TEM研究了不同入射角下所获膜层中的织构分布及其成因。     

多弧离子镀合金涂层成分离析效应的物理机制研究

提出了一种关于多弧离子镀合金涂层成分离析效应的物理模型。利用该模型，从理论上较为圆满地解释了成分离析的影响因素及其作用机制。     

氧化工艺在真空电弧沉积TiN薄膜中的应用——专业课程与课题相结合的实践

文章通过氧化工艺对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响这一课题研究，指出在毕业论文的工作中，将专业知识运用到实际课题的研究中，有利于提高学生的综合素质。     

低能氮离子束辅助真空电弧沉积Zr-Cu-N薄膜的研究

利用等离子体辅助真空电弧沉积技术,在高速钢和单晶硅基体上制备Zr-Cu-N复合薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和超微显微硬度计研究了低能氮离子束流对Zr-Cu-N涂层结构、表面形貌和硬度的影响.结果表明:用低能氮离子束辅助真空电弧沉积Zr-Cu-N膜,ZrN结构在(111)晶面出现择优取向,并对Zr-Cu-N膜层有一定的强化作用,膜层表现出较高的显微硬度和转好的耐磨性能.     

脉冲真空电弧镀的实验研究

本文介绍了利用脉冲真空电弧进行镀膜的初步研究结果。主要研究了在不同电气参数、结构参数……条件下，在炭钢基材上镀铝合金膜和不锈钢膜及影响成膜性能的因素。研究结果表明，这种镀膜方法，可以镀各种金属和合金膜；具有设备简单，镀膜速率高等特点，但仍需进一步消除膜中的大颗粒，改善膜的表面光洁度。     

真空电弧离子镀沉积Ni基合金涂层的研究

Ni基合金涂层是我国近几年着力研究并应用于燃气轮机，飞机叶片的新型合金涂层，为扩大对Ni基合金涂层品种多元化的研究，本研究了NiCrWTi合金涂层的常规工艺及其性能，结果表明：采用真空电弧离子镀技术沉积NiCrWTi合金涂层的组织结构致密，结合强度高，耐腐蚀性能好。     

真空电弧镀沉积高温防护涂层技术

介绍了弧光放电型离子镀A1000设备，研究了沉积MCrAlY高温涂层工艺，沉积参数对涂层质量、涂层成分及涂层性能的影响。研究结果表明，采用该工艺制备MCrAlY多元包覆型涂层，工艺参数易于控制，沉积效率高，零件装载量大，制备的涂层具有优良的抗高温氧化性能。     

添加元素对TiMeXN多元膜XPS谱的影响

采用XPS方法研究了TiMeXN多元膜内各元素的化学状态,结果表明,添加元素改变了TiN中Ti元素特征峰的位置和形状.首先,使Ti、N峰强度增大,O峰强度减弱;其次,使Ti2p1/2峰、Ti2p3/2峰和N 1 s的双峰现象基本消失,氮化物薄膜中Ti的化学状态基本趋于一致;再次,随着微量元素总含量的增高,Ti2p峰的多重分裂值减小,直至使Ti2p1/2峰和Ti2p3/2峰部分重迭.在多元膜中,微量添加元素本身以"正离子"或"负离子"的形式存在,形成微量第二相.     

磁过滤真空弧等离子体钛沉积膜的XPS研究

通过磁过滤真空弧等离子体沉积技术,在单晶Si和H13钢衬底上生长一层Ti沉积膜,利用扫描电镜,X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对膜层进行了测量和分析,结果表明,加上磁过滤器的没积膜表面平整光洁,无“液滴”出现,在靶室真空度不高的情况下,膜层中的Ti以TiO的形成存在,并且TiO晶粒沿＜110＞方向择优取向,膜层表面的TiO进一步与大气中氧发生反应形成的TiO2.     

电流强度对真空电弧收缩现象影响的仿真研究

本文以双流体模型和麦克斯韦方程为基础,推导并建立了真空电弧的三维磁流体动力学(MHD)模型。通过对该模型的求解,得到等离子体压力、密度、速度和马赫数等真空电弧的重要属性参数。通过对不同开断电流下真空电弧等离子体的电流密度的仿真研究,揭示了开断电流的大小对于真空电弧的收缩程度具有影响作用。