带有氧化钨涂层的ITO平面电极在LB系列电解液中的阻抗分析

电致变色实验显示1mol／L六氟磷酸锂与碳酸乙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯和碳酸甲乙酯所混合形成的电解液（LB）系列是一类非常节能的电致变色电解液，它们能用很小的充电电流（20μA／cm^2）使得氧化钨薄膜获得更长久、更好的变色性．研究氧化钨薄膜在LB系列电解液中的交流阻抗特性，有助于更好地理解氧化钨薄膜的变色性能．文中研究了带有氧化钨薄膜层的ITO平面电极处于LB系列电解液中的阻抗谱，分别得出了氧化钨薄膜和ITO电极的等效电路；测算出氧化薄膜的常相位角元件、薄膜电阻、韦伯电阻以及与ITO电极有关的电双层电容和电极电荷转移电阻．证实了LB315是性能优良的电解液．     

WO3薄膜气敏光学传感特性研究

WO3薄膜是良好的光学气敏传感器材料.采用溶胶凝胶法制备了WO3掺杂薄膜,对样品在不同浓度氢气气氛中的气敏光学性质、敏感度及响应时间进行了测试、分析和计算,并结合光传输理论给出了气敏薄膜的光学变化机制,理论分析与实验结论吻合.     

Pt／WO3纳米薄膜的氢敏特性

用溶胶-凝胶法和磁控溅射法相结合制备了催化剂Pt掺杂的WO3纳米薄膜,通过改变氢气的体积分数、催化剂Pt的含量及热处理温度等实验因素,对Pt／WO3薄膜的氢致变色性能进行了测试;并利用X射线光电子能谱仪（XPS）分析了薄膜的氢敏机理。实验结果表明：先用溶胶-凝胶法制得WO3薄膜,然后再用磁控溅射法在该WO3薄膜上溅射掺杂5％的Pt,制得Pt／WO3双层纳米薄膜,经100℃热处理后,可以获得性能稳定且具有良好氢敏特性的优质薄膜;薄膜能检测的氢气浓度低至0．008％;XPS分析表明,W^5＋与W^6＋之间的转换是引起WO3薄膜氢致变色现象的主要原因。     

WO3薄膜气致变色特性的研究进展

WO3薄膜是一种优良的气致变色材料,对其气致变色特性的研究有助于开发出更具应用潜力的可控变色器件.介绍了WO3气致变色的研究进展,综述了热处理和掺杂改性对气致变色的影响,总结了两种被人们普遍认同的WO3气致变色机理,并且对今后的研究方向提出了一些看法.     

光致变色纳米WO3薄膜研究进展

介绍了纳米WO3薄膜的光致变色机理,并对WO3薄膜的各种制备方法进行了分析比较.概述了WO3薄膜的各种表征手段和近年来国内外的研究现状等,并对其未来发展趋势进行展望.     

WO3电致变色薄膜的研究进展

过渡金属氧化物WO3因其优异的电致变色性能而受到广泛的应用。根据近几年来国内外文献,针对有关WO3薄膜的制备方法做了综述性的介绍,概述了双注入模型这种目前广为接受的WO3薄膜的变色机理,着重陈述了薄膜光调制幅度和非晶态对于WO3薄膜的电致变色性能的重大意义。文章同时列举WO3薄膜在实际生活中的一些应用,说明由于变色响应时间过长和工作稳定性不足导致其进一步应用受到较大限制的现状。最后探讨了WO3薄膜未来的研究方向,经过分析认为以WO、掺杂有机聚合物而制备出复合材料薄膜是WO3薄膜今后一段时间的主要发展方向。     

WO3薄膜氢致变色机理的研究进展

WO3有着良好的氢致变色效应,是一种优异的氢敏感材料.对WO3薄膜氢致变色机理的研究有助于研制出更高灵敏度的WO3基氢敏传感器.目前,关于WO3薄膜的氢致变色机理主要有3种模型,即能级模型、价间跃迁模型和色心模型.分别评述了这3种理论,同时结合作者在WO3薄膜氢敏性能方面的实验研究工作,提出WO3薄膜氢致变色机理与钨离子在W6 ～W5 之间的价间跃迁和O离子的化合环境及含量的变化有关.     

纳米WO3薄膜

综述了纳米WO3薄膜的制备、表征及其在电致变色、气敏材料、共催化剂等方面的应用和作用原理.     

WO3薄膜退火热处理工艺的研究

采用真空镀膜工艺在微晶玻璃衬底上沉积了WO3薄膜,WO3薄膜从300～600℃分别进行了退火热处理,随着退火热处理温度的不同,WO3薄膜从晶粒尺寸上以及晶相上都发生了较大的变化,并用SEM、XRD等手段进行了分析,随着退火热处理温度的升高,WO3晶粒逐渐增大,并实现了从非晶向晶态的转变,最终得到了六方结构并且是在[100]方向上择优取向的WO3薄膜,获得了稳定性较好的工艺条件,为进一步开发研制WO3气敏元件提供了技术基础.     

WO3纳米薄膜的制备与气致变色特性研究

报道了以钨粉为原料，采用溶胶一凝胶技术和旋转镀膜方法，制备出了气致变色WO3纳米薄膜。采用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、红外光谱仪以及可见光分光光度计等方法分析了薄膜的特性。研究结果表明热处理使得薄膜致密，折射率增大，厚度减小，薄膜结晶；过氧键消失，WO3微结构发生了变化，共角W-O-W键吸收越来越强，且向高波数方向移动。这些变化归因于热处理导致的WO3颗粒形状、团聚状态的变化以及应变键的产生。WO3纳米薄膜具有很好的气致变色特性，致色与退色态透射率变化超过60％，变色起因于H扩散到WO3薄膜中形成的小极化子吸收。     

WO3薄膜制备及其电致变色性能研究

采用直流反应磁控溅射方法在室温下制备WO3薄膜。研究溅射功率对WO3薄膜结构及电致变色性能的影响规律,考察退火后WO3薄膜的结构演变及电致变色性能变化。结果表明溅射功率为270W时薄膜表现出较好的电致变色性能,其调制幅度达78.5%,着色时间为9s,褪色时间为3.2s。将该功率下制备的WO3薄膜进行退火处理,其结构由非晶态转变为晶态,但调制幅度、响应时间特性都发生一定程度的退化。非晶态WO3薄膜相比晶态结构具有更快的响应时间和更宽的调制幅度,但晶态薄膜具有更好的循环稳定性。     

喷雾热分解法制备ITO薄膜及其光电性能研究

采用自制的喷雾热分解装置在玻璃衬底上制备ITO薄膜,并对实验条件进行了正交设计,以考察制备ITO薄膜的优良条件,结果表明,影响ITO薄膜光电性能的主要因素是基板温度。制备ITO薄膜的优化条件为：基板温度300℃,载气气流速度1L·min^-1,退火温度540℃,溶液配比为铟锡比10：1,喷嘴与基板距离8cm,薄膜沉积时间3．5min,相应的透光率为97％,方块电阻3875Ω／。     

纳米WO3薄膜的制备方法及其研究现状

综述了纳米ＷＯ３薄膜的各种制备方法,评价了其优缺点,对纳米ＷＯ３的研究和应用现状作了简概述,并提出了纳米ＷＯ３薄膜的发展前景。     

溶胶-凝胶-热解法制备介孔WO3薄膜及其电致变色性能研究

采用溶胶-凝胶-热解工艺,以PEG-400为结构导向模板剂,合成出介孔WO3薄膜,通过XRD、SEM、BET等对其晶相组成,显微结构,比表面积和孔径分布等进行了测试,结果表明所制备的介孔WO3薄膜材料为立方晶相,其平均孔径在6.37nm,比表面积高达20.69 m2/g;电化学循环伏安和光谱测试分析表明该薄膜具有良好的电致变色性能,对可见光具有很好的调制功能,平均最大透过率调制幅度可达69.96%.     

基于氢敏材料的WO3溶胶稳定性的影响因素研究

采用钨粉和双氧水反应制备了WO3溶胶,考察了双氧水(H2O2)加入量、无水乙醇加入量、陈化温度和时间对溶胶稳定性的影响.研究表明,H2O2和乙醇的加入能增强WO3溶胶的稳定性,当H2O2与钨酸的物质的量比为1∶2、乙醇与WO3溶胶体积比为1∶2时,所制备的WO3溶胶在室温下可稳定存在3个月以上,溶胶成膜质量最佳.WO3溶胶陈化温度越高,溶胶的稳定时间越短.研究了WO3溶胶陈化时间与粘度的关系,并试验得出了最佳的成膜条件,即陈化时间越长,WO3溶胶粘度越大,当WO3溶液粘度为180～300mPa.s时成膜质量较好.     

Abnormal photoluminescence of ZnO thin film on ITO glass

The photoluminescence (PL) properties of ZnO thin films on ITO glass substrate deposited by rf magnetron sputtering with different oxygen partial pressures were studied. It was found that the exciton related emission of ZnO thin films depends on oxygen partial pressure, and that the visible emission related to intrinsic defects has no obvious change with various oxygen partial pressures. Abnormal UV-PL characteristics were observed, and its intensity was obviously enhanced. The emission position has a strong red-shift with increasing excitation intensity, and the emission intensity increases notably with increasing excitation cycle.     

ITO防电磁辐射玻璃屏蔽性能研究

采用直流磁控溅射技术在玻璃基板上沉积ITO薄膜,通过调整基板温度、薄膜厚度得到了最低方阻1．4Ω／□,薄膜透光率超过76％。对样品在150KHz到18GHz频段内电磁屏蔽效能采用屏蔽室法进行测试,1G频率点得到的屏蔽效能最好,达到了54dB,在屏蔽困难的低频段,150KHz频率点的屏蔽效能迟到24dB。